百利◥通亚陶晶振,低功耗晶振,NX50SA有源振荡器.5032mm体积的石英晶╳体振荡器有源晶振』,改产品可∏驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊▓接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线︻发射基站.
有源晶振高频振▽荡器使用IC与晶片∑设计匹配技术:有源OSC晶振是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题.在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有≡的电性外,还有石▲英晶体振荡器的电极设计等其它的特〓殊性,必须考虑石英晶体々振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数.
Diodes 公司总部◥及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔↑斯 (Milpitas).设计、营销与工程中心位于普拉诺、米尔皮塔斯、台湾台北；台湾桃园▂市、台湾竹々北市、英国曼↑彻斯特及德国纽豪斯 (Neuhaus).Diodes台湾贴片晶振的晶圆生产设施位于密苏里州堪萨斯市及曼彻斯特,另外在中国上∩海亦设有一座生产设施.Diodes 在中国上海、济南、成都、扬州,以及香港、纽豪斯及台北设有☆组装与测试设施.另外在多个据点设有工程、销售、仓储及物流办公室,包括台北、香港、曼彻斯特、中国上海、深圳、南韩城南市以＠ 及德国慕尼黑,并于世界各地设有支持办公室.
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百利通↓亚陶晶振 |
NX50SA晶振 |
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输出类型 |
CMOS |
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输出负载 |
15pF |
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振荡模式 |
基本/第三泛音 |
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电源电压 |
+2.5V，+3.3V |
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频率范围 |
5.000MHz~250.000MHz |
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频率稳定☆度 |
±20ppm，±50ppm |
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工作温度 |
-40℃~+85℃ |
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保存温度 |
-55℃~+125℃ |
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电压卷（最大值）/ VOH（最小值） |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
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启动时间 |
5 ms Max |
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相位抖动（12兆赫~20兆赫） |
1个PS最大 |
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老化率 |
±3 ppm /年最大 |
存储事项
(1)在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存进口贴片5032晶振产品时,会影响频率稳定性或焊︼接性.请在正常温度和◆湿度环境下保存这些晶体产品,并在⌒开封后尽可能进行安装,以免长期储藏.
正常温度和湿度:温度:+15°C至+35°C,湿度25%RH至85%RH(请参阅“测试点JISC60068-1/IEC60068-1的︻标准条件”章节内容).
(2)请仔细处理内外盒与√卷带.外部压∑力会导致卷带受到损坏.
自动安装时的冲击
自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些进口晶体振荡器.请设置安装条◢件以尽可能将冲击降至低,并确√保在安装前未对产品特性产生影响.条件改变★时,请重新检查安装条件.同时,在安装前后,请确保石英晶振未撞击机●器或其他电路板等.
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致低功耗晶振特性受到损害或●破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率(请参阅“激励功率”章节内容).
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容).
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设々计频率之间产生偏差.试图通ζ 过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).
机械处理
当有源晶振发生外置撞击时,任何石英有源晶体振【荡器在遭到外☉部撞击时,或者产品不小心跌落时,强烈的外置撞击都将会导致智能家居晶振损坏,或◥者频率不稳定现象.不执行任何强烈的冲击石英晶▆体振荡器.如果一个强大的冲击已经【给振荡器确保在使用前检查其特点.
CTS晶振,进口贴片晶振,532压控温补振荡器
CTS晶振,进口有源晶振,636石英晶体振荡器
百∴利通亚陶晶振,高精密石英晶振,FYQ晶体
百利通亚※陶晶振,有源晶体振荡←器,NX50SB晶振
百利通亚陶晶振,高质量石英晶振,UX51振荡器