2520mm体积的石英晶体振ξ荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.

爱普生晶振,SG-8018CG晶振,进口有源晶振

EPSON爱普生公司成立于1942年5月,总部位于日本长野县诹访市,是全球数一数二的晶振制造商,是数码映像领域的全球领先企业.全称为爱普生拓优科梦（Epson Toyocom）将进一步究极用精微加工发挥“石英”材料的优越性能的“QMEMS”技术,创造出体积卐更小,更高性能或全新功能▽的电子元器件.爱普生晶振在32.768KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大↘突破,使得爱普生拓优科梦的晶★体元器件已以23%的市场占有◣率位于业界第一.主要产品系列:无源晶振,有源晶振,可编程晶振,SMD crystal,DIP crystal,石英晶体振荡器,温补晶振,压控石英水晶振荡子,VC-TCXO等等.独创QMEMS技术,生产出更小更高性能和全新功能的晶振产品.全球晶振产品市场占有率最大.可编程晶振能适应各◣种客户的独特需求.由于其Ψ 制造工艺处于世界顶尖水平,价格也是相对于其他平牌要高.被广泛的应用于各类计量仪表,医疗电子设↑备,汽车电子和各类高端消费类电子产品.
2010年晶振全球厂家排名中,在占据首位.爱普生仅此一项水晶振动子行业就能足矣让电子世界的人都敬佩不已.爱普生晶振∞以32.768K晶振称霸晶振行业,主要消费在手机,PCB,等电子产品.同时爱普生以提供原子钟的精准振荡器知名业界.仅此在音叉振子和振荡器还达不到爱普生本♀身的要求.他们要求的◆是在元器件占领NO1.因此除了KHZ，MHZ的研究发展,另外还↙发明GHZ技术,使工Ψ艺技术达到人无完人,史前无例,实现以基波方式产生2.5GHZ为止高频的表面声波（SAW）元器件.

爱普生晶振,SG-8018CG晶振,进口有源晶振

爱普生拓优科梦把半导体（IC）称之为“产业之米”,并认为晶体元器件更是离不开的“产业之盐”将进一步致力于小√型,高稳定,高精度晶体元器件的开发,为现㊣　有的应用程序以及生活新蓝图开拓广阔前景.爱普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得爱普生拓优科梦的晶体元器件已以23%的市场占有率位于业界第一.
那我们说说爱普生KHZ的产品工艺吧,爱普生KHZ产品分∞有圆柱DIP和贴片SMD.KHZ中爱普生是以32.768KHZ最为出名的. 32.768K晶振是一款数字电路板都要使用到的重要部件,有人比喻为电路板的心跳发生器,也就是说心№如果停止了跳动,那么电路板也将无法进行稳定的工作了.32.768K中爱普生C-002RX是一款受欢迎的圆柱音叉晶振Ψ,体积只有2*6mm.精工的VT-200-F,西铁城的CFS206,KDS的DT-26同体积同参数.因此∴说道的四款型号晶振都是可以相互替换使用的.只是有客户比较钟爱某个品牌,或者是上级有要求一定要用什么品牌的.C-002RX具有的优点有▓
1,超小型、薄型、质地轻的音叉圆柱晶振,使焊接更为方便简单.
2,具备优良的耐热性、耐环境特性
3,金属外壳的使用使得︾产品在封装时能发挥比陶瓷外壳更好的耐冲击性.
爱普生除此C-002RX晶振,C-001也是工艺中比较常用到的音叉晶振,体积大概只有3*8mm.只是2*6体积稍微☆小一点,比较受广发消费者的爱戴.同此相比,当然也有比2*6更小的体积了,例如ζ体积只有5*1.5mm的C-004R圆柱晶振,4.5*1.2mm的C-005R圆柱晶振.价格相对〖来说都是比较贵的.因为体积小就意味着占用空间小.
KHZ贴片系列,爱普生在这一系列上做的可是相当的卓越,将贴片晶振最小体积做到了2.05*1.25*0.35mm.在这之前最小的体积基本上就是3.2*1.5mm.爱普生的不断突破使其在市场上占有绝对的优势.只是这款贴片晶振价格是相当的昂贵.因为里面晶片磨的越小,就代表工艺越复』杂.该贴片晶振具有的优点
1,高精度小型表面贴片型晶体谐振器
2,轻薄型不小型化为高端产品带来了更大的方便
3,可发挥优良的电气特性
4,金属外壳的使用使得产※品在封装时能发挥比陶瓷外壳更好的耐冲击性.

