3225mm体积贴片晶振适用于汽车电子领域的表面贴片型石英晶振,本产品已被确定的高信赖性最适合用于汽车电子部件,晶体在极端严酷的环境条件下也能发╳挥稳定的起振特性,晶振本身具有耐热,耐振,耐冲击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

爱普生晶振以音叉型石英晶体振荡器,（32.768KHZ）系列出名,目前爱普生品牌遍布全世界,而千赫兹的晶体应用范围也比较广阔,所有的时记产品都∏需要用上KHZ系列晶体,该系列产品具有小型,薄型石英晶体振荡器,特别适用于有小型化要求的市场领域.是对应陶＠ 瓷晶振（偏差大）和通常的石英晶体振荡器（偏差小）的中间领域的一种性价比出色的产品.最适用于HDD, SSD, USB数码产品,播放器、数码相机、笔记本电脑、移动∑电话等.等用途.

爱普生晶振,恒温晶振,SG-9101CE晶振,X1G0053210011晶振,超小型表面贴片型SMD晶振,最适合使用在汽车电子领域中,也是特别要求高可靠性的引擎控制用CPU的时钟部分.低频晶振可从0.67MHz起对应,小型,超薄型具备强防焊裂性,石英晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接以及高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

石英晶振的研磨技术：通过对晶振切割整形后的晶片进行研磨，使OCXO晶振的晶片达到（厚度/频率）的一定范围。石英晶振晶片厚度☆与频率的关系为：在压电晶体行业，生产晶振频率的高低是显示鸿星技术水平的一个方面，通过理论与实际相结合，累积多※年的晶振研磨经验，通过深入细致地完善石英晶振研磨工艺技术，注重贴片晶振研磨过程的各种细节，注重晶振所用精磨研磨设备的选择；

项目	符号	规格说明	条件
输出◥频率范围	f0	0.67~170MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	VCC	1.62V to 3.63V	请联系我们以了解更多相√关信息
储存温度	T_stg	-55℃to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃to +85℃	请联系我们查看更多∑　资料http://www.shubhamdrill.com
		H: -40℃to +105℃
		J: -40℃to +125℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCCMax.	ST终端
	VIL	20 % VCCMax.
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25℃,初年度,第一年

爱普生TCXO进口日产晶振型号列表:

Frequency	Model	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	SS percentage	I[Max]	Symmetry	25°CAging	Terminal Plating
10.500000 MHz	SG-9101CB	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-1.50%	≤ 3.7 mA	45 to 55 %	+/- ppm	Au
18.432000 MHz	SG-9101CB	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-0.75%	≤ 3.7 mA	45 to 55 %	+/- ppm	Au
18.432000 MHz	SG-9101CB	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-2.00%	≤ 3.7 mA	45 to 55 %	+/- ppm	Au
18.432000 MHz	SG-9101CB	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-1.00%	≤ 3.7 mA	45 to 55 %	+/- ppm	Au
25.000000 MHz	SG-9101CB	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-1.50%	≤ 4.6 mA	45 to 55 %	+/- ppm	Au
27.000000 MHz	SG-9101CE	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-0.50%	≤ 4.6 mA	45 to 55 %	+/- ppm	Au
12.000000 MHz	SG-9101CE	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-0.25%	≤ 3.7 mA	45 to 55 %	+/- ppm	Au
40.000000 MHz	SG-9101CE	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-0.50%	≤ 4.6 mA	45 to 55 %	+/- ppm	Au

爱普生TCXO进口日产晶振编码列表:

X1G0053110018	10.500000 MHz	SG-9101CB	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-1.50%	≤ 3.7 mA	45 to 55 %	+/- ppm	Au
X1G0053110019	18.432000 MHz	SG-9101CB	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-0.75%	≤ 3.7 mA	45 to 55 %	+/- ppm	Au
X1G0053110020	18.432000 MHz	SG-9101CB	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-2.00%	≤ 3.7 mA	45 to 55 %	+/- ppm	Au
X1G0053110022	18.432000 MHz	SG-9101CB	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-1.00%	≤ 3.7 mA	45 to 55 %	+/- ppm	Au
X1G0053110023	25.000000 MHz	SG-9101CB	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-1.50%	≤ 4.6 mA	45 to 55 %	+/- ppm	Au
X1G0053210011	27.000000 MHz	SG-9101CE	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-0.50%	≤ 4.6 mA	45 to 55 %	+/- ppm	Au
X1G0053210012	12.000000 MHz	SG-9101CE	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-0.25%	≤ 3.7 mA	45 to 55 %	+/- ppm	Au
X1G0053210013	40.000000 MHz	SG-9101CE	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-0.50%	≤ 4.6 mA	45 to 55 %	+/- ppm	Au

耐焊性：将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏3225小型四脚贴片晶振产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接ζ石英晶振,建议使用SMD晶振产品。在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更Ψ高温度,会∴破坏晶振特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的【情况下』,请再次进行检查。如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热↙的相关信息。爱普生晶振,恒温晶振,SG-9101CE晶振,X1G0053210011晶振

石英晶振自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些3225mm贴片晶振产品。请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装「前未对晶振特性产生影响。条件改变时,请重新检查安装条件。同时,在安装前后,请确保石英晶振产品未撞击机器或其他①电路板等。

存储事项:(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存●汽车电子晶振时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些石英晶振产∞品,并在开封后尽可能◎进行安装,以免长期储藏。 正常温度和湿度： 温度：+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致︾卷带受到损坏。