ILSI晶振,32.768K晶振,IL3W压电石英晶体.智能手机晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英晶体振荡〓器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信∑ 领域.比如智能█手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具▼有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
ILSI America成立于1987年,其使命是成为¤世界级的ILSI晶振供应商.频率控制产品.通过有机增长和战略收▲购,美国ILSI 现在是广泛设计,制造和供应的全球领导者,涵盖四个品♀牌的组件:ILSI,MMD,Ecliptek和Oscilent.美国ILSI满足广泛的要求】,满足OEM和CEM的严格标准.通过以下产品在许多垂直市场的客户:压电石英晶体,晶体振荡器,MEMS振荡器,TCXO,VCXO,OCXO,滤波器♀和谐振器.
石英晶振曲率半径加工技术:石英晶振晶片在球筒倒边加工时应用到∮的加工技术,主要是研究满足不同曲率半径石英无源晶振晶片设计可使用的方法.如:1、是指球面加工曲率半径的工艺设计(a、球面的余弦磨ㄨ量;b、球面的均匀磨量;c、球面加工曲率半径的配∮合)2、在加工时球面测量标准的设计原则(曲率半径公式的计算)
ILSI晶振 |
单位 |
IL3W晶振 |
石英晶振基本条№件 |
标准频率 |
f_nom |
32.768KHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40℃~+85℃ |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推荐:10μW |
频率公差 |
f_— l |
±20ppm |
+25°C对于■超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.shubhamdrill.com/
|
频率温度特征 |
f_tem |
30 × 10-6,±50 × 10-6 |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
7.0pF 9.0pF 12.5pF |
不同负载要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图』通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指@ 明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).
晶体振荡器◎和实时时钟模块
所有石∏英晶体振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供.
存储事项
(1)在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存进口高精度石英晶振产品时,会影响频率稳定性或焊接性.请在正常温度@和湿度环境下保存这些晶体产品,并在开封后尽可能≡进行安装,以◢免长期储藏.正常温度和湿度:温度:+15°C至+35°C,湿度25%RH至85%RH(请参阅“测试点JISC60068-1/IEC60068-1的标准条件”章节内容).
(2)请仔细处理内外盒与卷带.外部压力会导致卷带受到损坏.
耐焊性
加热包▲装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害谐振器♀.如需在+150°C以上焊接晶体产品,建议使用SMD晶体.在▂下列回流条件下,对晶体产品≡甚至1.6x1.0晶振使用更高温度,会破坏产品特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些产品之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条〇件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶体产品在下列配置条件下进◥行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.
自动安装时的冲击
自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些进口晶↓体振荡器.请设置安装条件以尽◆可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对产品特性产生影响.条件改变时,请重新检查安装条件.同时,在安装前后,请确保石♀英32.768K晶振未撞击机器或其他电路板等.