项目		符号	规格说明				条件
电源电压		VCC	1.80 V Typ.		2.50 V Typ.	3.30 V Typ.
			1.62 to 1.98V	1.98 to 2.20V	2.20 to 2.80V	2.70 to 3.63V
输出频率范围		f0	0.67 MHz to 170 MHz
储存温度		T_stg	-40°C to +125°C				裸存
工作温度		T_use	H: -40°C to +105°C
频率稳定度 *1		f_tol	J: ±50 × 10-6				T_use= -40°C to +105°C
功耗		ICC	3.2mA Max.	3.3mA Max.	3.4mA Max.	3.5mA Max.	T_use=+105°C					无负载」条件 f0= 20 MHz
			2.7mA Typ.		2.9mA Typ.	3.0mA Typ.	T_use=+25°C
			5.5mA Max.	5.8mA Max.	6.7mA Max.	8.1mA Max.	T_use=+105°C					无负载条件 f0= 170 MHz
			4.7mA Typ.		5.7mA Typ.	6.8mA Typ.	T_use=+25°C
输出禁用电流		I_dis	3.2mA Max.	3.2mA Max.	3.3mA Max.	3.5mA Max.	OE=GND , f0= 170 MHz
待机电流		I_std	0.9μA Max.	1.0μA Max.	1.5μA Max.	2.5μA Max.	T_use=+105°C					ST = GND
			0.3μA Typ.	0.4μA Typ.	0.5μA Typ.	1.1μA Typ.	T_use= +25°C
占空比		SYM	45% to 55%				50% VCC级
输出电压 (DC特性)		VOH	90% VCCMin.				[mA]
							tr / tf				VCC		A	B	C	D
							默认 (f0>40MHz) 快速				IOH		-2.5	-3.5	-4.0	-5.0
											IOL		2.5	3.5	4.0	5.0
							默认 (f0≦40MHz)				IOH		-1.5	-2.0	-2.5	-3.0
		VOL	10% VCCMax.								IOL		1.5	2.0	2.5	3.0
							缓慢				IOH		-1.0	-1.5	-2.0	-2.5
											IOL		1.0	1.5	2.0	2.5
							A: 1.62 to 1.98 V , B: 1.98 to 2.20 V C: 2.20 to 2.80 V , D: 2.70 to 3.63 V
输出负载条件 (CMOS)		L_CMOS	15pF Max.
输入电压		VIH	70% VCCMin.				OE orST
		VIL	30% VCCMax.
上升/下降时间	默认	tr / tf	3.0 ns Max.				f0> 40MHz					20% VCCto 80% VCC级 L_CMOS=15pF
			6.0 ns Max.				f0≦ 40MHz
	快速		3.0 ns Max.				f0=0.67to170MHz
	缓慢		10.0 ns Max.				f0=0.67to20MHz
禁用时间		t_stp	1 μs Max.				从OE和ST引脚越过30%的VCC时测量
启用时间		t_sta	1 μs Max.				从OE引脚越过70%的VCC时测量
恢复时间		t_res	3 ms Max.				从ST引脚跨越70%VCC时测量
振荡器启动时间		t_str	3 ms Max.				从VCC达到其额定的最小值，1.62 V随时▆间测量
频率老化		f_aging	这包含在频率容差规范				+25°C, 10年