百利通亚陶晶●振,高精密石英晶振,FYQ晶体.石英晶振的切割设计:用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位→(角度)的切割称为石英晶㊣ 片的切型.不同切型的石英晶片▂,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同,其电特性也各异,石英晶振ω 目前主要使用的有AT切、BT切.其它切型】还有CT、DT、GT、NT等.
石英晶△振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一.石英晶振该选々用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀＠ 膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等).使用此镀膜方法使镀膜后︾的SMD晶振附着力增强,贴片晶♀振频率更加集中,能控制在最小〗【ppm之内.
Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔¤斯 (Milpitas).设计、营销与工程中心位于普拉□诺、米尔皮塔斯、台湾台北；台湾桃园市、台湾︻竹北市、英国曼彻斯特及德国纽豪斯 (Neuhaus).Diodes 的晶圆生产设施位于密苏里州堪萨斯市及曼彻斯特,另外在中国上海亦设有一座生产设施.Diodes 百利通亚陶」晶振在中国上海、济南、成都、扬州,以及香港、纽豪斯及台北设有组装与测试设施.另外在多个据点设有工程、销售、仓储及物流办公室,包括台北、香港、曼彻斯特、中国上海、深圳、南韩城※南市以及德国慕尼黑,并于世界各地设有支持办公室.
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百利▓通亚陶晶振 |
单位 |
FYQ晶振 |
石英晶振基本条件 |
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标准频率 |
f_nom |
8.000MHz~125.000MHz |
标准频率 |
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储存温度 |
T_stg |
-55℃~+125℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-20℃~+70℃ -40℃~+85℃ |
标准温度 |
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激励功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推荐:10μW |
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频率公差 |
f_— l |
±10ppm~±50ppm |
+25°C对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的▅信息,http://www.shubhamdrill.com/
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频率温度特征 |
f_tem |
30 × 10-6，±50 × 10-6 |
超出标准的规▲格请联系我们. |
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负载电容 |
CL |
8pF~32pF |
不同■负载要求,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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频率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
有源晶振的负载』电容与阻抗
负载电容与阻抗无源晶振设置一个规定的负载阻①抗值.当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出♂电平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形.特别是设№置电抗,根据规范的负载阻抗.输出▓频率和输出电平,当测量输出频率或输出水平,晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻抗晶体振荡器.当输入阻抗的测量仪器,不同的负载阻○抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出水平高,阻抗阻抗测量可以↘忽略.
机械处理
当有源晶振发生外置撞击时,任何石英晶体◥振荡器在遭到外部撞击时,或者产品◥不小心跌落时,强烈的外置撞击都将会导致晶振损坏,或者频率不稳定〓现象.不执行〗任何强烈的冲击石英晶体¤振荡器.如果一个强大的冲击已经给振荡器确保在使用前检查其特点.
自动安装时的冲击:
石英晶振自动◥安装和真空化引发的冲々击会破坏产品特性并影响这些产品.请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在◢安装前未对高质量石英晶振特性产生影响.条件改变◤时,请重新检查安装条件.同时,在↑安装前后,请确保石英晶振产品未撞■击机器或其他电路板等.
粘合剂
请勿使用可能导致高精度石英晶振所用的封装◥材料∩,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积ㄨ材料等受到腐∞蚀的胶粘剂.（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.
如何正确的使用有源晶振
电处理:
将电源连接←到有源晶振指定的终端,确定正确的极性这☆目录所示.注意电源的正〇负电极逆转或者连接到一个终端以,以为外的指定一个产品部分内的石英晶振,假如损坏那将不会工作.此外如果外接电源电压高于晶振的规定电◆压值→,就很可能会导致石英晶振产品损坏.所以外接电压很重要,一定要确保使用正确的额定电压的振荡,但如果电压低于额定的电压值部分产品将会不起↓振,或者起不到最佳精度.
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