KDS晶振,压控温补晶振,DSA535SG晶振,1XTQ10000EGA晶振,压控晶振具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频【率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度：最高1.0 mm,体积：0.007 cm3,重量：0.024g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.（可对应↓回流焊） 无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

压电〖石英晶振主要是利用石英材料（水晶）的压电效应制成的电子原件和¤器件，压电效应◢是一种机电能量互换的现象，压电效应分为正压电效应和逆压⌒　电效应，正压电效应是以机械应力及，应变（形变）作用而使物体产生电荷或电压■输出。逆压电效应是以电能输入使之产生机械能或，位移（形变）的输出

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f0	10-40MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	VCC	3.0-5.0V	请联系※我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-40℃to +85℃	裸存
工作温度	T_use	G: -10℃to +70℃	请联系我们查看更多资料/
		H: -30℃to +85℃
频率ぷ稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频】率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCCMax.	ST终端
	VIL	20 % VCCMax.
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

KDS有源晶振■产品列表：

关于冲洗清洁音叉型晶振由于采用小型、薄∮型的晶振芯片，以及相对而言频率与超音波清洁器相近，所以会由于共振而容易受到破坏，贴片型VC-TCXO晶振因此请不要用超音波清洁器来冲洗晶振。

关于机※械性冲击

(1)从设计角度而言，即使石英晶振从高度75cm处落到硬质木板▲上三次，按照设计不会发生什么问题，但因落下『时的不同条件而异，有可能导致石英芯片的破㊣损。在使之落下或对它施加冲击之时，在使用之前，建议确认一下振荡检★查等的条件。

(2)SMD石英晶振与电阻以及电容器的芯片产品不同，5032压控温补振荡▽器由于在内部对石英晶振晶片进行了密封保护，因此关于在自动安装时由于冲击而导致的影响，请在使用之前，恳请贵公司另外进行确认工作。

(3)请尽量避免将本公司的音叉型『晶振与机械性振动源(包括超声波振动源)安装到同一块基板上，不得已要安装到同一块基板▓上时，请确保晶振能正常工作。

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