小型贴片石英晶振主要采用了，先进的晶片的抛光→工艺技术，是晶体行业中石英晶片研磨技术中♀表面处理的最高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面▓度更好，大大的降】低谐振电阻，使精度得到了很大的提升。改变了传统的生产工艺，使产品在各项参数得到了很大的改良,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体≡谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电■脑等电子数码产品.

爱普生晶振,TG1612SLN晶振,温补晶体振荡器

爱普生株式会社EPSON晶振,爱普生拓优科】梦,(EPSON—YOCOM)1942年成立时是精工集团的第三家手№表制造公司,以石英手表起家的爱普生公司到后续的生产压电石英晶振, 晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器, 压控晶体振荡╳器（VCXO）、温补晶体振荡器（TCXO）。1996年2月在中国苏州投资建厂,在当时员工人数就达2000人,总投资4.055亿美元,公司占地200亩,现已经是∩世界500强企业.

日本精工爱普生晶振♂接受了中国苏州政府2007 年的招商引资,命名为【爱普生拓优科梦水晶元器件(苏州)有限公司】 爱普生拓优科梦(Epson Toyocom)是精工爱★普生株式会社与爱普生晶振(中国)有限公司╳共同投资成立的有限责任公司(外商合资).

爱普生晶振公司已经建立了一个原始的垂◣直整合制造模型的最佳手段持续为客户创造新的√价值,并决定使用这个模型来驱动前面提到的四个关键领域的创新.这意味着从头开始创建产品:创建我们自己的独特的核心技术和设备,使用这些作为基地的规划和设≡计提供独特价值的产▓品,生产或制造的艺术和科学,我们积累了多年的专△业知识,然后生产晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器, 32.768K钟表晶振,温补晶振等出售给我们的客户.

爱普生晶振公司加强人力资源的全功能,技术,生产,销售和支持和环境问题,利用信●息技术,推进我们的原始制造模式寻求实现我们的愿景.视野＠下就像我提到的,我们的目标是使用我们的技术来创建一个新的连接人的时代,事物和信息,这样我相信我们可以成为不可或缺的公司为我们的客户和社会.

爱普生晶振,TG1612SLN晶振,温补晶体振荡器

EPSON爱普生公司成立于1942年5月,总部位于日本长野县诹访市,是数码映像领域的全球领先企业.爱普生集团通过富有创∩新和创造力的文化,提升企业价值,致力于为客户提供数码影像创新技术和解决方案.爱普生拓优科梦是一家专业从事贴片晶振元件的☆厂商,爱普生拓优科梦（Epson — yocom）运用长年积累的培育人工石英贴片晶振以及以◣加工为代表的、实现精微化、高精度、高品质的综合技术,提出“3D战略”究极应用石英特性而制造的三大≡元器件:定时▃元器件、传感元器件↘、光学元器件,并创出将其复合而成的模块,为成为不可缺少的企业而迈进至╱今.

爱普生晶振,小型贴片有源晶振,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,贴片高速自动安装和高●温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用『领域:无线通讯,智能手机,平板ξ笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和各式IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等数码领域,符合RoHS/无铅.

石英♀晶振真空退火技术：日产晶振高真空︽退火处理是消除贴片晶振在加工过ξ　程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线，使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退『火，石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性，以及提高石英晶振的年老▲化特性。

项目	符号	规格说明	条件
输出频率↘范围	f0	13~55.2MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信▓息
电源电压	VCC	1.8 V Typ./ 2.8 V Typ./ 3.0 V Typ./ 3.3 V Typ.	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.shubhamdrill.com
		H: -40℃to +105℃
		J: -40℃to +125℃
频率稳定╲度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
	VOL	0.4 V Max.
输出负〒载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCCMax.	ST终端
	VIL	20 % VCCMax.
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF
振荡←启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25℃,初年度,第一年