KDS晶振,DLO555MBA晶振,进口插件晶振
KDS石英晶振特点:适合应用◆一些高端产品,比如智能手机晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英晶体谐振器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通◆信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶振︻本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.KDS晶振,石英晶振,AT-49晶振,日产石英晶振
KDS晶振环境管理体系：在每一个运行部门,实施支持方针的系统的环境管理工具.我们将确保适当的人力资源和充分的财力保障.每年我们都将建立可测量的环境管理以及行▲为改进日产晶振的目标和指标. 环境行为评价：评价我们运行以及员工的环境行为表现,确认支撑着本方针的▓成绩.我们将Ψ向我们的员工提供信息,以及能够将方针与各自工作职责完全结合的培训.加强环境意识教育,提高全员环境↘意识,充分调动职工的积极性,积极使用温补晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）,晶振,石英晶振,有源晶振环保型原材料,减少生产过程中的废弃物产生量,努力向相关方施加环境影响
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如何正确的使用有源晶振
电处理：
将电源连接到有源晶体振荡器指定的终端,确定ζ正确的极性这目录所示.注意电源的正负电极逆转或者连接到一个终端以,以为外的指定一个产品部分内的石英2520晶振,假如损坏那将不会工作.此外如果外接电源电压高于晶振的规定电压值,就很可能会导致石英晶振产品损坏.所以外接电压很』重要,一定要确保使用正确的额定电压的振荡,但如果电压低于额定的电压值部分产品将会不起振,或者起不到最↙佳精度.
机械处理
当晶振发生外置撞击时,任何石英晶体振荡器在遭到外部撞击时,或者产⌒品不小心跌落时,强烈的外置撞击都将会导致晶振损坏,或者频率」不稳定现象.不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器.如果一个强大的冲击已经给振荡器确保在使用前检查其特点.
机械振动的影响
当晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动★时,比如:压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响.这种现象对通信器材〓通信质量有影响.尽管SMD晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作.
有源晶振的负☉载电容与阻抗
负载电容与阻抗高精密贴片晶振设置一个规定的负载阻抗值.当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时,指定的值∴这可能会导致问题例如：失真的输出波形.特别是设置电抗,根据规范的负载阻▓抗.输出频率和输出电平,当测量输出频率或输出水平,晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻抗晶体振荡器.当输入阻抗的测量※仪器,不同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率卐或输出水平高,阻抗阻抗测量可以忽略.
| 項目 | 記号 | 規格 | 単位 | 条件 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| min. | typ. | max. | ||||
| 出力周波数範囲 | f0 | 0.75 | - | 54 | MHz | L_CMOS: 15pF |
| 0.75 | - | 48 | L_CMOS: 30pF | |||
| 周波数許容偏差 | - | -100 | - | +100 | ×10-6 | T_opr=-10~85℃ VCC=1.6~5.5V |
| -50 | +50 | |||||
| 経時変化 | - | - | - | ±5 | ×10-6/年 | |
| 消費電流 | ICC | - | - | 8 | mA | No load |
| 波形シンメトリ | SYM | 45 | - | 55 | % | 50% VCClevel |
| 0レベル電圧 | VOL | - | - | VCC×0.1 | V | IOL=4mA |
| 1レベル電圧 | VOH | VCC×0.9 | - | - | V | IOH=-4mA |
| 0レベル時間 | TL1 | 11 | - | - | ns | 20%VCC以下の時間 (f0≦32MHz) |
| 1レベル時間 | TH1 | 11 | - | - | ns | 80%VCC以上の時間 (f0≦32MHz) |
|
立上り時間 立下り時間 |
tr,tf | - | 1.8 | 3.8 | ns | L_CMOS: 15pF 20~80% VCClevel |
| - | 3.8 | 7.5 | L_CMOS: 30pF 20~80% VCClevel | |||
| 発振起動時間 | T_start | - | - | 1 | ms | VCCが既定値の90%に達してからの時間 |
| 位相ノイズ | - | - | -145 | - | dBc/Hz | Offset 1kHz |
| - | -158 | - | Offset 100kHz | |||
| ピリオド ジッタ(1) | tRMS | - | 2.4 | - | ps | σ |
| tp-p | - | 20 | - | Peak to peak | ||
| トータル ジッタ(1) | tTL | - | 34 | - | tDJ+n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2) | |
| 位相ジッタ(3) | tpj | - | - | 1 | 10MHz≦f0＜40MHz f0 offset12kHz~5MHz | |
| 40MHz≦f0≦60MHz f0 offset12kHz~20MHz | ||||||
| 内蔵バイパスコンデンサ容量 | Cbp | - | 0.1 | - | μF | VCC-GND端子間の容量 |
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