5032mm温补振荡器♀,TG5032CBN晶振,X1G0045710085晶振

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爱普生⌒　晶振,温补晶振,TG5032CBN晶振,X1G0045710085晶振

频率：10~40MHZ

尺寸：5.0*3.2mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板︾笔记本,GPS系统,光纤通道,千→兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

订购热线：86-0755-27838351

EPSON爱普︻生公司成立于1942年5月,总部位于日〓本长野县诹访市,是数码映像领域的全球领先企业.爱普生集团通过富有创新和创造力的文化,提升企业价值,致力于为客户提供数码影像创新技术和解决方案.爱普生拓优科梦是一家专业从事晶体□元件的厂商,爱普生拓优科梦（Epson — yocom）运√用长年积累的培育人工石英贴片晶振以及以加工为代表的、实现精微●化、高精度、高品质的综合技术,提出“3D战略”究极应用石英特性而制造的三大元器件:定时元器●件、传感元器∮件、光学◥元器件,并创出将其复合而成的模块,为成为不可缺少的企业而√迈进至今.

爱普生■晶振,温补晶振,TG5032CBN晶振,X1G0045710085晶振,小型SMD有源晶振,体积的■变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶◣体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输●出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领☆域:无线通讯,高端智ㄨ能手机,平板笔◥记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领≡域,符合RoHS/无铅

晶振的真╳空封装技术：是指石英晶振在真空封装区域内进行封装ㄨ。1.防止外界气体进入组件体内受到污染■和增加应力的产生；2.使晶振组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一。

项目	符号	规格说明	条件
输出』频率范围	f0	10~40MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的◥相关信息
电源电压	VCC	2.7V to 5.5V	请联系我们以了解更多相关信①息
储存温度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃ to +85℃	请联系我们查看更多资料◣http://www.shubhamdrill.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
输出电压	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCC Max.	ST 终端
输入电压	VIL	20 % VCC Max.	ST 终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

爱普生TCXO进口日产晶振型号列表▓:

Model

Frequency LxWxH

Output Wave

F.Tol@25°C

Ope Temperature

Freq/Temp I [Max]

Freq. Control

25°C Aging

TG5032CBN 24.576000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

TG5032CBN 10.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

TG5032CBN 15.360000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

TG5032CBN 19.200000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

TG5032CBN 26.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

TG5032CBN 25.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

TG5032CBN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 6.0 mA +/-0.5ppm

TG5032CBN 50.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-0.9 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 8.0 mA +/-1ppm

TG5032CBN 30.720000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 6.0 mA +/-0.5ppm

TG5032CBN 20.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

TG5032CBN 19.440000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

爱普生TCXO进口日产晶振↓编码列表:

X1G0045710085 TG5032CBN 24.576000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

X1G0045710086 TG5032CBN 10.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

X1G0045710088 TG5032CBN 15.360000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

X1G0045710091 TG5032CBN 19.200000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

X1G0045710092 TG5032CBN 26.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

X1G0045710093 TG5032CBN 25.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

X1G0045710094 TG5032CBN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 6.0 mA +/-0.5ppm

X1G0045710095 TG5032CBN 50.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-0.9 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 8.0 mA +/-1ppm

X1G0045710096 TG5032CBN 30.720000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 6.0 mA +/-0.5ppm

X1G0045710097 TG5032CBN 20.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

X1G0045710098 TG5032CBN 19.440000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

TG5032CBN 5032

PCB设计指导:(1) 理想情况下▓,机械蜂鸣器应安装在♂一个独立于进口小体积有源晶振器件的PCB板上。如果您安装在同一个PCB板上,最好使用余量或切割PCB。当应用于PCB板本身或PCB板体内部时,机械振动程度有所不同。建议遵照内部板体特性。爱普生晶振,温补晶振,TG5032CBN晶振,X1G0045710085晶振

(2) 在设计时请参考相应的推荐封装。(3) 在使用进口石英晶体振荡器焊料助焊剂时,按JIS标准(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).来使用。(4) 请按JIS标准(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)来使用无◢铅焊料。

机械振动的○影响々:当5032封装晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如：压电〗扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量■有影响。尽管晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响▼,我们推荐事先检查并〗按照下列安装指南进行操作。

深圳市康华尔电子有限公司

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5032mm温补振荡器 TG5032CBN晶振 X1G0045710085晶振

采购：爱普生晶振,温补晶振,TG5032CBN晶振,X1G0045710085晶振

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: 爱普生晶振,温补晶振,TG5032SAN晶振,X1G0044410088晶振; 智能手机SMD晶振,产品具№有高精度超小型的表面贴片型石々英晶体振荡器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶振本身小型,薄型具备各类移→动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无▲铅焊接的高温回流温度曲线要求.

: 爱普生晶振,温补晶振,TG5032CAN晶振,X1G0044310086晶振; 5032mm体积的石英晶体振荡器,有源晶振,该产品可驱』动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系●统,无线发射基站.

产品中心 Product Center

: 进口爱普生晶振FA-20H,Q24FA20H00005水晶振动子

: EPSON爱普生晶振C-2,Q12C20001000600水晶振动子

: EPSON晶振C-004R,Q11C004R1000500圆柱音叉晶体

: SMD-49无源谐振器,KDS日本晶体,1AJ250004B两脚无源晶振

: 微晶晶振,32.768K晶振,CC7V-T1A晶振

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康华尔电子有限公司——晶振行业进口晶振品牌代理商

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爱普生⌒　晶振,温补晶振,TG5032CBN晶振,X1G0045710085晶振

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应用领域

日产晶振√应用领域

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X1G0045710085	TG5032CBN	24.576000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 5.0 mA	+/-0.5ppm
X1G0045710086	TG5032CBN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 5.0 mA	+/-0.5ppm
X1G0045710088	TG5032CBN	15.360000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 5.0 mA	+/-0.5ppm
X1G0045710091	TG5032CBN	19.200000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 5.0 mA	+/-0.5ppm
X1G0045710092	TG5032CBN	26.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 5.0 mA	+/-0.5ppm
X1G0045710093	TG5032CBN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 5.0 mA	+/-0.5ppm
X1G0045710094	TG5032CBN	40.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 6.0 mA	+/-0.5ppm
X1G0045710095	TG5032CBN	50.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-0.9 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 8.0 mA	+/-1ppm
X1G0045710096	TG5032CBN	30.720000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 6.0 mA	+/-0.5ppm
X1G0045710097	TG5032CBN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 5.0 mA	+/-0.5ppm
X1G0045710098	TG5032CBN	19.440000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 5.0 mA	+/-0.5ppm

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爱普生⌒ 晶振,温补晶振,TG5032CBN晶振,X1G0045710085晶振

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