NDK晶振日本电波工业株式◣会社作为压电石英晶△体元器件、压电石英晶△体、有源晶体、压电陶瓷〇谐振器、晶体」元器件的专业生产厂家,以“通过对客户的服∞务,为社会繁荣和世界和平作出※贡献”的创业理念为基础于1948年成立.

现在我们作为提供电子业必不可少的,在丰富用途被广泛使用的晶体元器件产品以及应用水晶技术的传感器等新的高附加价值产品的频〖率综合生产厂家,正以企业的继续成长为目标∑　而努力.

日本电波工业株式会社NDK晶振经营范↙围：石英晶体谐∩振器、晶体振荡器等晶体元█器件、应用器件、石英晶振,陶瓷晶振,声表面谐振器,有源晶振,压控振荡器,贴片晶振,人工水晶及芯片等的晶体相♀关产品的制造∑与销售

NDK晶振『日本电波工业株式会社的发展历史：

1948 年  在东京都中央区日本桥设立南部商工株式会社生产销售32.768K,时钟晶体,压电石英晶体,有源晶振,压控振荡器,贴片晶振等元器件.

1949 年  开始晶体」谐振器,晶体振荡器,有源←晶振的制造、销售

1950 年  NDK晶振公司名变更为日本电波工业株式会社

 总公司迁移登记◎至东京都涉谷区大山町

1954 年  建设、迁移总公司及工厂至东京都涉谷区代代木新町（现为 涉谷◤区西原）

1959 年  日本电波工业株式NDK晶振会社开始晶体滤波器,晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器的⊙制造

1960 年  开始晶体■振荡器,贴片晶振,声表面滤波器,陶瓷雾化⌒片☆,石英晶体谐振器,石英晶〗体的制造

1962 年  日本电波工业株式NDK晶振会社着手在崎玉县狭山市建立新工厂（现为 狭ω山事业所）

1963 年  在狭山事业所建成人工水◆晶工厂、开始人工水晶的制造

 在狭山事业所建成水晶切断工厂,在日本证券业协会进行店面登记

1964 年  在狭山事业所建成组装工厂

 在大阪府大阪市设立大阪办事处∴

1970 年  在新泻县新泻市建立Hawk Denshi株式会社（现为 新泻NDK）

1975 年  日本电波工业株式NDK晶振会社在美国加利福＠ 尼亚州设立美国办事处

1976 年  在宫城县古川市（现为 大崎市）建立古川NDK株式会社

1979 年  在〓马来西亚建立Asian NDK Crystal Sdn. Bhd.生产销售32.768K,时钟晶体,压电石英晶体,压控晶体振荡器（VCXO）、温补石英晶体振荡器（TCXO）、恒温晶↑体振荡器（OCXO）、陶瓷谐振器等

 日本电波工业株式NDK晶振会社为取得更大发展而解散美√国办事处,设立NDK America, Inc.

1985 年  日本电波工业株式会社NDK晶振在狭山事业所主楼竣工

1986 年  在爱知县冈崎市设立中部营业所

 在马来☆西亚建立Malaysian Quartz Crystal Sdn. Bhd.（现为 NDK Quartz Malaysia Sdn. Bhd.）

 狭山事业所新馆竣工

1988 年  在新加坡ㄨ设立NDK Electronics Singapore Pte. Ltd.（现为 NDK Crystal Asia Pte. Ltd.）

 在英国设立NDK Europe Ltd.

