有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现卐与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自々动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

微晶晶振,压控晶体振荡器,VCXO2E晶振.贴片式石英晶体振荡〖器,低¤电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本△,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET发射基ㄨ站等领域.符合RoHS/无铅.

而今,微晶已经发展成为一家在微型音叉式石英晶体(32kHz ~ 250MHz)、实时时钟模块、低电流电压晶振←和OCXO等多个领域的领导供货商,为世界一流的终端产品制造商提供从设计到量产的全【方位支持,服务范围涵＠ 盖手机、计算机、汽车电子、手表、工业控制、植入式医疗及其他高可靠性产→品.

有源晶振高频振∏荡器使用IC与晶片设计匹配技术:有源晶振是高频振荡器研发及生产过程必须要解决↓的技术难题.在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外,还有石英晶〇体振荡器的电极设计等其它√的特殊性,必须考虑石英晶︻体振荡器的供应『电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数.

微晶晶振	VCXO2E晶振
输出类型	HC-MOS compatible
输出负载	3pF、47pF
振荡模式	基本/第三泛音
电源电压	0~+3.3V
频率范围	5.00MHz~40.00MHz
频率稳定度	±30ppm ±50ppm ±90ppm ±110ppm ±130ppm
工作温度	-40℃~+85℃ -55℃~+125℃ -10℃~+150℃ -10℃~+175℃ -10℃~+210℃
保存温度	-65℃~+125℃
电压卷（最大值）/ VOH（最小值）	0.1 VDD / 0.9 VDD
启动时间	5 ms Max
相位抖动（12兆赫~20兆赫）	1个PS最大
老化率	±3 ppm /年最大

电源线路

电源的◥线路阻抗应尽可能低.

输出负载

建议将输出负载安装在尽可能靠近石英晶体振＠荡器的地方(在20mm范围之间).

未用输入终端的处理

未用针脚◥可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开∮时,电源功率消耗也会增加；因此,请将未用输入终端连接到VCC或GND.

激励功率

在晶体单元上施加过多驱ㄨ动力,会导致石英低损耗晶振特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率(请参阅“激励功率”章节内容).

负极电阻

除非振荡回路中♂分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容)

负载电容

振荡电路中负载◥电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用⊙之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).

晶体振荡器和实时时钟模块

所有石英晶体压控控制振荡器和实〗时时钟模块都以IC形式提供.

噪音

在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导〒致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象.