2520mm体积的石英晶体振荡︽器有源晶振,改产品︼可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电♀压的低电耗型,编带包装方式△》,可对应自动高◣速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.

爱普生晶振,SG-8101CGA晶振,低抖动晶振

爱普生株式会社EPSON晶振,爱普生拓优科〖梦,(EPSON—YOCOM)1942年成立时是精工集团的第三家手表制造公司,以石英手表起家的爱普生公司到后续的生产压电石英晶振, 晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器, 压控〒晶体振荡器（VCXO）、温补晶体振荡器（TCXO）。1996年2月在中国苏州投资建厂,在当时员工人数就达2000人,总投资4.055亿美元,公司占地200亩,现已经是世界500强企业.

日本精工爱普生晶振接受了中国苏州政府2007 年的』招商引资,命名为【爱普生拓优科梦水晶元器件(苏州)有限公司】爱普生拓优科梦(Epson Toyocom)是精工爱普生株式会社与爱普生晶振(中国)有限公司共同投资成立的有限〓责任公司(外商合资).

爱普生晶振公司已经建立了一个原始的垂直整合制造模型的最佳手︽段持续为客户创造新的价值,并决定使用这个模型来驱动前面提到的四个关键领域的创♂新.这意味着从头开∏始创建产品:创建我们自己的独特的核心技术和设备,使用这些作为基地的规划和设计提供独特价值的产品,生产或制造的▲艺术和科学,我们积累了多年的专业ぷ知识,然后生产◣晶振,石英晶振,有源晶振,贴片晶振,压控振荡器, 32.768K钟表晶振,温补晶振,石英晶体︽振荡器,压控石英水晶振荡子,等出↓售给我们的客户.

爱普生晶振公司加强人力资∩源的全功能,技术,生产,销售和支持和◣环境问题,利用信息技术,推进我们的原始制造模式寻求实现我们的愿景.视野№下就像我提到的,我们的目标是使用我们的技术来创建一个新的连接人的☆时代,事物和信息,这样我相信我们可以成为不可或缺的公司为我们◣的客户和社会.

爱普生晶振,SG-8101CGA晶振,低抖动晶振

爱普生KHZ产品分◇有贴片SMD和圆柱DIP。

KHZ中爱普生是以32.768KHZ最为出名↑的。32.768K晶振是一款数字电路板都要使用到的重要部件，有人比喻为电路板的心跳发生器，也就是说心如果停止了跳动，那么电路板也将⌒无法进行稳定的工作了。32.768K中爱普生C-002RX是一款受欢迎△的圆柱音叉晶▽振，体积只有2*6mm。与日本KDS的DT-26同体积同参数。

因此Ψ 说道的四款型号晶振都是可以相互替换使●用的。只是有客户比较钟爱某个品牌，或者是上级有要求一定要用什么品牌的。C-002RX具有的优点有

1，超小型、薄型、质地轻的音叉圆柱晶振，使焊接更¤为方便简单

2，具备优良＠的耐热性、耐环◥境特性

3，金属外壳的使用使得产品在封装时能发挥比陶瓷外壳更好∞的耐冲击性。

爱普生除此C-002RX晶振，C-001也是工艺中◥比较常用到的音叉晶振，体积大概只有3*8mm。只是2*6体积稍微小一点，比较受广发消费者的爱戴。同此相比，当然也有比▓2*6更◥小的体积了，例◥如体积只有5*1.5mm的C-004R圆柱晶振，4.5*1.2mm的C-005R圆柱晶振。价格相对来说都是比较贵的。因为体积Ψ小就意味着占用空间小。

KHZ贴片系列，爱普生在这一系列上做的可是相当的卓越，将贴片晶振最小体积做≡到了2.05*1.25*0.35mm。在这之前最小的体积基本上就是3.2*1.5mm。爱普生的不断突破使其在市场上占有绝对的优势。只是这款〖贴片晶振价格是相当的昂贵。因为里面晶片磨的越小，就代表工艺》越复杂。

