小型贴片石英晶振主要采用了，先进的晶片的抛光工艺技术，是晶体行业中石英晶片研ω　磨技术中表面处理的最高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，大大的降低谐振电阻，使精度得到了很大的提升。改变了传统的生产工艺，使产品在各项参数得到了很大的改良,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振╳器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智︾能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.

爱普生晶振,SG2520EGN晶振,高精度贴片晶振

爱普生株式会社」EPSON晶振,爱普生拓优科梦,(EPSON—YOCOM)1942年成立时是精工集团的第三家手表制造公司,以石英手表起家的爱普生公司到后续的生产压电石英晶振, 晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器, 压控晶体振荡】器（VCXO）、温补晶体振▆荡器（TCXO）。1996年2月在中国苏州╱投资建厂,在当时员工人数就达2000人,总投资4.055亿美元,公司占地200亩,现已经是∞世界500强企业.

日本精工爱普生晶振接受了中国苏州政府2007 年的招商引资,命名为【爱普生拓优科梦水晶元器件(苏州)有限公司】 爱普生拓优科梦(Epson Toyocom)是精工爱〓普生株式会社与爱普生晶振(中国)有限公司共同投资成立的有限责任公司(外商合资).

爱普生晶振公司已经建立了一个原始的垂直整合制造模型的最佳手段持续为客户创造新的价值,并决定使用这个模型来驱动前面提到的四个关键领域的创新.这意味◆着从头开始创建产品:创建我们自己的独特的核心技术和设备,使用这些作为基地的规划和设计提供独特价值的产︽品,生产或制造的艺术和∴科学,我们积累了多年的专业知识,然后生产晶振,石英晶振,有源晶振,贴片晶振,压控振荡器, 32.768K钟表晶振,温补晶振,石英晶体振荡器,压控石英水晶振荡子,等出售给我们的客¤户.

爱普生晶振公司加强卐人力资源的全功能,技术,生产,销售和支持和环境问题,利用信息技术,推进我们的原始制造模式寻求实现我们的※愿景.视野下就像我提到的,我们的目标是使用◥我们的技术来创建一个新的╲连接人的时代,事物和信息,这样我相信我们可①以成为不可或缺的公司⊙为我们的客户和社会.

爱普生晶振,SG2520EGN晶振,高精度贴片晶振

爱普生拓优科梦把半导体（IC）称之为“产业之米”,并认为№晶体元器件更是离不开的“产业之盐”将进一步致力于小型,高稳定,高精度晶体元器件的开发,为现有的应用程序以及生活新蓝图开拓广阔前景.爱普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都※有重大突破,使得爱普生拓优科梦的晶体元器件已以23%的市场占有率位于业界第一.
那我们说说爱普生KHZ的产品工艺吧,爱普生KHZ产品分○有圆柱DIP和贴片SMD.KHZ中爱普生是以32.768KHZ最为出名的. 32.768K晶振是一款数字电路板都要使用到的重要部件,有人比喻为电卐路板的心跳发生器,也就是说心如果停止了跳动,那么电路板也将无法进行稳定的工作了.32.768K中爱普生C-002RX是一款受欢迎的圆柱音叉晶振,体积只有2*6mm.精工的VT-200-F,西铁城的CFS206,KDS的DT-26同体积◤同参数.因◤此说道的四款型号晶振都是可以相互替换使用的.只是有客户比较钟爱某个品牌,或者是上级有要求一定要用什么品牌的.C-002RX具⊙有的优点有
1,超小型、薄型、质地轻的音叉圆柱晶振,使焊□接更为方便简单.
2,具备优良的耐热性、耐环境特性
3,金属外壳的使用使得产品在封装时能发挥比陶瓷外壳更好的耐冲击性①.
爱普生除此C-002RX晶振,C-001也是工艺中比较常用到的音叉晶振,体积大概只有3*8mm.只是2*6体积稍微小一点,比较受广♀发消费者的爱戴.同此相比,当然也有比2*6更小的体◣积了,例如体积只有5*1.5mm的C-004R圆柱晶振,4.5*1.2mm的C-005R圆柱晶振.价格相对来说都是比较贵的.因为体积小就意味着占用空间小.
KHZ贴片系列,爱普生在这一系列上↓做的可是相当的卓越,将贴片晶振最小体积做到了2.05*1.25*0.35mm.在这之前最小的体积基本上就是3.2*1.5mm.爱普生的不断突破使其在市场上占有绝对的优势.只是这款贴片晶振价格是相当的昂贵.因为里面晶片磨的越小,就代表工艺越复杂.该贴片晶振具有的优点
1,高精度小型表面贴片型晶体谐振器
2,轻薄型不小型化为高端产品带来了更大的方便
3,可发挥优良的电气特性
4,金属外壳的使用使得产品在封装时能发挥比陶瓷外壳更好的耐冲击性.

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围ξ	f0	25MHZ~500MHZ	请联系我们以便获取其它可用☆频率的相关信息
电源电压	VCC	2.5 V Typ./ 3.3 V Typ	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.shubhamdrill.com
		H: -40℃to +105℃
		/
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6	/
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCCMax.	ST终端
	VIL	20 % VCCMax.
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25℃,初年度,第一年