1989 年  北在北海道函馆▲市建立函馆NDK株式会社

1990 年  在东京都新→宿区西新宿设立总公司事务所 在东京↑证券交易所 市场第2部上市

1994 年 在中国江苏省建立苏州日本电波工业有限公司▼,生产销售石英晶振,有源晶振,压控振荡器,恒温晶体振荡器⌒（OCXO）、陶瓷谐振器等,在意大利设立NDK Italy Srl（现为 NDK Europe Ltd. Italy Office）NDK取得ISO9001认证

1995 年  在香港成立日本〇电波工业（香港）有限公司

1998 年  NDK取得QS9000认证 在东京证券╱交易所 市场第1部上市

1999 年  狭山事业所〇取得ISO14001认证

2001 年  在※德国设立NDK Europe Ltd. German Office

2002 年  NDK America, Inc. 的总公司办公室搬至美国伊利诺斯∞州在美国伊利诺斯州成立※NDK America, Inc. 在北海道函馆市建立NRS Technologies Inc. 在中国上海设立日电波水晶（上海）贸易有限公司

2004 年  在北海道千岁市成立千岁技术中心

2005 年  函馆NDK晶振吸收合并NRS Technologies Inc. 总公司搬〗至东京都涉谷区笹冢

2008 年  品质保证试验室取∑　得ISO/IEC 17025：2005的认证获东京▂海关批准为特定出口商

2009 年  狭山事务㊣所内的新研发大楼"Laboratory ATOM"竣工在中国苏州设立●苏州日电波贸易有限公司

2010 年  NDK石英晶振成为日本国内第一家遵循IFRS准则的企业

2014 年  NDK晶振集团取得ISO13485认证

2015 年  日本电波工业株式会社NDK晶振总部迁到东京都涩谷区笹冢（和迁移前相同区域△）

NDK晶振,贴片晶振,NX1612SA晶振,NX1612SA-32.000MHZ-CHP-CIS-3晶振,小型贴ξ片石英晶振,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如〓智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小♀型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,Wireless LAN等短距离︽无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

石英晶振高精度晶片的抛光技术：贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面♀度更好,降低谐振电阻,提高Q值.从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接『近理论值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先进的牛顿环及单色光的方¤法去检测晶片表面的状态.

NDK晶振规格	单位	NX1612SA晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	24MHZ~80MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作温度	T_use	-30°C ～ +85°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10-6 (标准), (±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 对于超出标准∮的规格说明, 请联系我◣们以便获取相关的信息,/
频率◤温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF	超出标准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表︼所示	-40°C —  +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

在使用NDK晶振时应注意以下事项

以下是石英晶振电路设计匹配问题：

一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下：
镉和CG是外部负☉载电容,其中已∮建成的芯片组. （请参阅芯片↑组的规格）
Rf为具有200KΩ.1MΩ反馈电阻.它的内置芯》片一般设置.
Rd为限流电√阻470Ω与1KΩ.这个阻力是没有必ω要的公共电路,但仅用于具有高电源电路.

一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是NDK晶振阻力的至少五倍.它可写为|-R|>5的Rr.
例如,为了№获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于？200Ω时的晶振电阻值≡是40Ω.负阻“的标准来评估一个∴振荡电路的质量.在某些→情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的.因此,这是非▅常重要的衡量负电阻（-R）以下说明：

线路连接的电★阻（R）与晶体串联
（2）从起点到振荡的停止点调整R的值.
（3）振荡期间测量R的值.
（4）你将能够获得负电阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶卐振的阻力.
附：所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定╱值.

如果低功耗晶振的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路.如果是这样的话,我们∑　有三种方法来改善这样的情况：

降低外部电容（Cd和CG）的值,并采用其他晶振具有较低负载电容（CL）.
 采用具有较低→电阻（RR）的晶振.NDK晶振,贴片晶振,NX1612SA晶振,NX1612SA-32.000MHZ-CHP-CIS-3晶振
 使用光盘和CG的不等价的设计.我们可以增加镉（XOUT）的负载电容和降低CG（辛）的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出.

当有信号输⌒出从XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路是极其巨▼大的.我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间,以驱动后端电路.

但1-5的方法上面提到的,你〓也可以按照步骤1-4-4的三种方法.如有不明白请联系我公司晶振的应用工程师和IC制造商寻求∑　进一步的帮助,如果你的问题不能得到解决.系统无法运行,因为晶体没有足够的输出波形振幅.