KDS晶振,温补晶振,DSA535SD晶振,1XTR25000VAA晶振,5032mm体积的温补╲晶振（TCXO）,是目前有源晶振中体积最小的一款,产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品∞最适合于GPS,以及卫星通ω　讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应』低电源电压的产品.(DC+1.8V±0.1V to+2.9V±0.1V 对应IC可能) 高度：最高0.8 mm,体积：0.0022 cm3,重量：0.008 g,超小型,轻型.低消耗电流▽,表面贴片型产品.

石英晶振曲率半径加工技※术：石英TCXO晶振晶片在球︾筒倒边加工时应用到的加工技术，主要是研究满足不同曲率半径石英晶振晶片设计可使用的∏方法。如：1、是指球面加工曲率半径的工艺设计（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均㊣　匀磨量；c、球面加工曲率半径的配合）2、在加工时球面测量标准的设计原则（曲率半径公式的计算）。

项目	符号	规格说明	条件
输出№频率范围	f0	9.6-40MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关♀信息
电源电压	VCC	2.6-3.3V	请联系【我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-40℃to +85℃	裸存
工作温度	T_use	G: -10℃to +70℃	请联系我们查看更多资料/
		H: -30℃to +85℃
频率稳定◇度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无︻负载条件、最大工作频↑率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCCMax.	ST终端
	VIL	20 % VCCMax.
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动卐时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

KDS有源晶振产品列表：

1.操作

请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹ㄨ具直接接触IC的表面。

2.使用环境（温度和湿度）

请在规定的温度范围内♀使用石英晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露○引起故障。5032贴片晶振请避免凝露的产生。

晶振/石英晶体谐振器

激励功率

在晶振上施加过多驱动力,会导致产〗品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 。

负极电阻

除非石英晶体振荡器回路中分配足够多的负极电¤阻,否则振荡或振荡启动时■间可能会增加。

负载电容

有源晶振振荡电路中负载电容的不同,温补晶体振荡器可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容。

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