3225mm体积贴片晶振适用于汽车电子领域的表面贴片型石英晶振,本产品已被确定的高信赖性最适合用于汽卐车电子部件,晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定①的起振特性,晶振本身具有耐热⊙,耐振,耐□冲击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

EPSON晶振,贴片晶振,TG-5006CE晶振,贴♀片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型?薄型是对应陶瓷↑谐振器（偏差大）和普通的石英晶体谐振器∴（偏差小）的中间领域的一种性价比较出色的产品.产品广泛用于笔记本电脑,无线电话,卫星导航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合无铅焊接的高温回流焊曲线特性.

石英晶振真空封装【技术：是指石英晶振在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使晶振组件在真空¤下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻⌒　克的关键技术之一

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f0	13-52MHZ	请联系我们『以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	VCC	1.60 V to 3.63 V	请联系我们☆以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃to +85℃	请联系我们查看更多资料/
		H: -40℃to +105℃
		J: -40℃to +125℃
频率稳定度⌒	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频ω率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
	VOL	0.4 V Max.
输出〗负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCCMax.	ST终端
	VIL	20 % VCCMax.
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

一般来说，微处理器ω　的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下：

镉和CG是外部负载电容，其中已建成ㄨ的芯片组。 （请参阅芯片※组的规格）

Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻。它的内置芯片一般设置。

Rd为限流电◎阻470Ω与1KΩ?。这个阻力是没有必要的公共电路，但仅用◥于具有高电源电路。

一个稳定的振荡电路需要的负电阻，其值应是晶振阻】力的至少五倍。它RIVER晶振可写为|-R|>5的Rr。

例如，为了获得稳定的振荡电路中，IC的负电阻的值必须小于？200Ω时的晶振电阻值是40Ω。负阻“的标准」来评估一个振荡电路的质量。在某些情况下，例如老化，热变化，电压变化，以及等等，电路可◤能不会产生振荡的“Q”值是低的。因此，这是非常重要的衡量负电阻（-R）以下说明：

线路连接的电∩阻（R）与晶体串联

（2）从起█点到振荡的停止点调整R的值。

（3）振荡期间测量R的值。

（4）你将能够获得负电＠ 阻的值，|·R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。

附：所连接的电路的杂△散电容，可能会影响测定值。

如果贴片晶振的参数是正常ㄨ的，但它不工作稳步振荡电路中，我们将不◆得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路。如果是这样□　的话，我们有三种方法来改善这样的情况：

降︻低外部电容（Cd和CG）的值，并采用其他晶◣振具有较低负载电容（CL）。

采用具有较低电阻（RR）的石英晶振。

使用光●盘和CG的□　不等价的设计。我们可以增加镉（XOUT）的负√载电容和降低CG（辛）的负¤载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。

当有信号输出从XOUT但不辛，其表示后面的功耗的●情况下 - 电极后端电路√加湿器雾化片是极其巨▲大的。我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间，以驱动后端◥电路。

但1-5的方法上面提到的，你也可以按照步骤1-4-4的三种方法。如有不明白请联系我▼公司晶振的应用工程师和IC制造商寻求进一步的帮助▓，如果你的问题不能得到解决。系统无法运行，因为晶体没有足够的输出波形振幅。

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