UM-4J晶振,高利≡奇环保晶振,金属◤面插件晶体

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Golledge晶振,家用电器晶振,UM-4J晶体

频率：10.000MHz~300.000MHz

尺寸：7.8*3.5mm

引脚焊接型石英晶体元件.工厂︼仓库长时间大量库存常用频点,.高ξ　精度的频率和晶振本身更低的等效串联电阻.常用⌒负载电容,49/S石英晶振,因插卐件型镜头成本更低和更高的批量生产能力.主要应用于电视,机顶盒,LCDM和游戏机家用常规电器数码产品等的最佳选择.符合RoHS/无铅.

订购热线：86-0755-27838351

Golledge晶振,家用电器晶振,UM-4J晶体.插件石英晶振最适合用于比较低端的电子产品,比如儿童◢玩具,普通家用电器,即使在汽车电★子领域中也能使产品高可靠性的★使用.并且可用于安全控制装置的CPU时钟信号发生源部分,好比时钟单片机上的石英晶振,在极端严酷的环境条件下,晶振也能正常工作,具有稳定的起振特性,高耐热性,耐热循环性和耐振性等∞的高可靠性能,由于在49/S形晶体谐振器〓的底部装了树脂底座,就可作为产品电气特性和高可靠性无受损的表面贴片型晶体谐振器使用,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

高利奇晶振凭借着对互联网和电子商务→的承诺,我们能够支持我们客户最复杂和最≡苛刻的需求使我们与其他供应商分开的是我们♀人民的经验和能力.我们的无源晶振生产业务团队是业界最有经验和最了解的之一,使我们能够提供我们的客户友好,专业的建议和一个非常有效的服务.

晶振高精密点胶技术:石英晶振晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定▲位系统的运用、使石英耐高温晶振晶片的点胶的精度在±0.02mm之内.将被上银电极的晶片装在弹簧支架上,点上导电胶↙,并高温●固化,通过弹簧即可引出电信号.

Golledge晶振

单位

UM-4J晶振

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

10.000MHz~300.000MHz

标准频率

储存温度

T_stg

-40°C~+85°C

裸存

工作温度

T_use

-10℃~+60℃

标准温度

激励功率

DL

1.0μW Max.

推荐:10μW

频率公差

f_— l

±30ppm

+25°C 对于超出标准的规格说明,

请联系「我们以便获取相关的信息,http://www.shubhamdrill.com/

频率温度特征

f_tem

30 × 10-6，±50 × 10-6

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

12pF~30pF

不同负载要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下〒表所示

-40°C — +85°C, DL = 100μW

频率老化

f_age

±3× 10-6/year Max.

+25°C,第一年

UM-4J

清洗

关于一般清洗液的使用以及超声波清洗没有问题,但这仅仅是对单个耐撞击晶振石英晶体产品进行试验所得的结果,因此请根据实际使◣用状态进行确认.由于音叉型晶体谐振器的频率范围和超声波清洗机的清洗频率很近,容易受到共振破坏,因此请尽可能避免超声波清洗.若要进行超声波清洗,必须事先根据实际使用状态进行确认.

自动安装时的冲击

自动安装和真空化引发的冲击♀会破坏产品特ω性并影响这些进口晶体振荡器.请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对产品特性产生影响.条件改变时,请重新检查安装条件.同时,在安装前后,请确保石英晶振未撞击机器或其他电路板等.

粘合剂

请勿使用可能导∞致压电晶振所用的封装材↘料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.)

卤化合物

请勿在卤素气体环境下使用无源晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的》氯气内或封装所用金属部件◆内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.

通电

不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致有源晶体无法产生振荡和/或非正常工作.晶振的软焊温度条件被设计成可以和普通▃电子零部件同时作业,但如果是超过规格以上的高温,则频率有可能发生较大的变化,因此请避免不必要的高温度.有关SMD产品的回流焊焊接温度描述,请参照“表面贴装型晶体产品的回流焊焊接温度描述”.

UM-4J

深圳市康华尔电子有限公司

QQ联系: 632862232

服务热线: 138-2330-0879

电话: 86-0755-27838351

邮箱: konuaer@163.com

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公司地址: 广东深圳市宝安宝『安大道东95号浙商银行大厦1905

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Golledge晶振,家用电器晶振,UM-4J晶体

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应用领域

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Golledge晶振	单位	UM-4J晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	10.000MHz~300.000MHz	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C~+85°C	裸存
工作温度	T_use	-10℃~+60℃	标准温度
激励功率	DL	1.0μW Max.	推荐:10μW
频率公差	f_— l	±30ppm	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系「我们以便获取相关的信息,http://www.shubhamdrill.com/
频率温度特征	f_tem	30 × 10-6，±50 × 10-6	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	12pF~30pF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下〒表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年