X1G005591031100日本EPSON爱普生石英晶体振荡器的结构变化
金属壳封装等效电路与金属板之间的▆静电电容；L、C为压电谐振的等效参量№；R为振动磨擦损耗的等效电阻.石英晶体谐振器存在一个串联谐振频率fos（1/2π）,爱普生晶振同时也存在一个并联谐振频¤率fop（1/2π).由于CoC,fop与fos之间之差值很小,并且RωOL,R1/ωOC,所以谐振电路的品质因数Q非常高（可达数百万）.

X1G005591031100日本EPSON晶振,爱普生石英晶体振荡器

爱普生有源晶振编∩码	型号	频率	长X宽X高	输出波	电源电压	工作温度	频差	最大值
X1G005591006000	SG-8018CE	23.040000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591006100	SG-8018CE	28.636360 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591006200	SG-8018CE	14.430000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591006300	SG-8018CE	8.439025 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591006400	SG-8018CE	29.491200 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591006500	SG-8018CE	22.222200 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591031100	SG-8018CE	30.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591006600	SG-8018CE	19.660800 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591006700	SG-8018CE	6.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591006800	SG-8018CE	7.680000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591006900	SG-8018CE	74.250000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591007000	SG-8018CE	88.888000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.9 mA
X1G005591007100	SG-8018CE	88.888000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.9 mA
X1G005591007200	SG-8018CE	12.500000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591007300	SG-8018CE	148.500000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 8.1 mA
X1G005591007400	SG-8018CE	74.250000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591007500	SG-8018CE	57.272720 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591007600	SG-8018CE	37.125000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591007700	SG-8018CE	19.200000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591007800	SG-8018CE	6.005284 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591007900	SG-8018CE	57.209760 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591008000	SG-8018CE	10.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591008100	SG-8018CE	133.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 8.1 mA
X1G005591008200	SG-8018CE	32.400000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591008300	SG-8018CE	22.579200 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA

石英晶振振荡器SPXO的总精度（包括起始精度☆和随温度、电压及负载产生的变化）可以达到±25ppm.SPXO既无温度补偿也无◆温度控制措施,其频率温度特性几乎完全由石英晶体振子的∩频率温度特性所决定.在0～70℃范围内,日产晶振SPXO的频率稳定度通常☆为20～1000ppm,SPXO可以用作钟频振荡器.温度补偿晶体振荡器TCXO是通过附︾加的温度补偿电路使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的ω　一种石英晶体振荡器.X1G005591031100日本EPSON晶振,爱普生石英晶体振荡器

从而使石英晶体谐振器组成的振荡器频率稳定度十分高,可达10－12/日.石英晶▅体振荡器的振荡频率既可近似工作于fos处,有源晶体振荡器也可工作在fop附近,因此石英晶体振荡器可分串联型和并联型两种.用石英※晶体谐振器及其等效电路,取代LC振荡器中构成谐振回路的电感（L）和电容（C）元件,则很容易理解晶体振荡器的工作原理.X1G005591031100日本EPSON晶振,爱普生石英晶体振荡器