智能手机有源▃晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英♂晶体振荡器,适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等数码产品类别,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能ζ　适用于移动通信领域,满足无铅工作的高温回流温度曲线要求.

爱普生晶振,SG-8101CA晶振,可编程晶振

EPSON爱普生公司成立于1942年5月,总部位于日本长野县诹访市,是全球数一数二的晶振制造商,是数码映像领域的全球领先企业.全称为爱普生拓优科梦（Epson Toyocom）将进一步究极用精微加工发挥“石英”材料的优越性能的“QMEMS”技术,创造出体积更小,更高性能或全新功能的电子元器件.爱普生晶振在32.768KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得爱普生拓优科梦的晶体元器件已以23%的市场占有率位于业界第一.主要产品系列:无源晶振,有源晶振,可编程晶振,SMD crystal,DIP crystal,石英晶体振荡器,温补晶振,压控石英水晶振荡子,VC-TCXO等等.独创QMEMS技术,生产出更小更高性能和全新功能的晶振产品.全球晶振产品市场占有率最大.可编程晶振能适应各种客户的独特需求.由于其制造工艺处于世界顶尖水平,价格也是相对于其他平牌要高.被广泛的应用于各类计量仪表,医疗电子设备,汽车电子和各类高端消费类电子产品.
2010年晶振全球厂家排名中,在占♀据首位.爱普生仅此一项水晶振动子行业就能足矣让电子世界的人都敬佩不已.爱普生晶振以32.768KHZ晶振称霸晶振行业,主要消费在手机,PCB,等电子产品.同时爱普生以提供原子钟的精准振荡器知名业界.仅此在音叉振子和振荡器还达不到爱普生本身的要求.他们要求的是在元器件占领NO1.因此除了KHZ，MHZ的研究发展,另外还发明GHZ技术,使工艺技术达到人无完人,史前无例,实现以基波方式产生2.5GHZ为止高频的表面声波（SAW）元器件.

爱普生晶振,SG-8101CA晶振,可编程晶振

全套日本爱普生晶振生产设备,全自动封胶点焊,网络系统自动分频检测设备,SMD全套现代化生产线.贴片晶振,全套材料采用日本进口,日本电波NDK晶振原厂供应晶片材料,采用KYOCER CRYSTAL京瓷晶振外壳基座.主要生产:石英晶振,贴片晶振,有源晶振,石英晶体谐振器,石英晶体振荡器,32.768K钟表晶振,陶瓷雾化片,晶振,谐振器,等产品.并且代理日本进口晶振,爱普生晶振,KDS晶振,精工晶振,京瓷晶振,NDK晶振,村田晶振等多家日本一线品牌.与我国台湾,TXC晶振,鸿星晶振,希华晶振,加高晶振等品牌成为战◆略合作伙伴.

在2018年与多个欧美晶振品牌签订代销代理同盟合作关系:ECS晶振,Abracon晶振,CTS晶振,JAUCH晶振,的多个有源晶振进口品牌合作关系,主要以车规晶振,工业级晶振,差分晶振,差分晶体振¤荡器,进口差分晶振,军工晶体为主打.优质的品质:高频,高稳,高温,高质量,小尺寸,低相噪,低抖动,低能耗,低损耗,低功率,底电源电压等优势的进口差分晶振.是国内最早采用SMD全自动化生产企业,并且2005年在赣州地区信丰工业园自购土地兴建现代化生产厂房,实至名归晶振厂家高新企业,产品60%用于出口.主要以数码产品,智能穿戴,家居智能化,汽车电子,医疗设备,手机导航等产品为主要客户源.康华尔电子-以品质求生存,完善的工艺,先进的设备,服务市场,服务客户.

项目		符号	规格说明				条件
电源电压		VCC	1.80 V Typ.		2.50 V Typ.	3.30 V Typ.
			1.62 to 1.98V	1.98 to 2.20V	2.20 to 2.80V	2.70 to 3.63 V
输出频率范围		f0	0.67 MHz to 170 MHz
储存温度		T_stg	-40℃ to +125℃				裸存
工作温度		T_use	G: -40℃ to +85℃ H: -40℃ to +105℃
频率稳定度 *1		f_tol	B: ±15 × 10-6				T_use= -40℃ to +85℃
			C: ±20 × 10-6				T_use= -40℃ to +105℃
			J: ±50 × 10-6				T_use= -40℃ to +105℃
功耗		ICC	3.2mA Max.	3.3mA Max.	3.4mA Max.	3.5mA Max.	T_use= +105℃					无负载条件 f0= 20 MHz
			2.7mA Typ.		2.9mA Typ.	3.0mA Typ.	T_use= +25℃
			5.5mA Max.	5.8mA Max.	6.7mA Max.	8.1mA Max.	T_use= +105℃					无负载条件 f0= 170 MHz
			4.7mA Typ.		5.7mA Typ.	6.8mA Typ.	T_use= +25℃
输出禁用电流		I_dis	3.2mA Max.	3.2mA Max.	3.3mA Max.	3.5mA Max.	OE=GND , f0= 170 MHz
待机电流		I_std	0.9μA Max.	1.0μA Max.	1.5μA Max.	2.5μA Max.	T_use= +105℃					ST = GND
			0.3μA Typ.	0.4μA Typ.	0.5μA Typ.	1.1μA Typ.	T_use= +25℃
占空比		SYM	45% to 55%				50% VCC级
输出电压 (DC特性)		VOH	90% VCCMin.				[mA]
							tr / tf				Vcc		A	B	C	D
							默认 (f0>40MHz) 快速				IOH		-2.5	-3.5	-4.0	-5.0
											IOL		2.5	3.5	4.0	5.0
							默认 (f0≦40MHz)				IOH		-1.5	-2.0	-2.5	-3.0
		VOL	10% VCCMax.								IOL		1.5	2.0	2.5	3.0
							缓慢				IOH		-1.0	-1.5	-2.0	-2.5
											IOL		1.0	1.5	2.0	2.5
							A: 1.62 to 1.98 V , B: 1.98 to 2.20 V C: 2.20 to 2.80 V , D: 2.70 to 3.63 V
输出负载条件 (CMOS)		L_CMOS	15pF Max.
输入电压		VIH	70% VCCMin.				OE orST
		VIL	30% VCCMax.
上升/下降时间	默认	tr / tf	3.0 ns Max.				f0> 40MHz					20% VCCto 80% VCC级 L_CMOS=15pF
			6.0 ns Max.				f0≦ 40MHz
	快速		3.0 ns Max.				f0=0.67to170MHz
	缓慢		10.0 ns Max.				f0=0.67to20MHz
禁用时间		t_stp	1 μs Max.				从OE和ST引脚越过30％的Vcc时测量
启用时间		t_sta	1 μs Max.				从OE引脚越过70％的Vcc时测量
恢复时间		t_res	3 ms Max.				从ST引脚跨越70％Vcc时测量
振荡器启动时间		t_str	3 ms Max.				从Vcc达到其额定的最小值，1.62 V随时间测量
频率老化		f_aging	这包含在频率容差规范				+25℃, 第一年