日本大真空株式会社KDS晶振,于1993年被天津政府○对外资招商部特别邀请在中国∑天津投资.日本大真空在当年5月份,就在天津市位于武清开发区确定投资建厂,品牌是↓简称(KDS晶振)当时总额1.4亿美元,注册资本4867.3万美元,占地面积67.5亩.KDS晶振总公司设立「在日本国兵库县加古川市平冈町新在家，创业时间为1959年11月3日,正式注册成立是在1963年5月8日,当时注册资金高达321亿日元之多,主要≡从事电子元件石英晶振以及电子设←备生产销售一体化,包括晶体谐振▲器，音叉型晶体谐振器，晶体应用产品，晶体振荡器，晶体滤波器，晶体光学产¤品，硅晶体时钟∮设备，MEMS振荡器等。 大真空株式会社KDS晶振自1959年建立以来一直遵从的三个理念“依赖”于“可靠的人”“可⌒　靠的产品”和“可ζ靠的公司”。作为全球石英晶振制造商，大真空KDS晶振努力帮助实现新一代电子社会，更方便人们更舒适，通过开发石英晶振, 压控晶体振荡器（VCXO）、温补晶振（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）、陶瓷谐振器等晶◢体器件对全球环境友好。KDS晶振公司的现在的发展不是立马就腾达起来的,而是靠着整个团队一点一滴的经历挫折与磨难,累积经验给整合起来的.

日本大真空株式会社,【KDS】品牌,实力见ㄨ证未来,KDS集团总公司位☆于日本兵库县加古川,在泰国,印□　度尼西亚,台湾,中国天津这些大城市均有生产工厂,而天津KDS晶振工厂是全球石英晶振◢生产最大量的工厂,自从1993年在天津投产以来,技术更新从未间断,从最初的32.768K晶体为主,到现在以小体积贴片晶体振荡器为主,体积已经是全世界石英晶体振荡器∩之中最小的.

高精度石英晶振的切割设计:用不同角度对♂晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同※特性的石英晶片,通▃常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位(角度)的切割称为石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同→∏,其电特性也各异⌒,石英耐高温晶振目前主要使用的有AT切、BT切.其▂它切型还有CT、DT、GT、NT等.

普通石英压控晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体振荡器,焊接方面支持表面贴】装,外观采用金属封装㊣　,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求

KDS晶振,DSO321SBM晶振,石英晶体振荡器

日本株∑式会社大真空KDS晶振三▓种信赖行为守则：

可靠的人以独立,自助,自足的努力作为基本◥的行动原则,我们将充分利用我△们的优势,为社会整体和接近一切真诚和热情.

可靠的晶振,石英晶振,有源晶振,压控△振荡器,,我们将帮助实现一个富裕的社会,通过优化我们的能力,开发最好的产♀品和服务,并提供给我←们所有的客户在世界各地.

可靠的KDS晶振公司,我们努力履行我们的企业社会责任,通过持续的利润,通过企业活动,遵守所有的法律法规,尊重他们的精神,注重与全球环境的和谐.

1我们对KDS晶振公司的管理政●策,管理原则和管理措施有正确的〓认识,并本着KDS晶振公司和全社会的利益,不关心个︻人的利益和成本.

2我们将从观念到问题的解决,而不受制于陈规或惯例.

3我们会不时与有关人士进行讨论,如有需要,以方便谈判的调整,并将建立良好的关系,试图解决任何◥问题的诚意.

4我们将通过理解对方的立场,继续说服对方,以便处理石◢英晶振,贴片晶振,陶瓷雾化片,石英晶体谐振器,任何疑难问题.

5我们将始终有一个环境兼容性和执行环境兼容的活动作为我们的主要主题之一.

6我们将在每一种情况下充满◣信心地工作并有精神完成▓工作.

7我们将努力建立这样的性格和个人磁性被接受和信任周围的每一个人.

8我们要努力建立良好的人际√关系,有时要勇于接受别人的脆弱.

9我们将遵守法律法规以及任何规则,包括各种规章制度和既定的社会规范,并确保◥信息的安全性认识到信息的重要性.

10我们将始终采取一个明智的行动作为社会成员.

项目	符号	规格说明	条件
输出频率╳范围	f0	0.7MHZ~90MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	VCC	1.8-5.0V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-40℃ to +85℃	裸存
工作温度	T_use	G: -10℃ to +70℃	请联系我们查看更多资料http://www.shubhamdrill.com
		H: -30℃ to +85℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工』作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
	VOL	0.4 V Max.
输出负▅载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCC Max.	ST 终端
	VIL	20 % VCC Max.
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年