泰艺晶振,有源晶振,VW晶振,有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实√现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种◢电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同√IC产品需要.
有源晶振高频振荡器使用IC与晶╳片设计匹配技术：有源晶振是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题。在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外，还有石英晶体※振荡器的电极设计等其它的特殊性，必须考虑石英晶体振荡▓器的供应电压、起动电压和产品上升Ψ时间、下降时间等相关参数。
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项目 |
符号 |
规格说明 |
条件 |
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输出频率范▓围 |
f0 |
60-175MHz |
请联系◥我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
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电源电压 |
VCC |
3.3V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
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储存温度 |
T_stg |
-55℃?to +125℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
G: -40℃?to +85℃ |
请联系我们查看更多↘资料/ |
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H: -40℃?to +105℃ |
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J: -40℃?to +125℃ |
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频率稳「定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
? |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
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待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
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输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
? |
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VOL |
0.4 V Max. |
? |
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输出负载条》件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
? |
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输入电压 |
VIH |
80% VCC?Max. |
ST?终端 |
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VIL |
20 % VCC?Max. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC?to 80 % VCC?极, L_CMOS=15 pF |
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振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6?/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
石英晶振自动安装和真空化引发的↑冲击会破坏产品特性◢并影响这些产品。请设ζ置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对晶振特性产生影响。条件改变时,请重ζ新检查安装条件。同时,在安装前后,5032mm晶振请确保石英晶☆振产品未撞击机器或其♂他电路板等。
每个封装类型的注意事项
(1)陶瓷包装晶振与SON产品
在焊接陶瓷封装☆晶振和SON产品 (陶瓷包装是指晶振外观采』用陶瓷制品) 之后,弯曲电路板会因机械应力而导致焊接部分剥落或封装分裂⌒（开裂）。尤其在焊接这些产品之↙后进行电路板切割时,5032SMD晶振务必确保在∏应力较小的位置布局晶体并采用应力更小的切割方法。
(2)陶瓷包∑装石英晶振
在一个不同「扩张系数电路板（环氧玻璃）上焊接陶瓷封装石英晶振时,在温度长时间重复变★化时可能导致端子焊接部分发△生断裂㊣ ,请事先检查焊接特性。
（3）柱面式产品●
产品的玻璃部分直接〓弯曲引脚或用力拉伸引脚会导致在引脚根部发生密封玻璃分裂（开裂）,也可能导致气密性和产品特性受到破坏。当有源晶振的引脚需〓弯曲成下图所示形状时,应在这种场景下留出0.5mm的引脚并☉将其托住,以免发生分裂。当该引脚需修复时,请勿拉伸,托住弯曲部分进行修正。5032晶体振荡器在该密封部分上施加一定压力,会导致气密性受到损▓坏。所以在此处请不※要施加压力。另外,为避负机器共振造成引脚疲劳切断,建议用粘着剂将产品固在定电路板上。
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