小型贴片石英晶振主要采用了，先进的晶片↘的抛光工艺技术，是¤晶体行业中石英晶片研磨技术中表面处理的最高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，大大的降低谐振电阻，使精度得Ψ 到了很大的提升。改变了传Ψ 统的生产工艺♀，使产品在各项参数得到了很大的改良,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器▃,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.

爱普生晶振,SG2520VHN晶振,小体积贴片晶振

EPSON爱普生公司成立于1942年5月,总部位于日≡本长野县诹访市,是全球数一数二的晶振制造商,是数码映像领域的全球领先企业.全称为爱普生ζ　拓优科梦（Epson Toyocom）将进一步究极用精微加工发挥“石英”材料的优越性能的★“QMEMS”技术,创造出体积更小,更高性能或全新功能的电子元器件.爱普生晶振在32.768KHZ,MHZ,以及GHZ上都有◇重大突破,使得爱普生拓优科梦的晶体元器↓件已以23%的市场占有率位于业界第一.主要产品系列:无源晶振,有源晶振,可编程晶振,SMD crystal,DIP crystal,石英晶体振荡╳器,温补晶振,压控石〖英水晶振荡子,VC-TCXO等等.独创QMEMS技术,生产出更小更高性能和全新功能的晶振产品.全球晶振产品市场占有率最大.可编程晶振能适应∩各种客户的独特需求.由于其制造工艺处于世界顶尖水平,价格也是相对于其♂他平牌要高.被广泛的应用于各类计量仪表,医疗电子设备,汽车电子和各类高端消费类电子产品.
2010年晶振★全球厂家排名中,在占据首位.爱普生仅此一项水晶振动子行业就能足矣让电子世界的人都敬佩不已.爱普◣生晶振以32.768K晶振称霸晶振行业,主要消费在手机,PCB,等电子产品.同时爱普生以提供原子钟的精准振荡器知名业界.仅此在音叉振子和振荡器还达↘不到爱普生本身的要求.他们要求的是在元器件占领NO1.因此除了KHZ，MHZ的研究发展,另外还发明GHZ技术,使工艺技术达到人无完人,史前无例,实现※以基波方式产生2.5GHZ为止高频的表面声波（SAW）元器件.

爱普生晶振,SG2520VHN晶振,小体积贴片晶振

爱普生株●式会社EPSON晶振通过追求以QMEMS 技术为核心的“省、小、精”技术,来推动具有领先性的环保活动,把降低 环境＠负荷作为一种顾客价值提供给顾客。

创造并提供专研了“省、小、精”的32.768K钟表晶振,温补晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡¤器等水晶元器件及其关联产品；并且构筑和革新既可以降低 环境负荷又可以提高生产性的生产流ξ　程的活动。

爱普生株式会↙社EPSON晶振不仅遵守与环保相关的法规、条例及其他本公司赞同的要求事项,也根据需要自主性的制定基准,通过持续性的展开环保活动来预防污染。

在设定环保目□的与目标展开活动的同时,定期重审环境管理体系,努力提高环保活动的水平。

爱普生株式会社EPSON晶振通过与地区的交流及社会贡献活动，为地区的环保做贡献。

将环保活动的信息向公司内外公开，积极努力的与地区社会及相关人员建立信赖关系，为社会的》发展做出贡献。

通过此方针的公文化◣，在向公司员工及从事本事业领域业务的所有相关人员彻底传达的同时，也向公司外部公开。

爱普生晶振集团将建↑立可行的技术及经济▅性环境目标，并确保其环境保护活动的质量。

爱普生晶振集团公司将关注所有环境适用的法律、法规和协议的遵守情╱况。另外为更有『效的进行环境保护，将建立自己的特有的环境标准。

精工爱普生晶振集团将在各领域内的商务运作中实施持续改进，包括能⌒　源资源的保持，回收再利用以及减少废弃物→等。

EPSON晶振尽可能的采用无害的原材料和生产技术，避免有害物质的产生，比如消耗臭氧层物☆质、温室气体及其』它污染物。集团公司同时将致力于这些物质▼的收集∮和回收，最小化有害原料的使用。

根据需要，提高环境技术、材料和产品的发展信息及环境ㄨ管理活动︽的公开性。

爱普生晶振公司的目标是保证产品继续满足客户要求的同时对环境的影响降到最小，在生产过程中不断♀节约能源和资源，努力实现环境管理体◥系与环境行为持续改进。

承诺保护环境，重视员工、客户和公众的健康和安全。我们从事任何活▲动，都要以注重安全和环保方式，并考虑到ぷ生态系统的复杂性和相关性。

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f0	25MHZ~500MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	VCC	2.5 V Typ./ 3.3 V Typ	请联系我们以了解更多相╲关信息
储存温度	T_stg	-55℃to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.shubhamdrill.com
		H: -40℃to +105℃
		/
频率∩稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6	/
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工〓作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCCMax.	ST终端
	VIL	20 % VCCMax.
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时◤间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25℃,初年度,第一年