FWQ晶振,汽车电子▃晶振,无铅环保晶振

百利通亚▆陶晶振,高质量石英晶振,FWQ晶振.普通贴片石英晶振外观使用金属材料封装的,具〇有高稳定性∞,高可靠性的石英晶◣体谐振器,晶振外观本身使用金属封装,充分的密封性能,可确保其高卐可靠性,采用编带包装,外包装采用朔胶盘,可在自动贴片机上对应自动贴装等优势.

Double Data Rate (DDR) 同步动态随机存取内存是用于计算机的内存↓等级. Diodes 可为高可用性通讯与网络设备（包括↙服务器、RAID 储存装置、工作站与删除重复数据设备）以及医疗装置与其他嵌入式系统的 DDR3、DDR2 和 DDR1 SRAM 提供频率及切换组件.Diodes 公司总部⌒及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计、营销与工程中心位于普拉诺、米尔皮塔斯、台湾台北；台湾桃园√市、台湾竹北市、英国曼彻斯特及德国纽豪㊣　斯 (Neuhaus).Diodes 亚陶晶振的晶圆生产设施位于密苏里州堪萨斯市及曼彻斯特,另外在中国上∮海亦设有一座生产设施.Diodes 在中国上海、济南、成都、扬州,以及香港、纽豪斯及台北设有组装与测试↓设施.另外在多个据点设有工程、销售、仓储及物流办公室,包括台北、香港、曼彻斯特、中国上海、深圳、南韩城南市以及德国慕尼黑,并于世界各地设∞有支持办公室.

石英晶振产品电极的设计:石英晶振产品的电极①对于石英晶体元器件来讲作用是1.改变频率;2.往外界引出电极;3.改变电阻;4.抑制杂波.第1、2、3项相对简单,第4项的设计◥很关键,电极☉的形状、尺寸、厚度以及电极的种类(如金、银等)都会导致第4项的变化.特别是随着SMD晶振的晶Ψ片尺寸的缩小对于晶片电极设计的形状及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等↑对晶振产品的影响的程度增大,故对电极的设计提出了更精准的要求.

百利通㊣　亚陶晶振

单位

FWQ晶振

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

16.000MHz~66.000MHz

标准频率

储存温度

T_stg

-55℃~+125℃

裸存

工作温度

T_use

-20℃~+70℃

-40℃~+85℃

-40℃~+105℃

-40℃~+125℃

标准温度

激励功率

DL

1.0μW Max.

推荐:10μW

频率公差

f_— l

±10ppm~±50ppm

+25°C对于超出标准的规格▓说明,

请联系我们以便获取相关的信息,http://www.shubhamdrill.com/

频率温度特征

f_tem

30 × 10-6，±50 × 10-6

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

7pF~32pF

不同负载要∩求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所卐示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

频率老化

f_age

±3× 10-6/year Max.

+25°C,第一年

FWQ 2016

如何正确的使用有源晶振

电处理:

将电源连接到有源晶振指定的终端,确定正确的极性这目录所示.注意电源的正负电极逆转或者连接到一个☆终端以,以为外的指定一个产品部分内的石英晶振,假如损坏那将不会工作.此外如果外接电源电压高于晶振的规ζ定电压值,就很可能会导致石英晶振产品损坏.所以外接电压很重要,一定要确保使用正确的额定电压的振荡,但如果电压低于额定的电压值部分产品将会不起振,或者起不到最佳精度.

有ω　源晶振的负载电容与阻抗

负载电容与阻抗2016晶振设置一个规定的负载阻抗值.当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满▃足时,指定的值这可能会导致问题例如：失↓真的输出波形.特别是设置电抗,根据规范的负载阻抗.输出频率和输出电平,当测量输出频率或输出水平,晶⊙体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻抗晶○体振荡器.当输入阻抗的测量仪器,不同的负载阻抗的晶体振ω荡器,测量输出频率或输出水平高,阻抗阻抗」测量可以忽略.

机械处理

当有源晶振发生外置撞击时,任何石英晶体振荡器在遭到外部撞击时,或者产品不小心跌落时,强烈的外置撞击都将会导致晶振损坏,或者频率不稳定现象.不执行任何▆强烈的冲击石英晶体振荡器.如果一个强大的冲击已经给振荡器确保在使用前检查其特点.

自动安装时的冲击:

石英晶振︽自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些△产品.请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对高质量石英晶振特性产生影响.条件改变时,请重新检查安装条№件.同时,在安装前后,请确保石英晶振产品未撞击机器或其他电路板等.

粘合剂

请勿使用可能导致石英无源晶振所用的封◆装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘☆剂.（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.

内容标题33

深圳市康华尔电子有限公司

首页百利通〖亚陶晶振

百利通■亚陶晶振,高质量〓石英晶振,FWQ晶振

产品简介

产品详情

百利通㊣　亚陶晶振	单位	FWQ晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	16.000MHz~66.000MHz	标准频率
储存温度	T_stg	-55℃~+125℃	裸存
工作温度	T_use	-20℃~+70℃ -40℃~+85℃ -40℃~+105℃ -40℃~+125℃	标准温度
激励功率	DL	1.0μW Max.	推荐:10μW
频率公差	f_— l	±10ppm~±50ppm	+25°C对于超出标准的规格▓说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.shubhamdrill.com/
频率温度特征	f_tem	30 × 10-6，±50 × 10-6	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	7pF~32pF	不同负载要∩求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所卐示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

内容标题33

首页 百利通〖亚陶晶振

百利通■亚陶晶振,高质量〓石英晶振,FWQ晶振

产品简介

产品详情

热点推荐

网友热评

首页百利通〖亚陶晶振