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                全球首家上百万进口晶振代理商

                深圳市康〓华尔电子有限公司

                国际进口晶振品牌首选康华尔

                首页 爱普生晶♀振

                爱普生晶№振,SG3225HBN晶振,晶体振︼荡器

                爱∑普生晶振,SG3225HBN晶振,晶体振荡↓器爱普生晶√振,SG3225HBN晶振,晶体振荡器

                产品简介

                小型贴片石英晶振主要采用了,先进的晶片的抛光工艺技术,是晶体行业中石英晶片研磨技术中表面处理々的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,大大的降低谐振电阻,使精度得到了很大的提升。改变了传☉统的生产工艺,使产品在各项【参数得到了很大的改良,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶々体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场◥领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.

                产品详情

                1爱普生晶◎振,SG3225HBN晶振,晶体振荡器

                EPSON爱普生公司成立于▓1942年5月,总部位于日本长野县诹访市,是全球数一数二的晶振制造商,是数码映像领域的全球领先企业.全称为爱普生∩拓优科梦(Epson Toyocom)将进一步究极用精微加工发挥“石英”材料的优越性能的“QMEMS”技术,创造出体积更小,更高性能◢或全新功能的电子元器件.爱普生晶振在32.768KHZ,MHZ,以及GHZ上都有★重大突破,使得爱普生拓优科梦的晶体元器件已以23%的市场占有率位于业界第一.主要ζ产品系列:无源晶振,有源晶振,可编程晶振,SMD crystal,DIP crystal,石英晶︾体振荡器,温补晶振,压控石英水晶振荡子,VC-TCXO等等.独创QMEMS技术,生产出更小更高性能和全新功♂能的晶振产品.全球晶振产品市场占有率最大.可编程晶振能适应各种客户的独ζ 特需求.由于其制造工艺处于世界顶尖水平,价格也是相对于其他平牌要高.被广泛的应用于各类计量仪表,医疗电子设Ψ备,汽车电子和各类高端消费类电子产品.
                2010年晶振全球厂家排名中,在占据↙首位.爱普生仅此一项水晶振动子行业就能足矣让电子世界【的人都敬佩不已.爱普生晶振以32.768K晶振称霸晶振行业,主要消费在手机,PCB,等电「子产品.同时爱普生以提供原子钟的精准振荡器知名业界.仅此在音叉振子和振荡器还达不到爱㊣ 普生本身的要求.他们▆要求的是在元器件占领NO1.因此除了KHZ,MHZ的研究发展,另外还发明GHZ技术,使工艺技术达到人无完人,史前无例,实现以基波方式╲产生2.5GHZ为止高频的表面声波(SAW)元器件.2

                爱普生晶振,SG3225HBN晶振,晶体振荡器

                全套日本爱普生晶振∞生产设备,全自动封胶点焊,网络系统自动分频检测设备,SMD全套现代化生产线.贴片晶振,全套材料采用日本进口,日本电波NDK晶振原厂供◆应晶片材料,采用KYOCER CRYSTAL京瓷晶振外壳基座.主要生产:石英晶振,贴片晶振,有源晶振,石英晶体谐振器,石英晶体振荡▓器,32.768K钟表晶振,陶※瓷雾化片,晶振,谐振器,等产品.并且代理日本进口晶振,爱普生晶振,KDS晶振,精工晶振,京瓷晶振,NDK晶振,村田晶振等多家日本一线品牌.与我国台湾,TXC晶振,鸿星晶振,希华晶振,加高晶振等品牌成为战略合作伙伴.

                2018年卐与多个欧美晶振品牌签订代销代理同盟合作关系:ECS晶振,Abracon晶振,CTS晶振,JAUCH晶振,的多个有源晶振进口品牌合作关系,主要以车规Ψ 晶振,工业级晶振,差分晶振,差分晶体振荡器,进口差分晶振,军工晶体为主打.优质的品质:高频,高稳,高温,高质量,小尺寸,低相噪,低抖动,低能耗,低损耗,低功率,底电源电压等优势的进口差分晶△振.是国内最早采用SMD全自动化生产企业,并且2005年在赣州地区信丰工业园自购土地兴建现〖代化生产厂房,实至名归晶振厂家高新企业,产品60%用于出口.主要以数码产品,智能穿戴,家居智能化,汽车电子,医疗设备,手机导航等产品为主要客户源.康华尔电子-以品质求生存,完善的工艺,先进的设备,服务市场,服务客户.

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                SG3225HBN

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                项目 符号 规格说明 条件
                输出频率范○围◤ f0 100MHz to 325MHz 请联系我们以便获取其它可用频率的相@ 关信息
                电源电压 VCC D:2.5V ± 0.125V, C:3.3V ± 0.165V
                储存温度 T_stg -55℃ to +125℃ 裸存
                工作温度 T_use G: -40℃ to +85℃, H: -40℃ to +105℃
                频率稳定度 f_tol J: ± 50 × 10-6
                (这里不适用 H : -40℃ to +105℃ )
                包括初始频〖偏,温度变化误♀差,
                Vcc变化误差和10年老化率(+25 °C)
                L: ± 100 × 10-6 包括初始频偏,温度变※化误差,
                Vcc变化误差和10年老化率(+25 °C)
                功耗 ICC 25 mA Typ. , 35mA Max. OE=VCC,输出负载有
                输出禁用电流 I_dis 15mA Max. OE=GND
                占空比 SYM 45% to 55% 在输出交叉点
                输出电压 VOH 0.75 V Typ., 0.66V to 0.85V DC特征, 单输出
                VOL 0 V Typ., -0.15V to 0.15V
                交叉■点电压 VCR 0.25V to 0.55V
                输出负载条件
                L_HCSL 50Ω
                RS 33Ω
                输入电压 VIH 70% VCCMin. OE 终端
                VIL 30% VCCMax.
                微分输出上升/下降时间 Rr / Rf 1 V/ns to 4V/ns -0.15 V to 0.15 V 微分输出
                振荡启动时间 t_str 10ms Max. 在电①源电压最低时,所需№时间为0秒
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