UW晶振,低功耗晶振,台产贴片晶振

百利通亚陶晶振,智能家居晶振,UW压电晶体.贴片石英晶振最适合用于车载电子领域的小型表面贴片石英晶体谐振器.也可对应有高可靠性要求的引擎控制用CPU的时钟部分简称为时钟晶体振荡器,在极端严酷□　的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

石英晶振真空退火技术:晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷.在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计、营销与工程中心位于普拉诺、米尔皮塔斯、台湾台北；台湾桃园市、台湾竹北市、英国曼彻斯特及德国纽豪斯 (Neuhaus).Diodes 的晶圆生产设施位于密苏里州堪萨斯市及曼彻斯特,另外在中国上海亦设有一座生产设施.Diodes 在中国上海、济南、成都、扬州,以及香港、纽豪斯及台北设有组装与测试设施.另外在多个据点设有工程、销售、仓储及物流办公室,包括台北、香港、曼彻斯特、中国上海、深圳、南韩城南市以及德国慕尼黑,并于世界各地设有支持办公室.该公司生产设施已达到 QS-9000、ISO-9001:2008、TS16949:2002 及 ISO 14001 认证的品质奖.Diodes 百利通亚陶晶振公司目前拥有 C-TPAT 认证.

百利通亚陶晶振

单位

UW晶振

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

26.000MHz~66.000MHz

标准频率

储存温度

T_stg

-40℃~+85℃

裸存

工作温度

T_use

-20℃~+70℃

-30℃~+85℃

标准温度

激励功率

DL

1.0μW Max.

推荐:10μW

频率公差

f_— l

±10ppm~±50ppm

+25°C对于超出标准的规格说明,

请联系我们以便获取相关的信息,http://www.shubhamdrill.com/

频率温度特征

f_tem

30 × 10-6，±50 × 10-6

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

8pF~20pF

不同负载要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

频率老化

f_age

±3× 10-6/year Max.

+25°C,第一年

UW 2016

自动安装时的冲击:

石英晶振自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些产品.请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对高质量石英晶振特性产生影响.条件改变时,请重新检查安装条件.同时,在安装前后,请确保石英晶振产品未撞击机器或其他电路板等.

粘合剂

请勿使用可能导致2016晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.

如何正确的使用有源晶振

电处理:

将电源连接到有源晶振指定的终端,确定正确的极性这目录所示.注意电源的正负电极逆转或者连接到一个终≡端以,以为外的指定一个产品部分内的石英晶振,假如损坏那将不会工作.此外如果外接电源电压高于晶振的规定电压值,就很可能会导致石英晶振产品损坏.所以外接电压▲很重要,一定要确保使用正确的额定电压的振荡,但如果电压低于额定的电压值部分产品将会不起振,或者起不到最佳精度.

有源晶振的负载电容与阻抗

负载电容与阻抗环保晶振设置一个规定的负↑载阻抗值.当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形.特别是设置电抗,根据规范的负载阻抗.输出频率和输出电平,当测量输出频率或输出水平,晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻抗晶体振荡器.当输入阻抗的测量仪器,不同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出水平高,阻抗阻抗测量可以忽略.

机械处理

当有源晶振发生外置撞击时,任何石英晶体振荡器在遭到外部撞击时,或者产品不小心跌落时,强烈的外置撞击都将会导致晶振损坏,或者频率不稳定现象.不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器.如果一个强大的冲击已经给振荡器确保在使用前检查其特点.

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深圳市康华尔电子有限公司

首页百利》通亚陶晶振

百利通亚陶晶振,智能家◎居晶振,UW压电晶体

产品简介

产品详情

百利通亚陶晶振	单位	UW晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	26.000MHz~66.000MHz	标准频率
储存温度	T_stg	-40℃~+85℃	裸存
工作温度	T_use	-20℃~+70℃ -30℃~+85℃	标准温度
激励功率	DL	1.0μW Max.	推荐:10μW
频率公差	f_— l	±10ppm~±50ppm	+25°C对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.shubhamdrill.com/
频率温度特征	f_tem	30 × 10-6，±50 × 10-6	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF~20pF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

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