小型贴片石英晶振主要采用了，先进的晶片的¤抛光工艺技术，是晶体行业中石英晶片研磨技术中表面处理的最高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，大大的降♀低谐振电阻，使精度得到了很大的提升。改变了传统☆的生产工艺，使产品在各项参数得到了很大的改良,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比ω如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.

爱普♀生晶振,SG5032EEN晶振,LV-PECL贴片晶振

EPSON爱普生公司成立于1942年5月,总部位于日本长野县诹访№市,是全球数一数二的晶振制造商,是数码映像领域的全球领先企业.全称为爱普生拓优科梦（Epson Toyocom）将进一步究极用精微加工发挥“石英”材料的优越性能的■“QMEMS”技术,创造出体积更小,更高性能或全新功能的※电子元器件.爱普↘生晶振在32.768KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得爱普生拓优科梦的晶体元器件已以23%的市场占有率位于业界第一.主要↑产品系列:无源晶振,有源晶振,可编程晶振,SMD crystal,DIP crystal,石英晶体振荡』器,温补晶振,压控石英水晶振荡卐子,VC-TCXO等等.独创QMEMS技术,生产出更小更高性能和全新功能的晶振产品.全球晶振产品市场占有率最大.可编程晶振能适应各种客户的独特需求.由于其制造」工艺处于世界顶尖水平,价格也是相对于其他平牌要高.被广泛的应用于各类计量仪表,医疗电子设备,汽车电子和各类高端消费类电子∑　产品.
2010年晶振全球厂家排名中,在占据首位.爱普生仅此一项水晶振动子行业就能足矣让电子世界的人都敬佩不已.爱普生㊣晶振以32.768KHZ晶振称霸晶振行□业,主要消费在手机,PCB,等电子产品.同时爱普生以提供原子钟的精准振荡器知名业界.仅此在音叉振子和①振荡器还达不到爱普生本身的要求.他们要求的是在元器件占领NO1.因此除了KHZ，MHZ的研究发展,另外还发明GHZ技术,使工艺技术达到人无完人,史前无例,实现以基波方式产生2.5GHZ为止高频的表面声波（SAW）元器件.

爱∩普生晶振,SG5032EEN晶振,LV-PECL贴片晶振

爱普生拓优科≡梦把半导体（IC）称之为“产业之米”,并认为晶体元器件更是离不开的“产业之盐”将进一步致力▲于小型,高稳定,高精度晶体元器件的开发,为现有的应用程序以及生活新蓝图开拓广阔前景.爱普生▲晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得爱普生拓优科梦的晶体元器件已以23%的市场占有率位于业界第一.
那我们说说爱普生KHZ的产品工艺吧,爱普生KHZ产品分有圆柱DIP和贴片SMD.KHZ中々爱普生是以32.768KHZ最为出名的. 32.768K晶振是一款数字电路板都要使用到的重要部件,有人比喻为电路板的心跳发生器,也就是说心如果停止了跳动,那么电路板也将ξ　无法进行稳定的工作了.32.768K中爱普生C-002RX是一款受▼欢迎的圆柱音叉晶振,体积只有2*6mm.精工的VT-200-F,西铁城的CFS206,KDS的DT-26同体积同参数.因此说道的四款型号晶振都是可以相互替换使用的.只是有客户比◇较钟爱某个品牌,或者是上级有要求一定要用什么品牌的.C-002RX具有的优点有
1,超小型、薄型、质地轻的音叉圆柱晶振,使焊接更为方便简单.
2,具备优良的耐热性、耐环境特性
3,金属外壳∏的使用使得产品在封装时能发挥比陶瓷外壳更好的耐冲击性.
爱普生除此〓C-002RX晶振,C-001也是工艺中比较常用到的音叉晶振,体积大概只有ぷ3*8mm.只是2*6体积稍微小一点,比较受广发消费者的爱戴.同此相比,当然也有比2*6更小的体积了,例如体积】只有▅5*1.5mm的C-004R圆柱晶振,4.5*1.2mm的C-005R圆柱晶振.价格相对来说都是比较贵的.因为体积小就意味着占∩用空间小.
KHZ贴片系列,爱普生在这一系列上做的可是相当的卓越,将贴片晶振最小体积做到了2.05*1.25*0.35mm.在这之前最小的体积基本上就是3.2*1.5mm.爱普生的不断突破使其在市场上占有绝对的优势.只是这款贴片晶振价格是相当的昂贵.因为里面晶片磨的越小,就代表工艺越复杂.该贴片晶振具有的优点
1,高精度→小型表面贴片型石英晶体谐振器
2,轻薄型不小型化为高端产品带来了更大◣的方便
3,可发挥优良的电气特性
4,金属△外壳的使用使得产品在封装时能发挥比陶瓷外壳更好的耐冲击性.

项目	符号	SG5032EEN (Clipped sine wave)		条件
		VC-TCXO	TCXO
输出Ψ频率范围	f0	25 MHZ~500 MHZ
		10, 12.8, 19.2, 20, 24.576, 25, 25.6, 26, 30.72, 38.4, 38.88, 40 MHz		标准频率
电源电压	VCC	C: 3.3 V ± 5 % (标准) (电源电压范围 : 2.5 V ~ 3.63 V)
储存温度范围	T_stg	-55°C ~ +125°C		裸存
工作温度范围	T_use	G: -40 °C ~ +85°C
a) 频率初期公差↙	f_tol	± 1.0 × 10-6Max.		在回流□　焊后, +25 °C
b) 频率温度特征	fo-TC	A: ± 0.1 × 10-6Max. / G: -40 °C ~ +85°C H: ± 0.25 × 10-6Max. / G: -40 °C ~ +85°C B: ± 0.28 × 10-6Max. / G: -40 °C ~ +85°C		频率 (fmax + fmin) / 2 基准
c) 频率负载变动特√征	fo-Load	± 0.1 × 10-6Max.		Load ±10 %
d) 频率电源电压特征	fo-VCC	± 0.1 × 10-6Max.		Vcc± 5 %
e) 频率老化	f_age	± 0.5 × 10-6Max		+25°C , 第一年
		± 3.0 × 10-6Max.		+25°C , 20年
Holdover stability (温度固定)	-	± 0.01 × 10-6Max. (+25 °C , 24时间)		工作开始10日后基准
		± 0.04 × 10-6Max. (+25 °C , 24时间)		工作开始48时间后基准
Wander generation ( MTIE, TDEV )	-	-		符合 GR-1244CORE , ITU-T G.8262
Free-run accuracy	-	± 4.6 × 10-6Max.		这包括项目a), b), c), d), e)
功耗	ICC	5.0 mA Max.
输入电阻	Rin	100 kΩ Min.	-	VC- GND (DC)
频率控制范围	f_cont	± 5 × 10-6~ ± 10 ×10-6	-	D : VC= 1.5 V ± 1.0 V at VCC= 3.3V E : VC= 1.65 V ± 1.0 V at VCC= 3.3V
输出电●压极	VPP	0.8 Min.		峰 - 峰值
振荡启动时间	t_str	5.0 ms Max.		在90 % VCC时，所需时间为0 秒
输出负载	Load	10 kΩ / 10 pF