日本大真空株式⊙会社KDS晶振,于1993年被天津政府对外资招商部特别邀请在中国天津投资.日本大真空在当年5月份,就在天津市位于武清开发区确定投资建厂,品牌是简称(KDS晶振)当时总额1.4亿美元,注册资本4867.3万美元,占地面积67.5亩.KDS晶振总公司设立●在日本国兵库县加古川市平冈▽町新在家，创业时间为1959年11月3日,正式『注册成立是在1963年5月8日,当时注册资金↘高达321亿日元之多,主要从事电子元件石英晶振以及电子设备生产◥销售一体化,包括晶体谐振器，音叉型晶体谐振器，晶体应用产品，晶体振荡器，晶〓体滤波器，晶体光学产品，硅晶体时钟设备，MEMS振荡器等。 大真空株式∩会社KDS晶振自1959年建立以来一直遵从的三个理念“依赖”于“可靠的人”“可靠的产品”和“可靠的公司”。作为ξ全球石英晶振制造商，大真空KDS晶振努力帮助实现新一代电子社会，更方便人们更舒适，通过开发石英〓晶振, 压控晶体振荡器（VCXO）、温补晶振（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）、陶瓷谐振器等晶体器件对全球环境友好。KDS晶振︼公司的现在的发展不是立马就腾达起来的,而是靠着整个团队一点一◎滴的经历挫折与磨■难,累积经验给整合起来的.

日本大︼真空株式会社,【KDS】品牌,实力见证未来,KDS集团总公司位于日本兵库县加古川,在泰国,印度尼西◢亚,台湾,中国天津这些大城市均有生产工厂,而天津KDS晶振工厂是全球石英晶振生产最大量的工厂,自从1993年在天津投产以来,技术更新从未间断,从最初的32.768K晶体为主,到现在以小体积贴片晶∩体振荡器为主,体积已经是全ㄨ世界石英晶体振荡器之中最小的.

高精度石英晶振的切割设计:用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位(角度)的切割称为石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其弹☆性性质,压电性质,温度性质不同,其电特性也◥各异,石英耐高温晶振目前主要使用的有AT切、BT切.其它切型还有CT、DT、GT、NT等.

普通石英压控晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等》苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体振荡器,焊接方面支持表面贴∏装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告≡诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

KDS晶振,DSV323SV晶振,低抖动晶振

日本大▅真空株式会社KDS晶振遵守法规和监管要求,从事环保产品的开发.

环境政策,在其业务活动的所有领域,从开发,生产和销售的压电石英晶体元器件,压电石英晶体,有源晶体,压电陶瓷谐振器,大真空集团业务政策促进普遍信任的环境管理〇活动.

日ξ　本大真空株式会社KDS晶振将：

通过适当控制环境影响的物质,减少㊣　能源的使用,以达到节约能源和节约资源的目的.

有效利用资源,防止环境污染,减少和妥善处理废物,包括再利用●和再循环.

通过开展节能活动和减少二氧化碳排放防止全球变暖.

避免采购或使用直接或间接资助→或受益刚果民主共和国或邻近国家武装组织的矿产.

进口环保∑晶振,遵守有关环境保护的法╲律,标准,协议和任何公司承诺的其他要求.

根据环境方针制定环卐境目标和目标,同时促进这些活动,并定期检ξ讨环境管理体系的持续改进.在我们的环境政策中教育所有员工和为我们的团队工作的々人,通过教育和提高意识来提高他们的环保意识.确保公众环境保护活动的信息公开.

KDS晶振集团认识到进行环境管理和资源保持的责任㊣　和必要性,同时也认识到针对全球环境问题,为保持国际环境而进行各行业♀建设性的合□　作是极其重要的.

过去KDS晶振集团已经针对重◤大污染控制项目建立了¤一整套记录程序并且将继续识别解决其自身环境污染及保持问题,加强责任△感以便进行环境绩效的持续改进.

KDS晶振集团将：不论◥何时何地尽可能的进行源头污染预防.为环境目标指标的建立与评审提供框架.通过充分利用或回收等方法实现对自然资源的保持.

KDS晶振集团将确保其产品及相关『设施满足甚至超出国家的,州立的▂以及地方环保机构的相关法规规定及其他要求,同时该公司尽可能的参与并协助政府机关和其他官方组织从事的环保活动. 在地方对各项设施的管理责任中,确保满足方针的目标指标,同时在各种经营与生产活动▲中完全遵守并符合现行所有标准规范的要求.

KDS集团将①有效率的使用自然资源和能源,以便从源头减少废物产生和排放.我们将在关注于预防环境和安全事故,保护公众健康的同时,努力改进我们的操作.我公司将积极参与加强公众环境,健康和安全意识的活动,提高公众对普遍的环境,健康和安全问题的注意.

型名	記号	DSV323SV
出力仕様	-	CMOS
出力周波№数範囲	fo	6.75~170MHz
電源電圧	VCC	+3.3V±0.165V
周波数制御電圧	Vcont	+1.65V±1.65V
保存温度◥範囲	T_stg	-40~+85℃
動作温度範囲	T_use	-10~+70℃/-40~+85℃
周波数許容偏差（常温偏差含む）	f_tol	±50×10-6 max.
周波数可変範囲	f_cont	±100×10-6 min. [Positive Slope]
消費電流	ICC	12mA 6.75MHz≦fo≦90MHz 25mA 80MHz≦fo≦170MHz [No Load]
スタンバイ時電流（＃2ピン“L”）	I-std	5mA 6.75MHz≦fo≦90MHz 30μA 80MHz≦fo≦170MHz
出力負荷	Load	15pF max.
波形シンメトリ	SYM	40~60% [50% VCC Level]
0レベル電圧	VOL	VCC×0.1 max.
1レベル電圧	VOH	VCC×0.9 min.
立上り時間、立下り時間	tr,tf	10ns max.(6.75MHz≦fo≦40MHz)
		6ns max.(40MHz
		4ns max.(54MHz
		2ns max.(80MHz≦fo≦170MHz)
		[10~90% VCC]
差動出卐力電圧	VOD1, VOD2	-
差動←出力誤差	⊿VOD	-
オフセット電圧	VOS	-
オフセット誤差	⊿VOS	-
クロス点電圧	Vcr	-
OE端子0レベル入力電圧	VIL	VCC×0.3 max.
OE端子1レベル入力電圧	VIH	VCC×0.7 min.
出力ディスエーブル時間	tPLZ	150ns max. (6.75MHz≦fo≦90MHz)
		200ns max. (80MHz≦fo≦170MHz)
出力イネーブル時間	tPZL	150ns max. (6.75MHz≦fo≦90MHz)
		2ms max. (80MHz≦fo≦170MHz)
ピリオド　ジッタ（1）	tRMS	2.3ps typ. (σ)
	tp-p	22ps typ. (Peak to peak)
トータル　ジッタ（1）	tTL	32ps typ. [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)]
位相ジッタ	tpj	1ps max. [13.5MHz≦fo＜40MHz、fo offset:12kHz~5MHz fo≧40MHz、fo offset:12kHz~20MHz]
梱包単位（3）	-	2000pcs/reel(180φ)