希华晶体产品应用范围包含行动电话、平板电脑、卫星通讯、车载系统、全ξ球定位系统、个人电脑、无线通信及家用产▼品等，扮演基本信号源产生、传递、滤波等功能。持续致力于技术研究开发及有源晶振,温补晶振品质落实扎根，营运据点遍布台湾、中国大陆、日本、新加坡、美国及欧洲等世ㄨ界各地，使希华得以提供服务予世界电子大厂。 

SIWARD晶振,贴片晶振,SX-1210晶振,晶振本身●超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办卐公自动化,家电相关电器领㊣域及Bluetooth,Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

石英晶振◥的切割设计：用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割，可获得不同□特性的石英晶片，通常我们把晶∮振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位（角度）的切割称为石英晶片的切型。不ぷ同切型的石英晶片，因其弹性性质，压电性质，温度性质不同，其电特性也▓各异，石英晶振目前主要使用的有 AT切、BT切。其它切型还有 CT、DT、GT、NT 等

希华晶∮振规格	单位	SX-1210贴片晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	24.00MHZ~54.0MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作温度	T_use	-30°C ～ +70°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10-6 (标准), (±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 对于超出》标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息∩,/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出标准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C —  +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

SIWARD晶振,贴片晶振,SX-1210晶振所有产品的◤共同点

1：抗冲击

抗冲击是指晶振产品↓可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上⊙跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种石╱英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不╱良影响。

2：辐射

将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免『阳光长时间的照射。

3：化学制剂 / pH值环境

请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境』下使用或储藏这些产品。

4：粘合剂

请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀︻的胶粘剂。（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质→量,降低性能。）

5：卤化合物

请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用SMD金属外壳晶体部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用△任何会释放出卤素气体的树脂。

6：静电

过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操●作。