泰艺晶振电子立基台湾，在美国与中国大陆均设有生产据点，营业与销售据点包括台湾台北、美国、欧洲以↑及中国大陆等地，客户使用石英晶体振荡器，有源晶振,网络设备晶振、压控振荡√器,贴片晶振遍及汽车产业、消费性电子、信息产业、通信◥产业与通信基础产业。泰艺晶振电子多年来致力于研发创新，部分核心技术是台湾业界的领先者，近年来陆续取得石英相关制造技术专利；未来将持续※加强开发，以成为全球石英晶振频控元件领导者之目标迈进。

TAITIEN晶振,贴片晶振,XV晶振,XVFBGCNANF-12.000000晶振,低频晶振可从7.98MHz起对应,小型,超薄型具备强防焊裂性,石英晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品⌒本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接以及高温回流∏温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

晶振的真空封装技术：是指压电石英晶振在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的∩产生；2.使晶振组件在◆真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一

泰艺晶振规格	单位	XV贴片晶振频率↙范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	8MHZ~80.0MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C ～ +85°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10-6 (标准), (±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我ω　们以便获取相关的信息,/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出标★准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C—+85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

以下是石英晶振电路设计匹配问题：

一般来说，微处理器的振荡电路由考毕】兹电路显示派生如下：

镉和CG是外部负载电容，其中已建成的芯片组。 （请参阅芯ζ片组的规格）

Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻。它▲的内置芯片一般设置。

Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?。这个阻力是没〖有必要的公共电路，但仅用于具有高电◎源电路。

一个稳定的石英晶体振荡器电路需要的负电阻，其值应是晶振阻力的至少五倍。它可写为|-R|>5的Rr。

例如，为了获得稳定的振荡电路中，IC的ζ　负电阻的值必须小于？200Ω时的晶振电阻值是40Ω。负阻“的↓标准来评估一个振荡电路的质量。在某些情况下，例如老化，热变化，电压变化，以及等等，电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的。因此，这是非常重＠要的衡量负电阻（-R）以下说明：

线路连接的电阻（R）与晶体串联

（2）从起点到振荡的停止点调整R的值。

（3）振荡期间测量R的值。

（4）你将能够获得负电阻的值，|•R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。

附：所连接的◤电路的杂散电容，可能会影响测定值。TAITIEN晶振,贴片晶振,XV晶振,XVFBGCNANF-12.000000晶振