小型∏贴片石英晶振主要采用了，先进的晶片的抛光工艺技术，是晶体行业中石英晶片研磨技术中表面处理的最↓高技术，最︼终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，大大的降低谐振电阻，使精度得到了很大的提升。改变了传统的生产工艺，使产品在各项∞参数得到了很大的改良,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特※别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品

KDS晶振,DSK321STD晶振,进口贴片晶振

3225mm体积贴片晶振适用于电子领域的表面贴片型石英晶振,本产品已被确定的高信赖性最适合用于智能电子部件,晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,晶振本身具有耐热,耐振,耐冲击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,符合ROHS标准.

Diodes 公司为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商与供货商,产品涵盖广泛领域,包括独立、逻辑、模拟及混合讯号半导体市场.Diodes晶振服务的市场包括消费性电子、计算机、通讯、工业及汽车市场.Diodes 的产品包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护装置、特定功能数组、单闸极逻辑、放大器与▽比较器、霍尔效应与温度传感器、电源管理装置 (包括 LED 驱动器)、AC-DC 转换器◇与控制器、DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与特殊功能装置 (例如 USB 电源开关、负载开关、电压监控器及〓马达控制器).

进口∮石英晶振,多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一.石英晶振该选用何镀ζ　材、镀几◣种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等).使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集∴中,能控制在最小ppm之内

KDS晶振,DSK321STD晶振,进口贴片晶振

1959年在在神户市成立加工电子零件和石英晶体,进口晶振,爱普生晶体,KDS晶振,石英水晶≡振荡子.

1963公司变更为合股公司组∞织.

1965开始大规模生产石英晶体谐振器,32.768K钟表晶振,温补晶振,石英晶体々振荡器等部件.

1970年在东京办事处开业.

1973年开设kurodasho厂(现在的西胁工厂)生产晶※体管.

1974年开设川厂(现在的凉厂)是目前人造石英晶体,(SPXO)普通晶体振荡器,(TCXO)温补晶体↙振荡器,(OCXO)恒温晶体振荡器↓等生产规模最大的.

1976年开设宫崎厂(目前九州大真空公司)为音叉型石英晶体谐振器】生产,在加⌒古川市完成新总部.

1977年成立和谐电子公司建立〖大真空(美国)有限公司开始向美国市场供应晶体谐振器.

1980年开设鸟取工厂(目前鸟取生产√部)对石英晶体谐振器生ω　产增加.同年㊣　开始生产石英晶体滤波器和时钟晶振.

1981年建立大真空(香港)公司开始提供音叉型石英晶体谐振器,石英晶体振荡器,有源晶振的香港和中国市场.

1983年大阪证券交易所二★期上市.

1984年独立完成◎中心实验室,开设德岛工厂(目□前德岛生产部)作为人造石英∞晶体的稳定的生产基地,部分设备¤和石英谐振器,开始大规模生产光学低通滤波器.

1985年打开德岛第二厂开始生产陶瓷产品,有源晶振,压控振荡器,陶瓷晶振,声表面谐振器卐,贴片晶振,陶瓷雾化片打☉开配送中心在加古川市.

1987名古屋办事处开业.开始生产温补晶振(TCXO)和压控ζ晶体振荡器(VCXO).

1988建立大真空(新加坡)有限公司加强在东盟地区销售.

1989更改公司名称大真空第三十周█年.建立了PT.KDS晶振∴印度尼西亚启动海外生产石英晶体谐振器.

1990-1991大阪证券交易所第一节上市.建立大真空晶振(德国)公司加强在欧洲的销售▓.

1993建立了天津公司开始海≡外生产音叉晶振,石英晶体谐振器,石英晶体振荡器,陶瓷晶振,32.768K晶振,时钟晶振,压电』石英晶振.

1996获得ISO9001(国际标准化组织质「量管理标准).

1998(获得QS9000质量标准/汽车质量←保证管理体系.)

2000获得ISO14001(环境管理体系由国际标※准化组织),获得ISO / TS 16949(技术规范由『国际标准化组织).

2003加大天津加工厂面积,扩大石】英晶振生产规模,加强石英晶振在☆中国的销售.成立上海锐№致国际贸易有限公司,以和谐电子公司为我公司的综合子公司.加强石英晶振,压控晶体振荡▽器(VCXO),温补晶振(TCXO),恒温晶体振荡器(OCXO),陶瓷谐振器等器件业务.

2010建立大真空(泰国)有限公司.

2012扩大在加古川市中央实验室的地板尺寸.

2013东京证券交易所第一节上市.

項目	記号	規格値				条件
		min.	typ.	max.	単位
出力周波数	fo	-	32.768	-	kHz
電源電圧範囲	VCC	+2.0	-	+5.5	V	（温度補償動作）
		+1.3	-	+5.5		（計時動作）
周波■数許容偏差 （常温偏︾差含む）	f_tol	-5.0	-	+5.0	×10-6	-40?+85℃
		-3.8	-	+3.8		-10?+60℃
消費電流	ICC	-	+1.2	+2.5	μA	VCC=+3.3V, 温度補」償間隔0.5s, No Load
		-	+1.7	+3.2		VCC=+5.0V, 温度補償間隔0.5s, No Load
		-	+1.0	+2.0		VCC=+3.3V, 温度補償間隔2.0s, No Load
		-	+1.5	+3.0		VCC=+5.0V, 温度補償間隔2.0s, No Load
波形対称→性	SYM	40	50	60	%	at 50% VCC
0レベル電圧	VOL	-	-	+0.4	V
1レベル電圧	VOH	VCC-0.4	-	-
立上り時間 立下り時間	tr, tf	-	-	50	ns	VCC=+2.0?+5.5V, 10?90% VCCLevel
		-	-	200		VCC=+1.3?+5.5V, 10?90% VCCLevel
出力負荷条件	L_CMOS	-	-	15	pF
起動時間	Tstart	-	-	3.0	s
梱包単位（1）	2000pcs./reel （φ180）