3225贴片有源晶振,压控石英晶№体振荡器,SCV-3225晶振

希华晶体】产品SMD晶振应用范围包含行动电话、平板电脑、卫星通讯、车载系统、全球定位系统、个人电脑、无线通信及家用产品〒等，扮演基本信号源产生、传递、滤波等功能。持续致力于技术研究开发及品质落实扎根，营运据点遍布台湾、中国大陆、日本、新加坡、美国及欧洲等世卐界各地，使希华得以提供服务予世界电子大厂。

导入先进微机电制程创新研发技术敏锐地掌握3225晶振产品轻薄短小化、快速光电宽频传输与高频通讯的发展主流，致力于开发小型化、高频与︻光电领域等产品，与日本同业并驾齐驱。且深耕微机电(MEMS)技术领域，加速导入TF SMD Crystal的量产，藉以扩大公司营收规模并且提升获利空间。

希华晶振,压控晶振,SCV-3225晶振,石英有源晶振,压控晶振(VCXO),压控石▲英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz到200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用:SDH/SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用,符合RoHS/无铅.

石英晶振频率稳▃定度：关键参数，我们的高端进口晶振可以达到10-9级别。指在规定的工作温度范围内，与标称频率允许的偏差，用PPm（百万分之一）表示。一般来说，晶振稳定度越高或温度范围越宽，价格越高。对于频率稳∞定度要求±20ppm或以上的应用，可使用◥普通无补偿的石英晶体振荡器。对于介于±1 至±20ppm 的稳定度，应该考虑温补晶振TCXO 。对于低于±1ppm 的稳定度，应该考虑恒温晶振OCXO。如果客户有十分☉特别的频稳要求，我们可根据客户要求参数定做.

项目	符号	(CMOS)晶振◥规格说明	条件
输出Ψ频率范围	f0	1.5~54MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	VCC	1.8,2.5,3.3V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -10℃to +70℃	请联系我们查看更多资料http://www.shubhamdrill.com
		H: -40℃to +85℃

频率稳定度	f_tol	J: ±30× 10-6
		L: ±50× 10-6
		T: ±100× 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载∮条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
输出电压	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCCMax.	ST终端
输入电压	VIL	20 % VCCMax.	ST终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25℃,初年度,第一年

SCV-3225 3225 VCXO

普通有源晶振的负载电◣容与阻抗:负载电容与阻抗设置一个规定的负载阻抗值。当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时，指定ξ的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形。特别是设置电抗，根♂据规范的负载阻抗。输出频率和输出电平，当→测量输出频率或输出水平，晶体振荡器调整的输入阻抗，测量仪器的负载阻抗★晶体振荡器。当输入阻抗的测量仪器，不同的负载阻抗的晶体『振荡器，测量输出频率或输出水平高，阻抗阻抗测量可以忽略。希华晶振,压控晶振,SCV-3225晶振,石英有源晶振

机械处理:当发生外置撞击时，任何在遭到外部撞击时，或者产品有源晶体振荡器不小心跌落时，强烈的外置撞击都将会导致晶振损坏，或者频率不稳定现象.不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器。如果一个强大的冲击已经给振荡器确保在使用前检查其特点。

如何正确的使用贴片晶体振荡器,电处理:将电源连接到指定的终端，确定正ω确的极性这目录所示。注意电源的正负电极逆转或者连接到一个终端以,以为外的指定一个产品部分内的石英晶振，假如损坏那将不会工作。此外如果外接电源电压高于晶振□　的规定电☆压值，就很可能会导致石英晶振产品损坏。所以外接电压很重要，一定要确保使用正确的额定电压的振荡，但如果电压低于额定的电压值部分产品※将会不起振，或者起不到最佳精度。