小型贴片石英晶振主要采用了，先进的晶片的抛光工艺技术，是晶体行业☉中石英晶片研磨技术中表面处理的最◣高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，大大的降低谐振电阻，使精度得到了很ㄨ大的提升.改变了传统的生产工艺，使产品在各项参数得到了很大的改良,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振ω器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机『,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.

爱普生晶♀振,SG-8018CE晶振,石英晶体振荡器

EPSON爱普生公司∑　成立于●1942年5月,总部位于日本长野县诹访市,是全球数一数二的晶振制造商,是数码映像领域的全球领先企业.全称为爱普生★拓优科梦（Epson Toyocom）将进一步究极用精微加工发＠挥“石英”材料的优越▼性能的“QMEMS”技术,创造出体积更小,更高性能或全新功能的电子元器件.爱普生⊙晶振在32.768KHZ,MHZ,以及GHZ上都〖有重大突破,使得爱普生拓优科梦的晶体元ξ　器件已以23%的市场占有率位于业界第一.主要产品系列:无源晶振,有源晶振,可编程晶振,SMD crystal,DIP crystal,石英晶体振荡器,温补晶振,压控石◣英水晶振荡子,VC-TCXO等等.独创QMEMS技术,生产出更小更高性能和全新功能的晶振产品.全球晶振产品市场占有率◇最大.可编程≡晶振能适应各种客户的独特需求.由于其制造工艺处于世界顶尖水平,价格也是相对于︼其他平牌要高.被广泛的应用于各类计量仪表,医疗电子设备,汽车电子和各类高【端消费类电子产品.
2010年晶振全球厂家排√名中,在占据首位.爱普生仅此一项水晶振动子行业就能足矣让电◤子世界的人都敬佩不已.爱普生晶ω振以32.768KHZ晶振称霸晶振行业,主要消费在手机,PCB,等■电子产品.同时爱普生以提供原子钟的精准振荡器知名业╱界.仅此在音叉振子和振荡器还达不到爱普生本身的要求.他们要求的』是在元器件占领NO1.因此除了KHZ，MHZ的〗研究发展,另外还→发明GHZ技术,使工艺技术达到人无完人,史前无例,实现以基波方式产生2.5GHZ为止高频的表面□　声波（SAW）元器件.

爱◣普生晶振,SG-8018CE晶振,石英晶体振荡器

爱普生KHZ产品分有贴片SMD和圆柱DIP。

KHZ中爱普生是以32.768KHZ最为出名的。32.768K晶振是一款数字电路板都要使用到的重要部件，有人︽比喻为电路板的心跳发生器，也就︾是说心如果停止了跳动，那么电路板也将无法进行稳定的工作了。32.768K中爱普生C-002RX是一款受¤欢迎的圆柱音叉晶振，体积只有2*6mm。与日本KDS的DT-26同体积同参∏数。

因此说道的四款型号晶振都是可以相互替换使用的。只是有客户比较钟爱某个品牌，或者是上级◥有要求一定要用什么品牌的。C-002RX具有的优点有

1，超小型、薄型、质地轻的音叉圆◣柱晶振，使焊接更为方便简单

2，具备优良的耐热性、耐环境特性

3，金属外壳的使↓用使得产品在封装时能发挥比陶瓷外壳★更好的耐冲击性。

爱普生除此C-002RX晶振，C-001也是工艺中比较常用到的音叉晶振，体积〓大概只有3*8mm。只是2*6体积稍№微小一点，比较受广发消费者的爱戴。同此相比，当然也有比2*6更小的体←积了，例如体积只有卐5*1.5mm的C-004R圆柱晶振，4.5*1.2mm的C-005R圆柱晶振。价格相对来说都是比较贵的。因为体积小就意味着占用空间小。

