智能手机有源晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英▽晶体振荡器』,适用于移动通信终端的基〇准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等数码产品类别,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信▃的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅工作的高温回流温度曲线要求.

爱普生※晶振,SG7050VEN晶振,LVDS晶振

爱普生株式会社EPSON晶振,爱普生々拓优科梦,(EPSON—YOCOM)1942年成立时是精工集团的第三家手表制造公司,以石英手表起家的爱普生公司到后续的生产压电石英晶振, 晶振,石英晶振,有源晶振,压控ζ振荡器, 压控晶体振荡器（VCXO）、温补晶体振荡器∑（TCXO）。1996年2月在中国苏州投资建▓厂,在当时员工人数就达2000人,总投资4.055亿美元,公司占地200亩,现已经是世界◥500强企业.

日本精工爱普生晶◥振接受了中国苏州政府2007 年的招商引资,命名为【爱普生拓优科︼梦水晶元器件(苏州)有限公司】爱普生拓优科梦(Epson Toyocom)是精工爱普生株式会社与爱普生晶〖振(中国)有限公司共同投资成立的有限责任公司(外商合资).

爱普生晶□振公司已经建立了一个⌒　原始的垂直整合制造模型的最佳手段持续为客户创造新的价╲值,并决定使用这个模型来驱动前面提到的四个关键领域的创新.这意味着从头开始创建产品:创建我们自己的独特的核心技▼术和设备,使用这些作为基地的规划和设计提供独特价值的产品,生产或制造的艺术和科学,我们积↑累了多年的专业知识,然后』生产晶振,石英晶振,有源晶振,贴片晶振,压控振荡器, 32.768K钟表晶振,温补晶振,石英晶体振荡器,压控石英水晶振荡子,等出售给我们的客♂户.

爱普生√晶振公司加强人力资源的全功能,技术,生产,销售和支持和环境问题,利用信息技术,推进我们的原始制造模式寻∏求实现我们的愿景.视野下就像我提到的,我们的目标是使用我们的技术来创建一个新的连接人的时代,事物和信㊣　息,这样我相信我们可↙以成为不可或缺的公司为我们的客户和社会.

爱普生晶◤振,SG7050VEN晶振,LVDS晶振

爱普生KHZ产品∑分有贴片SMD和圆柱DIP。

KHZ中爱普△生是以32.768KHZ最为出名的。32.768K晶振是一款数字电路板都要使用到的重要部件，有人比喻为电■路板的心跳发生器，也就是说心如果停止了跳动，那么电路板也将∩无法进行稳定的工作了。32.768K中爱普生C-002RX是一款受欢迎的圆柱音叉晶振，体积只有2*6mm。与日本KDS的DT-26同体积同参数。

因此︻说道的四款型号晶振都是可以相互替换使●用的。只是有客户比较钟爱某个品牌，或者是上级有要求一定要用什么品牌的。C-002RX具有的优点有

1，超小型、薄型、质地轻的音叉圆柱晶振，使焊接更为方便∞简单

2，具备优良的耐热性、耐环境特性

3，金属外壳的使用使得产品在封装时能发挥比陶瓷外壳更好的耐冲击性。

爱普生除此C-002RX晶振，C-001也是工艺中比较常用到的音叉晶振，体积大概只有3*8mm。只是2*6体积稍微小一点，比较受广※发消费者的爱戴。同此相比，当然也有比2*6更小的体积了，例如体积只有5*1.5mm的C-004R圆柱晶振，4.5*1.2mm的C-005R圆柱晶振。价格相对来说都是比较贵的▅▓。因为体积小就意味着占用空间小。

KHZ贴片系列，爱普生在这一系列上做的可是相当的卓越，将贴片晶振最小体积做到了2.05*1.25*0.35mm。在这之前最小的体积基本上就是3.2*1.5mm。爱普生的不断突破使其在市场上占①有绝对的优势。只是这款贴片晶振价格是相当的昂贵。因为里面晶片磨的越小，就代表工艺越复杂≡。

该贴片晶振具有的优点

1，高精度小型表面贴片型石英晶体谐振器

2, 轻薄型与小型化为高端产品带来了更大的方便

3，可发挥优〖良的电气特性

4，金属外壳的使用使得产品在封装时能发挥比陶瓷外壳更好的耐冲击性。

项目	符号	SG7050VEN.规格说明	条件
输出︾频率范围	f0	25MHZ~500MHZ	请联系我ζ　们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	VCC	2.5V.Typ. 3.3V.Typ	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃to +85℃	请联系╳我们查看更多资料http://www.shubhamdrill.com
		H: -40℃to +105℃
		/
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6	/
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负々载条件、最大工作频率○
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.	/
	VOL	0.4 V Max.	/
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.	/
输入电压	VIH	80% VCCMax.	ST终端
	VIL	20 % VCCMax.
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25℃,初年度,第一年