该贴片晶振具有的优点

1，高精度小型表面贴片型石英晶体※谐振器

2,轻薄型与小型化为高端产品带来了更大№的方便

3，可发挥优良的电气特性

4，金属外壳的使用使得产品在封装时能发挥比陶瓷外壳更好的耐冲击性

项目		符号	规格说明				条件
电源电压		VCC	1.80 V Typ.		2.50 V Typ.	3.30 V Typ.
			1.62 to 1.98V	1.98 to 2.20V	2.20 to 2.80V	2.70 to 3.63 V
输出╳频率范围		f0	0.67 MHz to 170 MHz
储存温度		T_stg	-40°C to +125°C				裸存
工作温度		T_use	G: -40°C to +85°C
			H: -40°C to +105°C
			J: -40°C to +125°C
频率稳定度 *1		f_tol	B: ±15 × 10-6				T_use= -40°C to +85°C
			C: ±20 × 10-6				T_use= -40°C to +105°C
			J: ±50 × 10-6				T_use= -40°C to +125°C
			L: ±100 × 10-6				T_use= -40°C to +125°C
功耗		ICC	3.3mA Max.	3.4mA Max.	3.5mA Max.	3.6mA Max.	T_use= +125°C					无负ξ载条件 f0= 20 MHz
			3.2mA Max.	3.3mA Max.	3.4mA Max.	3.5mA Max.	T_use= +105°C
			2.7mA Typ.		2.9mA Typ.	3.0mA Typ.	T_use= +25°C
			5.6mA Max.	5.9mA Max.	6.8mA Max.	8.2mA Max.	T_use= +125°C					无负载条件 f0= 170 MHz
			5.5mA Max.	5.8mA Max.	6.7mA Max.	8.1mA Max.	T_use= +105°C
			4.7mA Typ.		5.7mA Typ.	6.8mA Typ.	T_use= +25°C
输出禁ω用电流		I_dis	3.3mA Max.	3.4mA Max.	3.4mA Max.	3.6mA Max.	T_use= +125°C					OE=GND , f0= 170 MHz
			3.2mA Max.	3.3mA Max.	3.3mA Max.	3.5mA Max.	T_use= +105°C
待机电流		I_std	2.3μA Max.	2.5μA Max.	3.0μA Max.	4.2μA Max.	T_use= +125°C					ST = GND
			0.9μA Max.	1.0μA Max.	1.5μA Max.	2.5μA Max.	T_use= +105°C
			0.3μA Typ.	0.4μA Typ.	0.5μA Typ.	1.1μA Typ.	T_use= +25°C
占空比		SYM	45% to 55%				50% VCC级
输出电压 (DC特性)		VOH	90% VCCMin.				IOH/IOLConditions [mA]
							tr / tf				Vcc		A	B	C	D
							默认 (f0>40MHz) 快速				IOH		-2.5	-3.5	-4.0	-5.0
											IOL		2.5	3.5	4.0	5.0
							默认 (f0≦40MHz)				IOH		-1.5	-2.0	-2.5	-3.0
		VOL	10% VCCMax.								IOL		1.5	2.0	2.5	3.0
							缓慢				IOH		-1.0	-1.5	-2.0	-2.5
											IOL		1.0	1.5	2.0	2.5
							A: 1.62 to 1.98 V , B: 1.98 to 2.20 V C: 2.20 to 2.80 V , D: 2.70 to 3.63 V
输出负载条件 (CMOS)		L_CMOS	15pF Max.
输入电压		VIH	70% VCCMin.				OE orST
		VIL	30% VCCMax.
上升/下降时间	默认	tr / tf	3.0 ns Max.				f0> 40MHz					20% VCCto 80% VCC级 L_CMOS=15pF
			6.0 ns Max.				f0≦ 40MHz
	快速		3.0 ns Max.				f0=0.67to170MHz
	缓慢		10.0 ns Max.				f0=0.67to20MHz
禁用时间		t_stp	1 μs Max.				从OE和ST引脚越过30％的Vcc时测量
启用时间		t_sta	1 μs Max.				从OE引脚越过70％的Vcc时测量
恢复时间		t_res	3 ms Max.				从ST引脚跨越70％Vcc时测量
振荡器启动时♂间		t_str	3 ms Max.				从Vcc达到其额定的最小值，1.62 V随时间测量
频率老化		f_aging	这包含在频率容差规范				+25°C, 第一年