KHZ贴片系列，爱普生在这一系列上做的可是相当的卓越，将贴片晶振最小体积做◇到了2.05*1.25*0.35mm。在这之前最小的体〒积基本上就是3.2*1.5mm。爱普生的不断突破使其在市场上↑占有绝对的优势。只是这款贴片晶振价格是相当的昂贵。因为里面晶片磨的越小，就代表工艺⌒越复杂。

该贴片晶振具有的优点

1，高精度小型表面贴片型石英晶体〓谐振器⌒

2, 轻薄型与Ψ 小型化为高端产品带来了更大的方便

3，可发挥优良的电气特性

4，金◣属外壳的使用使得产品在封装时能发挥比陶瓷外壳更好的耐冲击性。

项目		符号	规格说明				条件
电源电压		VCC	1.80 V Typ.		2.50 V Typ.	3.30 V Typ.
			1.62 to 1.98V	1.98 to 2.20V	2.20 to 2.80V	2.70 to 3.63 V
输出频率范围		f0	0.67 MHz to 170 MHz
储存温度		T_stg	-40°C to +125°C				裸存
工作温度		T_use	H: -40°C to +105°C
频率⊙稳定度 *1		f_tol	J: ±50 × 10-6				T_use= -40°C to +105°C
功耗		ICC	3.2mA Max.	3.3mA Max.	3.4mA Max.	3.5mA Max.	T_use=+105°C					无负载条件 f0= 20 MHz
			2.7mA Typ.		2.9mA Typ.	3.0mA Typ.	T_use=+25°C
			5.5mA Max.	5.8mA Max.	6.7mA Max.	8.1mA Max.	T_use=+105°C					无负载条件 f0= 170 MHz
			4.7mA Typ.		5.7mA Typ.	6.8mA Typ.	T_use=+25°C
输出禁用电流		I_dis	3.2mA Max.	3.2mA Max.	3.3mA Max.	3.5mA Max.	OE=GND , f0= 170 MHz
待机电流		I_std	0.9μA Max.	1.0μA Max.	1.5μA Max.	2.5μA Max.	T_use=+105°C					ST = GND
			0.3μA Typ.	0.4μA Typ.	0.5μA Typ.	1.1μA Typ.	T_use= +25°C
占空比		SYM	45% to 55%				50% VCC级
输出电压 (DC特性)		VOH	90% VCCMin.				[mA]
							tr / tf				VCC		A	B	C	D
							默认 (f0>40MHz) 快速				IOH		-2.5	-3.5	-4.0	-5.0
											IOL		2.5	3.5	4.0	5.0
							默认 (f0≦40MHz)				IOH		-1.5	-2.0	-2.5	-3.0
		VOL	10% VCCMax.								IOL		1.5	2.0	2.5	3.0
							缓慢				IOH		-1.0	-1.5	-2.0	-2.5
											IOL		1.0	1.5	2.0	2.5
							A: 1.62 to 1.98 V , B: 1.98 to 2.20 V C: 2.20 to 2.80 V , D: 2.70 to 3.63 V
输出负载条∞件 (CMOS)		L_CMOS	15pF Max.
输入电压		VIH	70% VCCMin.				OE orST
		VIL	30% VCCMax.
上升/下降时间	默认	tr / tf	3.0 ns Max.				f0> 40MHz					20% VCCto 80% VCC级 L_CMOS=15pF
			6.0 ns Max.				f0≦ 40MHz
	快速		3.0 ns Max.				f0=0.67to170MHz
	缓慢		10.0 ns Max.				f0=0.67to20MHz
禁用时间		t_stp	1 μs Max.				从OE和ST引脚越过30%的VCC时测量
启用时间		t_sta	1 μs Max.				从OE引脚越过70%的VCC时测量
恢复时间		t_res	3 ms Max.				从ST引脚跨越70%VCC时测量
振荡器启动时①间		t_str	3 ms Max.				从VCC达到其额定的最小值，1.62 V随时间测量
频率老化		f_aging	这包含在频率容差规范				+25°C, 10年