5032mm体积的差分贴片晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的石英晶振,该产品最适用于无线∮通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高稳定度,超小型,质量轻等产品特点,产品本身编带包装方式,可对应自动高速贴片机应用,以及高温回流焊接（产品无铅对应）,为无←铅产品.

KDS晶振,DSO531SBM晶振,GPS模块晶振

日本株式会社大真空晶振总公司设立在日本国兵库县加古川市平冈町新在家,创业时间为1959年11月3日,正式注册成立是在1963年5月8日,当时注册资金高达321亿日元之多,主要从事电子元件石英晶振以及电子设备生产销售一体化,包括晶体谐振器,音叉型晶体谐振器,晶体应用产品,晶体振荡器,晶体滤波器,晶体光学产品,硅晶体时钟设备,MEMS振荡器等.

大真空株式会社KDS晶振自1959年建立以来一直遵从的三个理念”依赖”于”可靠的人”“可靠的产品”和”可靠的公司”.作为全球石英晶振制造商,大真空KDS晶振努力帮助实现新一代电子社会,更方便人们更舒适,通过开发石英晶振, 压控晶体振荡器(VCXO),温补晶体振荡器(TCXO),恒温晶体振荡器(OCXO),陶瓷谐振器等晶体器件对全球环境友好.

日本株式会社KDS晶振不断努力为我们的客户在日本国内外提供世界一流的质量和满意程度高.所生产石英晶振,陶瓷晶振,声表面谐振器,有源晶振等器件遍布全球,包括美国,英国,德国,到中国,新加坡,泰国和其他亚洲国家.以”依赖”为公司方针,以客户为导向,创新高效的经营管理,努力创造利润,履行企业社会责任.

日本大真空株式会社KDS晶振,于1993年被天津政府对外资招商部特别邀请在中国天津投资.日本大真空在当年5月份,就在天津市位于武清开发区确定投资建厂,品牌是简称(KDS晶振)当时总额1.4亿美元,注册资本4867.3万美元,占地面积67.5亩.

日本大真空株式会社KDS晶振品牌实力见证未来,KDS晶振集团总公司位于日本兵库县加古川,在泰国,印度尼西亚,台湾,中国天津这些大城市均有压控晶体振荡器,贴片晶振,陶瓷雾化片,32.768K钟表晶振,温补晶振的生产工厂,而天津KDS晶振工厂是全球石英晶振生产最大量的工厂,自从1993年在天津投产以来,技术更新从未☆间断.

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日本株式会社大真空KDS晶振三种信赖行为守则：

可靠的人以独立,自助,自足的努力作为基本的行动原则,我们将充分利用我们〖的优势,为社会整体和接近一切真诚和热情.

可靠的晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器,,我们将帮助实现一个富裕的社会,通过优化我们的能力,开发最好的产品和服务,并提供给我们所有的客户在世界各地.

可靠的KDS晶振公司,我们努力履行我们的企业社会责任,通过持续的利润,通过企业活动,遵守所有的法律法规,尊重他们的精神,注重与全球环境的和谐.

1我们对KDS晶振公司的管理政策,管理原则和管理措施有正确的认识,并本着KDS晶振公司和全社会的利益,不关心个人的利益和成本.

2我们将从观念到问题的解决,而不受制于陈规或惯例.

3我们会不时与有关人士进行讨论,如有需要,以方便谈判的调整,并将建立良好的关系,试图解决任何问题的诚意.

4我们将ω通过理解对方的立场,继续说服对方,以便处理石英晶振,贴片晶振,陶瓷雾化片,石英晶体谐振器,任何疑难问题.

5我们将始终有一个环境兼容性和□　执行环境兼容的活动作为我们的主要主题之一.

6我们将在每一种情况下充满信心地工作并有精神完成工作.

7我们将努力建立这样的性格和个人磁性被接受和信任周围的每一个人.

8我们要努力建立良好的人际关系,有时要勇于接受别人的脆弱.

9我们将遵守法律法规以及任何规则,包括各种规章制度和既定的社会规范,并确保信息的安全性认识到信息的重要性.

10我们将始终采取一个明智的行动作为社会成员.

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f0	0.7MHZ~90MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	VCC	1.8-5.0V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-40℃to +85℃	裸存
工作温度	T_use	G: -10℃to +70℃	请联系我们查看更多资料http://www.shubhamdrill.com
		H: -30℃to +85℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCCMax.	ST终端
	VIL	20 % VCCMax.
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25℃,初年度,第一年