温补晶振(TCXO)产品本身具『有温度补偿作用,高低温度∏稳定性:频率精度0.5PPM~2.0PPM,常用频率:26M,33.6M,38.4M,40M.因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产︼品领域,GPS全球定位▅系统,智能手机,WiMAX和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.

爱普生品牌系列千赫子的》石英贴片晶振,目前占据了中国市场进口晶25％的份额,品牌质量,货期,品种,品质是广大用户有目共睹,从MC-146晶振最早期从MP4,MP3收音机模块启用开始,在到国内外各大知名品牌手机,最后应用到国内山寨手机市场,几乎占据80％的手机行业晶振类别,产品本身特点是体积小,耐高温,稳定性能高,排带包装,应用自动贴片方便.爱普生〒晶振小体积SMD时钟晶→体谐振器,是贴片音叉晶体,千赫频率元件,应用于时钟模块,智能手机,全球』定位系统,因产品本身体积小,SMD编带型,可应用于高性能自动贴片焊接,被广泛应用到各种小巧的便携式消费电子数码时间产〓品,环保性能符合ROHS/无铅标准.

爱普生晶振,温补晶振,TG2016SAN晶振,X1G0044210003晶振,温补晶振(TCXO)产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM-2.0 PPM,工作温度范围:-30度至85度,电源电压:1.8V-3.3V之间可▲供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.

石英晶振产品电极的〓设计：石英晶振产品的电极对于石英晶体振荡器元器件来讲作用是1.改变频率；2.往外界引出电卐极；3.改变电阻；4.抑制杂波。第1、2、3项相对》简单，第4项的设计很关键，电极的形状、尺寸、厚度№以及电极的种类(如金、银等)都会导致第4项的变化。特别是随着晶振的晶片尺寸↑的缩小对于晶片电极设计的形状及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等对晶振产品的影响的程度增大，故对电极的设计提出了更精准的要求。

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f0	13~34.8MHZ	请联Ψ 系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	VCC	1.1V to 1.4V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.shubhamdrill.com
		H: -40℃to +105℃
		J: -40℃to +125℃
频率★稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCCMax.	ST终端
	VIL	20 % VCCMax.
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25℃,初年度,第一年

爱普生TCXO进口日产晶振型号列表:

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	F.Tol@25°C	Ope Temperature	Freq/Temp	I [Max]	Freq. Control	25°C Aging
TG2016SAN	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.6 mA		+/-1ppm
TG2016SAN	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.6 mA		+/-1ppm
TG2016SAN	38.400000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 2.0 mA		+/-1ppm
TG2016SAN	24.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.6 mA		+/-1ppm
TG5032CAN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-2.0 ppm	0 to +70 °C	+/-0.10 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
TG5032CAN	15.360000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-2.0 ppm	0 to +70 °C	+/-0.10 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
TG5032CAN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-2.0 ppm	0 to +70 °C	+/-0.10 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
TG5032CAN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-2.0 ppm	0 to +70 °C	+/-0.10 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
TG5032CAN	19.200000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.25 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
TG5032CAN	26.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.25 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm

爱普生TCXO进口日产晶振编码列表:

X1G0044210003	TG2016SAN	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.6 mA		+/-1ppm
X1G0044210004	TG2016SAN	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.6 mA		+/-1ppm
X1G0044210005	TG2016SAN	38.400000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 2.0 mA		+/-1ppm
X1G0044210007	TG2016SAN	24.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.6 mA		+/-1ppm
X1G0044310086	TG5032CAN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-2.0 ppm	0 to +70 °C	+/-0.10 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
X1G0044310088	TG5032CAN	15.360000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-2.0 ppm	0 to +70 °C	+/-0.10 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
X1G0044310093	TG5032CAN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-2.0 ppm	0 to +70 °C	+/-0.10 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
X1G0044310097	TG5032CAN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-2.0 ppm	0 to +70 °C	+/-0.10 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
X1G0044310101	TG5032CAN	19.200000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.25 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
X1G0044310102	TG5032CAN	26.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.25 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm

机械振动的影响:当小型有源贴片晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如：压电扬声器,压电Ψ蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和ぷ幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐〗事先检查并按照下列安装指南进行操作。爱普生晶振,温补晶振,TG2016SAN晶振,X1G0044210003晶振

晶振产品使用每种产品时,请在规格说明或产品目录规定使用条件下使用⌒　。因很多种2016mm封装贴片晶振晶振产品■性能,以及材料有所不同,所以使用注意事项也有所不同,比如焊接模式,运输模式,保存模式等等,都会有所差别。

晶振产品的设计和〗生产直到出厂,都会经过严格的测试检测来满足的规格要求。通过严格的出厂前可靠性测试以提供高质量高的可靠性的进口超小型有源晶振.但是为了石英晶振的品质和可靠性,必须在适当的条件下存储,安 装,运输。请注意以▂下的注意事项并在最佳的条件下使用产品,我们将对于客户按自己的判断而使用石英晶振所导致的不良不负任何责任。