SMI是Crystal Technology的新兴领导者。我们积极为电子社会做出贡献，在稳步的研究和努△力的基础上，快速开发先进的←水晶产品。我们专注于最新的SMD版本的石英晶振单元，时钟OSC，TCXO，VCXO，OCXO和MCF。并提供高质量和高稳定性的产品，支持高●可靠性数据，频率范围从16.000kHz（低）到350.000MHz（高），严格的质量控制和严格的运输检查。除了SMD版本，我们还可以提供通孔型产品。
SMI晶振,贴片晶振,3HLB晶振,进口晶振,普通石英晶振,外观完全〒使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定ξ 性,高可靠性的石英晶体》谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金◥属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可◇靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告＠诉安装,满足无铅焊接的高↘温回流温度曲线要求.
石英晶振在选用晶片时应注意温度范围、石英晶体谐振器温度范Ψ 围内的频差要求，贴片晶振温度范围宽时(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄温(-10℃-70℃)切割角度应略高。对于晶振的条★片，长边为 X 轴，短边为 Z 轴，面为 Y 轴。对于圆片晶振，X、Z 轴较难区分，所以石英晶振对精度要求高╱的产品（如部分定单∞的 UM-1），会在 X 轴方向进行拉弦（切掉一小部分），以利于晶振的晶片有方向ζ 的装架点胶，点胶点点在 Z 轴上。保证晶振产品的温度特性。
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SMI晶振规格 |
单位 |
3HLB晶振频率 |
石英晶振『基本条件 |
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标准频率 |
f_nom |
3.579545~80MHZ |
标准频率 |
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储存温度 |
T_stg |
-40°C～+85°C |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-10°C～+70°C |
标准温度 |
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激励功率 |
DL |
100μW |
推荐:1μW～1000μW |
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频率公差 |
f_— l |
±50×10-6(标准), |
+25°C对于超出标准的规格说明, |
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频率温度特征 |
f_tem |
±50,100× 10-6/-10°C～+70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
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负载电容 |
CL |
18pF |
超︽出标准说明,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C —+85°C,DL = 100μW |
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频率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
所有产品的共同点∏1：抗冲击:抗冲击是指49S大型两脚谐振器产品可能会◥在某些条件下受到损坏。例如从☆桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因◣为无论何种石英晶振,其内部晶片都是制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响。 2：辐射:将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性№能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射。 3：化学制剂 / pH值环境:请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。SMI晶振,贴片晶振,3HLB晶振,进口晶振
4：粘合剂:请勿使用可能导致卐两脚石英谐〖振器所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受↑到腐蚀的胶粘剂。（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密⌒封质量,降低性能。） 5：卤化合物:请勿在卤素气体环境下使用。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产◤生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。6：静电:过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条『件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.
使用①产品时,请在规格说明无源贴片晶振产品目录规定使用条件下使用。因很多种产品性能,以及←材料有所不同,所以使用注意事项也有∴所不同,比如焊接模式,运输模式,保存模式等等,都会有所差别。
MERCURY晶振,贴片晶振,M49晶振,ML49晶振
维管晶振,贴片晶振,VXB1晶振,VXB2晶振,49S晶振
TXC晶振,贴片晶振,9C晶振,SMD谐振器
NSK晶振,贴片晶振,NXE晶振,台产晶振
SMI晶振,贴片晶振,4HLB晶振,石英晶振