SG2520VGN晶振,水晶振动子,耐撞击】晶振

爱普生晶振,SG2520VGN晶振,晶体振荡器

EPSON爱普生公司成立于1942年5月,总部位于日本长野县诹访市,是全球数一数二的晶振制造商,是数码映像领域的全球々领先企业.全称为爱普生拓优科梦（Epson Toyocom）将进一步究极用精↘微加工发挥“石英”材料的优越性能的“QMEMS”技术,创造出体积更小,更高性能或全新功能的电子元器件.爱普㊣生晶振在32.768KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得爱普『生拓优科梦的晶体元器件已以23%的市场占有率位于业界第一.主要产品系列:无源晶振,有源晶振,可编程晶振,SMD crystal,DIP crystal,石英☆晶体振荡器,温补晶振,压控石英水晶振荡子,VC-TCXO等等.独创QMEMS技术,生产出更小更高性能和全新功能︼的晶振产品.全球晶振产品市场占有率最大.可编程晶振能适应各种客户的↑独特需求.由于其制造工艺处于世界顶尖水平,价格也是相对于其他平牌要高.被广泛的应用于各类计量仪表,医疗电子设备,汽车电子和各类高端消费类电子产品.
2010年晶振全球厂♂家排名中,在占据首位.爱普生仅此一项水◢晶振动子行业就能足矣让电子世界的人都敬佩不已.爱普生晶振以32.768K晶振称霸晶振行业,主要消费在手机,PCB,等电子╱产品.同时爱普生以提供∞原子钟的精准振荡器◣知名业界.仅此在音叉振子和振荡器还达不到爱普〓生本身的要求.他们要求的是在元器件占领NO1.因此除了KHZ，MHZ的研究发展,另外还发明GHZ技术,使工∑艺技术达到人无完人,史前无例,实现以基波方式产生2.5GHZ为止高频的表面声波（SAW）元器件.

爱普生晶振,SG2520VGN晶振,晶体振荡器

爱普生KHZ产品分有贴片SMD和圆柱DIP。

KHZ中爱普生是以32.768KHZ最为出名的。32.768K晶振是一款数字电路板都要使用到的重要部件，有人比喻为电路●板的心跳发生器，也就是说心如果停止了跳动，那么电路板也将∏无法进行稳定的工作了。32.768K中爱普生C-002RX是一款受欢迎的圆柱音叉晶振，体积只有2*6mm。与日本KDS的DT-26同体积ξ同参数。

因此说道的四款型号晶振都是可以相互替〓换使用的。只是有客户比较钟爱某个品牌，或者是上级有要求一定要用什么品牌的。C-002RX具有的优点有

1，超小型、薄型、质地ξ　轻的音叉圆柱晶振，使焊接更为方便简单

2，具↓备优良的耐热性、耐环境特性

3，金属外壳的使用使得产品在封装时能发挥比陶瓷外壳更好的耐冲击性。

爱普生除此C-002RX晶振，C-001也是工艺中比较常用到的音叉晶振，体积大概只有3*8mm。只是2*6体积稍微小一点，比较受广发消费者▓的爱戴。同此相比，当然也有比2*6更小的体积了，例如体积只有5*1.5mm的C-004R圆柱晶振，4.5*1.2mm的C-005R圆柱晶振。价格相对》来说都是比较贵的。因为体积小就意味着占用空间小。

KHZ贴片系列，爱普生在这一系列上做Ψ 的可是相当的卓越，将贴片晶振最小体积做到了2.05*1.25*0.35mm。在这之前最小的体积基本上就是3.2*1.5mm。爱普生的不断突破使其在市场上占有绝对的优势。只是这款贴片晶振价格是相当的昂贵。因为里面晶片磨的越小，就代表工艺越复杂。

该贴片晶振具有的优点

1，高精度小型表面ζ贴片型石英晶体谐※振器

2, 轻薄型与小型化为高端产品带来了更大的方便

3，可发挥优良的电气特性

4，金属外壳的使用使得产品在封装时能发挥比陶瓷外壳更好的耐冲击性。

SG2520VGN

项目	符号	SG2520VGN.规格说明	条件
输出频率范围	f0	25MHZ~500MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	VCC	2.5 V Typ./ 3.3 V Typ	请联系我们以了解更多相关信△息
储存温度	T_stg	-55℃to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.shubhamdrill.com
		H: -40℃to +105℃
		/
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6	/
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.	/
输出电压	VOL	0.4 V Max.	/
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.	/
输入电压	VIH	80% VCCMax.	ST终端
输入电压	VIL	20 % VCCMax.	ST终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25℃,初年度,第一年