手机通讯模▃块晶振,TG5032SAN晶振,X1G0044410088晶振

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爱普№生晶振,温补晶振,TG5032SAN晶振,X1G0044410088晶振

频率：10~40MHZ

尺寸：5.0*3.2mm

智能手机SMD晶振,产品具有高精度超小型的表↘面贴片型石英晶体振荡器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶︻振本身小型,薄型具备各类移〓动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

订购热线：86-0755-27838351

爱普生贴片式石英晶振振荡器,低电压◢启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以〖太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

爱普生晶振,温补晶振,TG5032SAN晶振,X1G0044410088晶振,5032mm体积的石英晶体振荡器,有源晶振,该产品可驱动2.5V的ζ温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶ω　体振荡器产品,电源╲电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产♂品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.

石英晶振真空退火技术：晶振高真空退火处理是消除日产晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中◥输入已设计好的温度曲线，使真空室温度跟随设定☆曲线对晶体组件进行退火，石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的』稳定性，以及提高石英晶振的年老化特性。

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f0	10~40MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	VCC	2.7V to 5.5V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃ to +85℃	请◥联系我们查看更多资料http://www.shubhamdrill.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
频率稳↙定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负」载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
输出电压	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCC Max.	ST 终端
输入电压	VIL	20 % VCC Max.	ST 终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

爱普生TCXO进口日产晶振型号列表:

Model

Frequency LxWxH

Output Wave

F.Tol@25°C

Ope Temperature

Freq/Temp I [Max]

Freq. Control

25°C Aging

TG5032SAN 15.360000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm 0 to +70 °C +/-0.10 ppm ≤ 5.0 mA -10 to -5 Vc=0.5V +/-0.02ppm

TG5032SAN 25.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm 0 to +70 °C +/-0.10 ppm ≤ 5.0 mA -10 to -5 Vc=0.5V +/-0.02ppm

TG5032SAN 20.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm 0 to +70 °C +/-0.10 ppm ≤ 5.0 mA -10 to -5 Vc=0.5V +/-0.02ppm

TG5032SAN 19.200000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.25 ppm ≤ 5.0 mA -10 to -5 Vc=0.5V +/-0.02ppm

TG5032SAN 26.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.25 ppm ≤ 5.0 mA -10 to -5 Vc=0.5V +/-0.02ppm

TG5032SAN 30.720000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.25 ppm ≤ 5.0 mA -10 to -5 Vc=0.5V +/-0.02ppm

TG5032SAN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.25 ppm ≤ 5.0 mA -10 to -5 Vc=0.5V +/-0.02ppm

爱普生TCXO进口日∑产晶振编码列表:

X1G0044410088 TG5032SAN 15.360000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm 0 to +70 °C +/-0.10 ppm ≤ 5.0 mA -10 to -5 Vc=0.5V +/-0.02ppm

X1G0044410093 TG5032SAN 25.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm 0 to +70 °C +/-0.10 ppm ≤ 5.0 mA -10 to -5 Vc=0.5V +/-0.02ppm

X1G0044410097 TG5032SAN 20.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm 0 to +70 °C +/-0.10 ppm ≤ 5.0 mA -10 to -5 Vc=0.5V +/-0.02ppm

X1G0044410101 TG5032SAN 19.200000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.25 ppm ≤ 5.0 mA -10 to -5 Vc=0.5V +/-0.02ppm

X1G0044410102 TG5032SAN 26.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.25 ppm ≤ 5.0 mA -10 to -5 Vc=0.5V +/-0.02ppm

X1G0044410103 TG5032SAN 30.720000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.25 ppm ≤ 5.0 mA -10 to -5 Vc=0.5V +/-0.02ppm

X1G0044410104 TG5032SAN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.25 ppm ≤ 5.0 mA -10 to -5 Vc=0.5V +/-0.02ppm

TG5032CAN 5032

机械振动的影响:当5032mm振荡器产品上存在任何给定冲击或受到周↘期性机械振动时,比如：压电「扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安ω装指南进行操作。爱普生晶振,温补晶振,TG5032SAN晶振,X1G0044410088晶振

PCB设计指导:(1) 理想情况下,机械蜂鸣器应安装在一个独立于高频有源晶振器件的PCB板上。如果您安装在同一个PCB板上,最好使用余量或切割PCB。当应用于PCB板本身或PCB板体内部时,机械振动程度有所不同。建议遵照内部板体特性。

(2) 在设计时请参考相应的推荐封装。(3) 在使用5032石英晶体振荡器焊料助焊剂时,按JIS标准(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).来使用。(4) 请按JIS标准(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)来使用无铅〓焊料。

深圳市康华尔电子有限公司

QQ联系: 632862232

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手机通讯模块晶振 TG5032SAN晶振 X1G0044410088晶振

采购：爱普生晶振,温补晶振,TG5032SAN晶振,X1G0044410088晶振

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: 爱普生晶振,温补晶振,TG5032SBN晶振,X1G0045810085晶振; 小型SMD日产晶振,体积的变※小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机√,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅

: 爱普生晶振,温补晶振,TG5032CBN晶振,X1G0045710085晶振; 贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

: 爱普生晶振,温补晶振,TG5032CAN晶振,X1G0044310086晶振; 5032mm体积的石英晶体振荡器,有源晶振,该产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.

产品中心 Product Center

: 进口爱普生晶振FA-20H,Q24FA20H00005水晶振动子

: EPSON爱普生晶振C-2,Q12C20001000600水晶振动子

: EPSON晶振C-004R,Q11C004R1000500圆柱音叉晶体

: SMD-49无源谐振器,KDS日本晶体,1AJ250004B两脚无源晶振

: 微晶晶振,32.768K晶振,CC7V-T1A晶振

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康●华尔电子有限公司——晶振行业进口晶振品牌※代理商

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应用领域

日产晶振应用领域

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X1G0044410088	TG5032SAN	15.360000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	0 to +70 °C	+/-0.10 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
X1G0044410093	TG5032SAN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	0 to +70 °C	+/-0.10 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
X1G0044410097	TG5032SAN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	0 to +70 °C	+/-0.10 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
X1G0044410101	TG5032SAN	19.200000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.25 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
X1G0044410102	TG5032SAN	26.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.25 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
X1G0044410103	TG5032SAN	30.720000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.25 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
X1G0044410104	TG5032SAN	40.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.25 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm