京瓷晶振,有源晶振,KT2016晶振,超小型表面贴片型SMD晶振,最适合使用在汽车电子领域中,也是特别要求高可靠性的引擎控制用CPU的时钟部分.低频晶振可从7.98MHz起对应,小型,超薄型具备强防焊裂性,石英晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接★以及高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

        石英晶振的切割设计：用不同角度对2016晶振的石英晶棒进行切割，可获得不同特性的石英晶片，通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位（角度）的切割称为石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其弹∮性性质，压电性质，温度性质不同，其电特性也各异，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型还有 CT、DT、GT、NT 等。

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f0	10-52MHz	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息≡
电源电压	VCC	1.68-3.63 V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-40℃ to +85℃	裸存
工作温度	T_use	-30℃ to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.shubhamdrill.com
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCC Max.	ST 终端
	VIL	20 % VCC Max.
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

在使用京瓷晶振时应注意以下事项:

所有产品的共同点

1：抗冲击

抗冲击是指晶振产品可能会◥在小型2016贴片晶振某些条件下受到损坏.例如从桌上↑跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给⊙晶振照成不良影响.

2：辐射

将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此2016温补振荡器应避免阳光长时间的照射.

3：化学制剂 / pH值环境

请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.

4：粘合剂

请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.）

5：卤化合物

请勿在卤素气体环境下使用石英晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,TCXO晶振请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.

6：静电

过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操♀作。

京瓷晶振,有源晶振,KT2016晶振