爱普生晶振,SG7050CAN晶体振荡器,X1G0044810001晶振.贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被▲广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千♀兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET发射基◣站等领域.符合RoHS/无铅.

石英晶振曲率半径加工技术:贴片式金◤属面晶振晶片在球筒↑倒边加工时应用到的加工技术,主要是研究满足不同曲率半径石英晶振晶片设计可使用的方法.如:1,是指球面加工ζ曲率半径的工艺设计(a,球面的余弦磨量;b,球面的↓均匀磨量;c,球∏面加工曲率半径的配合)2,在加工时球面测量标准的设计原则(曲率半径公式的计算).

爱普生晶振集团广泛用于通信行业的需求,包括→为电信々,无线和SATCOM以及WiMAX等新兴技术而设计的产∞品,包括用于电信的Stratum III和IIIE.此外,我们还为全球导航㊣　卫星系统(如GPS)提供高精度有源晶振,石英晶体振荡器,温补晶振等▆.所生产的有源贴片晶振,普通晶体振荡器(SPXO),低噪音压控晶体☉振荡器(VCXO),低振动温补晶体振荡【器(TCXO),高稳定恒温晶体振荡器(OCXO)广泛用于一些检测仪器,高端设备仪器,高精密设备等产品中.

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f0	1~75MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相⌒关信息
电源电压	VCC	1.6-3.6V	请联系我们以了解更「多相关信息
储存温度	T_stg	-40℃ to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -20℃ to +70℃	请联系我〖们查看更多资料http://www.shubhamdrill.com
		H: -40℃ to +85℃
		J: -40℃ to +105℃
频率稳定度	f_tol	J: ±25× 10-6
		L: ±50 × 10-6
		±100 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负卐载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80％ VCC Max.	ST 终端
	VIL	20％ VCC Max.
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间∩	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

静电

过高的静电可能会损坏SMD晶振,请注意抗静电条★件.请为容器ω和封装材料选择导电材料.在处理的时☆候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操卐作.

激励功率

在晶体单元上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率.

负极电阻

除非振荡回路中分配足够多的∞负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加.

负载电容

振荡电路中负载Ψ 电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调ㄨ整,可能只会导致不正常的振荡.在使用◤之前,请指明该振动电☉路的负载电容.

晶体振荡器和实时时钟模块

所有晶体振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供.

噪音

在电源或输入端上施加执行◆级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象.

输入终端⊙的处理

未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道Ψ都处于打开时,电源功率消※耗也会增加；因此,请将※未用输入终端连接到VCC或GND.

热影响

重复的温度巨大变化可能会降低受损害的有源石英振子单元的产品特性,并导致①塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.

安装方向

有源晶体振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因【此安装时,请检查安装方向是否正确.

通电

不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工「作.