ILSI晶振,石英贴片晶振,IL3X音叉水晶振子.小型贴片石英晶振,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特△性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,WirelessLAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

石英晶振高精度晶片的抛光技术:贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最∞高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值.从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使压电晶振可在更低功耗下工作.使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态.

ILSI晶振厂家提供广泛的频率控制产品,我们的主要业务是开发和供应基于石英或压电晶体◆的产品,其中包括晶体振荡器以及各种封装类型的石英或压电晶体.我们的晶体振荡器套件包括我们的时钟振荡器,MEMS振荡器,VCXO,TCXO,TCVCXO和OCXO产品.

ILSI晶振	单位	IL3X晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	32.768KHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C~+85°C	裸存
工作温度	T_use	-40℃~+85℃	标准温度
激励功率	DL	1.0μW Max.	推荐:10μW
频率公差	f_— l	±20ppm	+25°C 对于超出→标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,/
频率温度特征	f_tem	30 × 10-6，±50 × 10-6	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	6.0pF 9.0pF 12.5pF	不同负载︾要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C —  +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

所有产品的共同点

抗冲击

晶体可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击.如果超薄型晶振已受过冲击请勿使用.

辐射

暴露于辐射环境会导致贴片石英晶体性能受到损害,因此应避免照射.

化学制剂/pH值环境

请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解产品或包装材料的环境下使用或储藏SMD晶振.

粘合剂

请勿使用可能导致产品所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.)

卤化合物

请勿在卤素气体环境下使用3215晶振产品.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.

静电

过高的静电可能会损坏产品,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.

晶振使用注意事项

使用低功耗晶振时,请在产品规格说明或产品目录规定使用条件下使用.

智能穿戴晶振的设计和生产满足它的规格书.通过严格的出厂前可靠性测试以提供高质量高可靠性的产品.但是为了产品的品质和可靠性,必须在适当的条件下存储,安装,运输晶振.请注意以下的注意事项并在最佳的条件下使用产品,我们将对于客户按自己的判断而使用产品所导致的不良不负任何责任.