KDS晶振,热敏晶振,DSO221SR晶振,1XSF006140AR晶振,有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱∮动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对①不同IC产品需要.

石英晶振真空退火技术：日产晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线，使真空室温度跟随◆设定曲线对晶体组件进行退火，石英晶∴振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性，以及提高石英晶振的年老化特性。

项目	符号	规格说明	条件
输出频▼率范围	f0	32.768KHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	VCC	1.6-3.6V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-40℃to +85℃	裸存
工作温度	T_use	G: -10℃to +70℃	请联系我们查看更多资料/
		H: -30℃to +85℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无ω　负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCCMax.	ST终端
	VIL	20 % VCCMax.
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

KDS有源晶振产品列表：

1.DIP 晶振产品

已变形的石英晶振引脚不能插入板孔中。请勿施▆加过大压力,以免引◣脚变形。

2.SOJ 产品和SOP 产品

请勿施加过大压力,以免石英晶振引脚变形↘。已变形的小体积2.5*2.0mm晶振引脚焊接时会造成浮起ㄨ。尤其是SOP产品需要更加小心处理。

3.超声波清洗

（1）使用AT-切割晶体和表面滤波器（SAW）/声表面谐振器的产品,可以通过超声波进行清洗。但是,在某些条件下, 晶振特性可能会受到影响,而且内部线路可能受到损坏。确保已事先检查系统的适用性。

（2）使用音叉¤晶体和陀螺仪传感器的产品无法确保能够通过＠超声波方法进行清洗,因为晶振可能受到破坏。

（3）请勿清洗开启式32.768K有源晶振产品

（4）对于可清洗晶振产品,应避免使用可能对产品产生负面影响的清洗剂或溶剂等。

（5）焊料助焊剂的残留会吸收水分▓并凝固。这会引起诸如位↘移等其它现象。这将会负面影响产品的可靠性和质量。请清理残余的助焊剂并烘干PCB。

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