微晶晶振,高精密贴片晶振,CM7V-T1A压电石英晶体.贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型?薄型︼是对应陶瓷谐振器(偏差大)和普通的石英晶体谐振器(偏差小)的中间领域的一种性价比较出色的产品.产品广泛用于笔记本电脑,无线电话,卫星导航HDD,SSD,USB,Blu-ray等用途,符合无铅焊接的高温回流焊曲线特性.

微晶在瑞士、泰国建有生产中心,及遍布世界各地的代表处.我◤们所有的进口晶振产品都得到ISO9001和ISO14001的认证,并达到RoHS,REACh等√规范的要求.全球约550个员工的责任感和奉献精神是我们成功的基石.我们对管理、环境、社会责任都有明确的行为准则（比如对有争议的原材料的问题上）,这些是我们在未来保持竞争优势的主要原因.

石英晶振的切割设计:用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位(角度)的切割称为石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同,其电特性也各异,石英晶振目前主要使用的有AT切、BT切.其它切型还有CT、DT、GT、NT等.

微晶晶振	单位	CM7V-T1A晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	32.768KHz	标准频率
储存温度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C ～+85°C	标准温度
激励功率	DL	1.0μW Max.	推荐:10μW
频率公差	f_— l	± 20ppm ±100ppm	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.shubhamdrill.com/
频率温度特征	f_tem	30 × 10-6，±50 × 10-6	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	6.0pF 7.0pF 9.0pF 12.5pF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C —  +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

激励功率

在晶体单元上施加过多驱动力,会导致石英3.2x1.5晶振特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率(请参阅“激励功率”章节内容).

自动安装时的冲击

自动安装和→真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些进口晶体振荡器.请设置安装条件以尽可能将冲击降至低,并确保在安装前未对产品特性产生影响.条件改变时,请重新检查安装条件.同时,在安装前后,请确保石英32.768K晶振未撞击机器或其他电路板等.

噪音

在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致＠会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象.

撞击

虽然石英晶体谐振器产品在设计阶段已经考虑到其耐撞击性,但如果掉到地板上或者受到过度的撞击,以防万一还是要检查特性后再使用.

负载电容

振荡电路中负载∑电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前ξ　,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).