ACT晶振,压电石英晶体,2016-SMX-4晶振.小型贴片石英进口晶振,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及▆Bluetooth,WirelessLAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
自1986年以来,ACT晶振以前的高级晶体技术 - 已发展成为高性能频率控制产品的领先设计合作伙伴.我们与Esterline研究和设计╱(ERD)的合作使我们能够突破进口石英晶振技术的ω 界限.这些突破性产品为TCXO和OCXO设立了新♂标准,创造了当今市场上性能最高,最精确◆的振荡器技术.各种标准频率产品我们还拥有强大的频率控制产品组合,包括晶体,时钟『振荡器,TCXO和滤波器.
石英晶振高精度晶片的抛光技术:贴片耐高︽温晶振是目前晶︾片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电卐阻,提高Q值.从而达到一般研磨所达不到≡的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工〓作.使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的█状态.
ACT晶振 |
单位 |
2016-SMX-4晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
16.000MHz~62.500MHz |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-55℃~+125℃ |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-20℃~+70℃
-30℃~+85℃
-40℃~+85℃
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标准温度 |
激励功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推荐:10μW |
频率公差 |
f_— l |
±10ppm~±50ppm |
+25°C对于超出标准的规格←说明,
请联系╲我们以便获取相关的信息,http://www.shubhamdrill.com/
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频率温△度特征 |
f_tem |
30 × 10-6,±50 × 10-6 |
超出标准的规●格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
6pF~16pF |
不同负载要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
引线类型产品
当引线←弯折、成型以〒及贴装到印制电路板时,请注意避免对基座玻璃部分施加压力.否则有可能导致玻璃出现裂痕,从【而引起性能劣化.
装载SMD产品
SMD晶ξ 体产品支持自动贴装,但还是请预先基于所使用的搭载机实施搭载测试,确认其对特性没有影响.在切↓断工序等会导致基板发生翘曲的工序中,请注意避免翘曲影响到产品的特性以及软焊.基于超声波焊接的贴装以◆及加工会使得贴片晶体产品(谐振器、振荡器、声表面滤波器)内部传播过大√的振动,有可能导致特性老化以及引起不振荡,因此不推荐↘使用.
晶体谐振器
如果过大的激励电力对石英晶体谐振器外加电压,有可能导致◥特性老化或损坏,因此请Ψ 在宣传册、规格书中规定的范围内使用.
晶体振荡⌒器
晶体振荡■器的内部电路使用C-MOS.闭锁、静▃电对策请和一般的C-MOSIC一样考虑.
有些石英晶◥体振荡器没有和旁路电容器进行内部连接.使用时,请在Vdd-GND之间用0.01μF左右的高频特性较好的电容①器(陶ㄨ瓷片状电容器等)以短距离连接.关于个别机型请确认宣传册∞、规格书.
晶体滤波器
注意电路板图形的配】置,避免输入端子和输出端子靠得太近.
如果贴装2016晶振晶体滤光片的电路板的杂散电容较大,为了消除该杂散电容,有时需要配置◎调谐电路.