导航设备振荡器,3225体积贴片晶振,SPO-3225B晶振

希华晶体产品3225晶振应用范围包含行动电话、平板电脑、卫星通讯、车载系统、全球定位系统、个人电脑、无线通信及家用产品等，扮演基本信号源产生、传递、滤波等功能。持续致力于技术研究开发及品质落实扎根，营运据点遍布台湾、中国大陆、日本、新加坡、美国及欧洲等世界各地，使希华得以提供服务予世界电子大厂。

导入先进微机电制程创新研发技术敏锐地√掌握进口晶振产品轻薄短小化、快速光电宽频传输与高频通讯的发展主流，致力于开发小型化、高频与光电领域等产品，与日本同业并驾齐驱。且深耕微机电(MEMS)技术领域，加速导入TF SMD Crystal的量产，藉以扩大公司营收规模并且提升获利空间。

希华晶振,有源晶振,SPO-3225B晶振,有源进口晶振,超小々型表面贴片型SMD晶振,最适合使用在汽车电子领域中,也是特别要求高可靠性的引擎控制用CPU的时钟部分.低频晶振可从1MHz起对应,小型,超薄型具备强防焊裂性,石英晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接以及高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

石英晶振频率稳定度：关键参数，我们的石英晶体振荡器可以达到10-9级别。指在规定的工作温度范围内，与标称频率允许的偏差，用PPm（百万分之一）表示。一般来说，晶振稳定度越高或温度范围越宽，价格越高。对于频率稳定度要求±20ppm或以上的应用，可使用普通无补偿的石英晶体振荡器。对于介于±1 至±20ppm 的稳定度，应该考虑温补晶振TCXO 。对于低于±1ppm 的稳定度，应该考虑恒温晶振OCXO。如果客户有十分特别的频稳要求，我们可根据客★户要求参数定做。

项目	符号	(CMOS)晶振规格说明	条件
输出频率范围	f0	1~200MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	VCC	1.8,3.3V	请联系〖我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -10℃to +70℃	请联系我们查看更多资料http://www.shubhamdrill.com
		H: -40℃to +85℃

频率稳定度	f_tol	J: ±30× 10-6
		L: ±50× 10-6
		T: ±100× 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
输出电压	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCCMax.	ST终端
输入电压	VIL	20 % VCCMax.	ST终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25℃,初年度,第一年

SPO-3225B 3225 OSC

如何正确的使用金属面贴片晶振,电处理:将电源连接到指定的终端，确定正确的极性这目录所示。注意电源的正负电极逆转或者连接到一个终端以,以为外的指定一个产品部分内的石英晶振，假如损坏那将不会工作。此外如果外接电源电压高于晶振的规定电压值，就很可能会导致石英晶振产品损坏。所以外接电压很重要，一定要确保使用正确的额定电压的振荡，但如果电压低于额定的电压值部分产品将会不起振，或者起不到最佳精度。希华晶振,有源晶振,SPO-3225B晶振,有源进口晶振

兆赫兹晶振的负载电容与阻抗:负载电容与阻抗设置一个规定的负载阻抗值。当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输№出电平不会满足时，指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形。特别是设置电抗，根据规范的负载阻抗。输出频率和输出电平，当测量输出频率→或输出水平，晶体振荡器调整的输入阻抗，测量仪器的负载阻抗晶体振荡器。当输入阻抗的测量仪器，不同的负载阻抗的晶体振荡器，测量输出频率或输出水平高，阻抗阻抗测量可以忽略。

机械处理:当发生外置撞击时，任何在遭到外部撞击时，或者产品不小心跌落时，强烈的外置撞击都将会导致进口3225有源晶体振荡器损坏，或者频率不稳定现象.不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器。如果一个强大的冲击已经给振荡器确保在使用前检查其特点。