5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站

爱普生晶振,TG5032CKN晶振,温补晶体振荡器

爱普生株式会社EPSON晶振,爱普生拓优科梦,(EPSON—YOCOM)1942年成立时是精工集团的第三家手表制造公司,以石英手表起家的爱普生公司到后续的生产压电石英晶振, 晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器, 压控晶体振荡器（VCXO）、温补晶体振荡器（TCXO）。1996年2月在中国苏州投资建厂,在当时员工人数就达2000人,总投资4.055亿美元,公司占地200亩,现已经是世界500强企业.

日本精工爱普生晶振接受了中国苏州政府2007 年的招商引资,命名为【爱普生拓优科梦水晶元器件(苏州)有限公司】 爱普生拓优科梦(Epson Toyocom)是精工爱普生株式会社与爱普生晶振(中国)有限公司共同投资成立的有限责任公司(外商合资).

爱普生晶振公司已经建立了一个原始的垂直整合制造模型的最佳手段持续为客户创造新的价值,并决定使用这个模型来驱动前面提到的四个关键领域的创新.这意味着从头开始创建产品:创建我们自己的独特的核心技术和设备,使用这些作为基地的规划和设计提供独特价值的产品,生产或制造的艺术和科学,我们积累了多年的专业知识,然后生产晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器, 32.768K钟表晶振,温补晶振等出售给我们的客户.

爱普生晶振公司加强人力资源的全功能,技术,生产,销售和支持和环境问题,利用信息技术,推进我们的原始制造模式寻求实现我们的愿景.视野下就像我提到的,我们的目标是使用我们的技术来创建一个新的连接人的时代,事物和信息,这样我相信我们可以成为不可或缺的公司为我们的客户和社会.

爱普生晶振,TG5032CKN晶振,温补晶体振荡器

爱普生拓优科梦把半导体（IC）称之为“产业之米” ,并认为晶体元器件更是离不开的“产业之盐”将迚一步致力于小型,高稳定,高精度晶体元器件的开发, 为现有的应用程序以及生活新蓝图开拓广阔前景. 爱普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得爱普生拓优科梦的晶体元器件已以23%的市场占有率位于业界第一.
那我们说说爱普生KHZ的产品工艺』吧,爱普生KHZ产品分有圆柱DIP和贴片SMD.KHZ中爱普生是以32.768KHZ最为出名的. 32.768K晶振是一款数字电路板都要使用到 的重要部件,有人比喻为电路板的心跳发生器,也就是说心如果停止了跳动,那么电路板也 将无法迚行稳定的工作了.32.768K中爱普生C-002RX是一款受欢迎的圆柱音叉晶振,体积只有2*6mm.不精工的VT-200-F,西铁城的 CFS206,KDS的DT-26 同体积同参数.因此说道的四款型号晶振都是可以相互替换使用的.只是有客户比较钟爱某个品牌, 或者是上级有要求一定要用什么品牌的.C-002RX具有的优点有
1,超小型、薄型、质地轻的音叉圆柱晶振,使焊接更为方便简单.
2,具备优良的耐热性、耐环境特性
3,金属外壳的使用使得产品在封装时能发挥比陶瓷外壳更好的耐冲击性.
爱普生除此C-002RX晶振,C-001也是工艺中比较常用到的音叉晶振,体积大概只有3*8mm. 只是2*6体积稍微小一点, 比较受广发消贶者的爱戴. 同此相比, 当然＠也有比2*6更小的体积了,例如体积只有5*1.5mm的C-004R圆柱晶振,4.5*1.2mm的C-005R圆柱晶振.价格相对来说都是比较贵的.因为体积小就意味着占用空间小.
KHZ 贴片系列,爱普生在这一系列上做的可是相当的卓＠ 越,将贴片晶振最小体积做到了2.05*1.25*0.35mm.在这之前最小的体积基本上就是3.2*1.5mm.爱普生的丌断突破使 其在市场上占有绝对的优势. 只是这款贴片晶振价格是相当的昂贵. 因为里面晶片磨的越小, 就代表工艺越复杂.该贴片晶振具有的优点
1,高精度小型表面贴片型晶体谐振器
2,轻薄型不小型化为高端产品带来了更大的方便
3,可发挥优良的电气特性
4,金属外壳的使用使得产品在封装时能发挥比陶瓷外壳更好的耐冲击性.

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f0	10MHZ~54MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	VCC	3.3 V Typ	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-40℃to +105℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃to +105℃	请联系我们查看更多资料http://www.shubhamdrill.com
		H: -40℃to +85℃
		J: -40℃to +85℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCCMax.	ST终端
	VIL	20 % VCCMax.
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25℃,初年度,第一年