有源晶振,是只石英晶振本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电■压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

爱普生日产晶振以音叉型石英晶体谐振器,（32.768KHZ）系列出名,目前爱普生品牌遍布全世界,而千赫兹的晶ㄨ体应用范围也比较广阔,所有的时记产品都需要用▃上KHZ系列晶体,该系列产品具有小型,薄型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场◥领域.是对应陶瓷╱晶振（偏差大）和通常的石英晶体∞谐振器（偏差小）的中间领域的一种性价比出色的产品.最适用于HDD, SSD, USB数码产品,播放器、数码相机、笔记本电脑、移动电话等.等用途.

爱普生晶振,温补晶振,TG-5035CJ晶振,X1G0038410002晶振,2016mm体积的▽温补晶振(TCXO),是目前有『源晶振中体积最小的一款,产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性☆晶振︽.为对应低电源电压的产品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 对应IC可能) 高度：最高0.8 mm,体积：0.0022 cm3,重量：0.008 g,超小型,轻型,低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊)无铅产品.满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,带有AFC(频率控制)功能,Enable/Disable功能,产品本身可根据使用需要进行∩选择.

石英□晶振的切割设计：用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割，可获得不同特性◣的石英晶片，通常我们把晶振的石英晶体振№荡器晶片对晶棒坐标轴某种方位（角度）的切割称为石英①晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其弹性性质，压电性质，温度性质【不同，其电特性也各▓异，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型还有 CT、DT、GT、NT 等。

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f0	13~38.4MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信≡息
电源电压	VCC	1.7 V to 3.3 V	请联系㊣　我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.shubhamdrill.com
		H: -40℃to +105℃
		J: -40℃to +125℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频》率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
	VOL	0.4 V Max.
输ω出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCCMax.	ST终端
	VIL	20 % VCCMax.
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF
振荡启∏动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25℃,初年度,第一年

爱普生TCXO进口日产晶振型号列表:

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	F.Tol@25°C	Ope Temperature	Freq/Temp	I [Max]	Freq. Control	25°C Aging
TG-5035CJ	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
TG-5035CJ	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
TG-5035CJ	33.600000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
TG-5035CJ	16.369000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
TG-5035CJ	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.5 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
TG-5035CJ	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
TG-5035CJ	38.400000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 2.0 mA		+/-1ppm
TG-5035CJ	52.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 2.0 mA		+/-1ppm
TG-5035CJ	16.368000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
TG-5035CJ	24.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
TG-5035CJ	16.369000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm

爱普生TCXO进口日产晶振编码列表:

X1G0038410002	TG-5035CJ	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
X1G0038410004	TG-5035CJ	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
X1G0038410010	TG-5035CJ	33.600000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
X1G0038410011	TG-5035CJ	16.369000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
X1G0038410015	TG-5035CJ	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.5 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
X1G0038410017	TG-5035CJ	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
X1G0038410026	TG-5035CJ	38.400000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 2.0 mA		+/-1ppm
X1G0038410027	TG-5035CJ	52.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 2.0 mA		+/-1ppm
X1G0038410029	TG-5035CJ	16.368000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
X1G0038410030	TG-5035CJ	24.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
X1G0038410033	TG-5035CJ	16.369000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm

所有产品的共∞同点1：抗冲击:抗冲击是□　指金属面晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例↓如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果ω产品已受过冲击请勿使用。因为无论∴何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打¤都会给晶振照成不良①影响。2：辐射:将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因卐此应避免阳光长时间的照射。3：化学制剂 / pH值环境:请勿在PH值范围可能导致腐蚀或☉溶解石英晶振或包装材料的环境下使◆用或储藏这些产品。

4：粘合剂:请勿使用可能导致2016小型贴片晶振所用的封装↑材料,终端,组件,玻璃材料以∑及气相沉积材料等受到腐蚀的「胶粘剂。（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。）5：卤化合物:请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少〖量的卤素气体㊣　,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。6：静电:过高的静】电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条☆件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的〓时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏ぷ的测量电路,并进行接地操作。

晶振产品使用每种产品时,请在智能手机晶振规格说明或产品目♀录规定使用条件下使用。因很多种晶振产品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事◤项也有所不同,比如焊接模式,运输模式,保存ぷ模式等等,都会有所差别。爱普生晶振,温补晶振,TG-5035CJ晶振,X1G0038410002晶振