日本株⌒式会社大真空晶振总公司设立在日本国兵库县加古川市平冈町新在家,创业时间为1959年11月3日,正㊣　式注册成立是在1963年5月8日,当时注册资金高达321亿日元之多,主要从事电子元◇件石英晶振以及电子设备⌒　生产销售一体化,包括晶体谐振器,音叉型晶体谐振器,晶体应用产品,晶体振荡器,晶体滤波器,晶体光学产品,硅晶体时钟设备,MEMS振荡器等.

大真空株式会社KDS晶振自1959年建立以来一直遵从的三个理念”依赖”于”可靠的人”“可靠⌒的产品”和”可靠的公司”.作为全球石英晶振●制造商,大真空KDS晶振努力帮助实现新一代电子社会,更方便人们更∞舒适,通过开发◣石英晶振, 压控晶体振荡器(VCXO),温补晶体振荡器(TCXO),恒温晶体振荡器(OCXO),陶瓷谐振器等晶体器件对全球环境友好.

日本株式会♂社KDS晶振不断努力为我们的客户在日本国内外提供世界一流的质量和满意程度高.所生产石英〒晶振,陶瓷晶振,声表面谐振◣器,有源晶振等器件遍布全球,包括美国,英国,德国,到中国,新加坡,泰国和其ζ他亚洲国家.以”依赖”为公司方★针,以客户为导向,创新高效的经营管理,努力创造利润,履行企业社会责任.

日本大真空株式会社KDS晶振,于1993年被天津政府对外资招商部特别邀请在中国天津∞投资.日本大真空在当年5月份,就在天津市位于武清开发区确定投资建厂,品牌是简称(KDS晶振)当时总额1.4亿美元,注册资本4867.3万美元,占地面积67.5亩.

日本大真空株式会社KDS晶振品牌实力见证未来,KDS晶振集团总公司位于日本兵库县加古川,在泰国,印度尼西亚,台湾,中国天津这些大城市均有压控晶体振荡器,贴片晶振,陶瓷雾化片,32.768K钟表晶振,温补晶振的生产工厂※,而天津KDS晶振工厂是全球石英晶振生产最大量的工厂,自从1993年在天津投产以来,技术更新从未间断.

KDS晶振,DSO531SR晶振,车载专用晶振

日本株式会社大真空KDS晶振三种信赖行为守则：

可靠的人以↙独立,自助,自足的努力作为基本的行动原则,我们将充分利用我们的优势,为社会整体和接近一切真诚和热情.

可靠的晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡♀器,,我们将帮助实现一个富裕的社会,通过优化我们的能力,开发最好的产品和服↙务,并提供给我们所有的客户在世界各地.

可靠的KDS晶振公司,我们努力履行我们的企业社会责任,通过持续的利润,通过企业活动,遵守所有的法律法规←,尊重他们的精神,注重与全※球环境的和谐.

1我们对KDS晶振公司的管理政策,管理原则和管理措施有正确的认识,并本着KDS晶振公司和全社会的利益,不关心个人的利益和成本.

2我们将从观念到问题的解决,而不受ξ制于陈规或惯例.

3我们会不时与有关人士进行讨↑论,如有需要,以方便谈判的调整,并将建立良好的关系,试图解决任何问题的诚意.

4我们将通过理解◣对方的立场,继续说服对方,以便处理石英晶振,贴片晶振,陶瓷雾化片,石英晶体谐振器,任何疑难问题.

5我们将始终有一个环境兼容性和执行环境兼容的活动作为我们的主要主题之一.

6我们将在每一种情况下充满信心地工作并有精神完成工作.

7我们将努ω力建立这样的性格和个人磁性被接受和信任周围的每一个人.

8我们要努∩力建立良好的人际关系,有时要勇于接受别人的脆弱.

9我们将遵守法律法规以及任何规则,包括各种规章制度和既定的社会规范,并确保信息的安全性认识到信息的重要性.

10我们将始终采取一个明智的行动作为社会成员.

項目	特性コード		対応周波数範囲 (MHz)	記号	規格				条件
	電源 電圧	周波数 許容偏差			min.	typ.	max.	単位
電源電圧	A	＊	0.2≦fo≦125	VCC	+3.0	+3.3	+3.6	V
	M		0.2≦fo≦125		+2.7	+3.0	+3.3
	B		0.2≦fo≦100		+2.6	+2.8	+3.0
	C		0.2≦fo≦100		+2.25	+2.5	+2.75
	D		0.2≦fo≦80		+1.6	+1.8	+2.0
周波⊙数許容偏差 （常温偏差含む）	＊	Y	0.2≦fo≦100	f_tol	-100	ー	+100	×10-6	ー40~＋125℃
		Z	0.2≦fo≦100		-80	ー	+80		ー40~＋110℃
		A	100＜fo≦125		-100	ー	+100		ー40~＋85℃
		B	0.2≦fo≦100		-50	ー	+50
消費電流	A,M	＊	0.2≦fo＜54	ICC	ー	ー	+4.0	mA	No Load
			54≦fo＜80		ー	ー	+6.0
			80≦fo≦125		ー	ー	+8.0
	B	＊	0.2≦fo＜54		ー	ー	+3.5
			54≦fo＜80		ー	ー	+5.5
			80≦fo≦100		ー	ー	+7.5
	C	＊	0.2≦fo＜54		ー	ー	+3.0
			54≦fo＜80		ー	ー	+5.0
			80≦fo≦100		ー	ー	+7.0
	D	＊	0.2≦fo＜54		ー	ー	+2.5
			54≦fo≦80		ー	ー	+4.5
スタンバイ時電流（#1ピン"L"）	＊	＊	＊	I_std	ー	ー	+10	μA
出力負荷	＊	＊	＊	L_CMOS	ー	ー	15	pF
波形シンメトリ	＊	＊	＊	SYM	40	50	60	%	50% VCC Level
０レベル電圧	＊	＊	＊	VOL	ー	ー	VCC×0.1	V
１レベル電圧	＊	＊	＊	VOH	VCC×0.9	ー	ー
立上り時間 立下り時間	＊	＊	0.2≦fo≦54	tr,tf	ー	ー	8	ns	10~90% VCC Level
			54		ー	ー	4
			100≦fo≦125		ー	ー	3
OE端子 ０レベル入力電圧	＊	＊	＊	VIL	ー	ー	VCC×0.2	V
OE端子 １レベル入力電圧	＊	＊	＊	VIH	VCC×0.8	ー	ー
出力ディスエーブル時間	＊	＊	＊	tPLZ	ー	ー	150	ns
出力イネーブル時間	＊	＊	＊	tPZL	ー	ー	5	ms
ピリオド　ジッタ（1）	＊	＊	＊	tRMS	ー	2.2	ー	ps	σ
				tp-p	ー	20	ー		Peak to peak
トータル　ジッタ（1）	＊	＊	＊	tTL	ー	31	ー	ps	tDJ+n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)　(2)
位相ジッタ	＊	＊	40≦fo≦125	tpj	ー	ー	1	ps	fo offset:12kHz~20MHz
			10≦fo＜40						fo offset:12kHz~5MHz
信頼性仕様	AEC-Q100/AEC-Q200
梱包単位（3）	1000pcs./reel(180φ)