MtronPTI晶振,耐高温晶振,M1325晶体.贴片石』英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产〗品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产㊣品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足△无铅焊接的高温回流温度曲线要求

贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长♀短、使用的研磨砂的◎型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有ξ　一项不完善都会使高精度石英晶振晶片的边缘效应不能⊙去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定.

MtronPTI于1965年成立于雷达,为高可靠♀性/高性能应用设计和制造定制RF和微波解决∩方案.2004年成立,由M-tron Industries,Inc.收购Piezo Technology,Inc. MtronPTI是LGL Group,Inc.的全资子公司.今天的MtronPTI晶振在所有地点均通过ISO9001:2008认证,并且今天继续管理严格的质量控制体系.MtronPTI还拥有AS9100 Rev C认证流程,并继续改善质量,加快流程,并在业务的各个方面管▲理需求流技术,以便在规定的正确时间交付正确的产品.

MtronPTI晶振	单位	M1325晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	12.000MHz~54.000MHz	标准频率
储存温度	T_stg	-55℃~+125℃	裸存
工作温度	T_use	-10℃~+60℃ 0℃~+70℃ -20℃~+70℃ -40℃~+85℃	标准温度
激励功率	DL	1.0μW Max.	推荐:10μW
频率公差	f_— l	±10ppm ±15ppm ±20ppm ±25ppm ±30ppm ±50ppm ±100ppm	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相︼关的信息,http://www.shubhamdrill.com/
频率温☆度特征	f_tem	30 × 10-6，±50 × 10-6	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	18pF 8pF~32pF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C —  +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

电源线路

电源的线路阻抗应尽可能低.

输出负载

建议将输出负↑载安装在尽可能靠近石英晶体振荡器的地方(在20mm范围之间).

未用输入终端的处理

未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都Ψ处于打开时,电源功率消耗也会增加；因此,请将未〒用输入终端连接到VCC或GND.

热影响

重复的温度巨大变化可能会降低受损害的无源晶振的产品特性≡,并▅导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.

安装方向

进口晶体振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.

通电

不建议〖从中间电位和/或极快速通电卐,否则会导致有源晶体无法产生振荡和/或非正常〇工作.

粘合剂

请勿使用可能导致5032晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.)

卤化合物

请勿在卤素气体环境●下使用无源晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内→或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.