KDS晶振,压控温补晶振,DSA535SD晶振,1XTQ10000VFA晶振,有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身▲已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断ζ　开时的消费电流是15 µA以下,编带卐包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压♀供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

超小型、超低频石英晶振晶片的边缘处理技术：是超小型、超低频石英晶振晶体元器件研发及生产必须解决的技Ψ术问题，为3225差分晶振行业的技术难题之一。具体解决的办□法是使用高速倒边方式，通过↑结合以往低速滚筒倒边去除晶振晶片的边缘效应，在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必々须合理

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f0	9.6-40MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相「关信息
电源电压	VCC	2.6-3.3V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-40℃ to +85℃	裸存
工作温度	T_use	G: -10℃ to +70℃	请联系我们查看更☆多资料/
		H: -30℃ to +85℃
频率稳定度【	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCC Max.	ST 终端
	VIL	20 % VCC Max.
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

KDS有源晶振产品列表※：

1.DIP 产品

已变形的石英晶振引』脚不能插入板孔中。请勿施⌒加过大压力,以免引脚变形。

2.SOJ 产品和SOP 产品

请勿施①加过大压力,以免5032压控温补振荡器引脚变形。已变形的DIP晶振引脚焊接时会造成浮起。尤其是SOP产品需⌒　要更加小心处理。

3.超声波清洗ω　

（1）使用AT-切割晶体和表面滤波器（SAW）/声表面∏谐振器的产品,可以通过超声波进行清洗。但是,在某些条件下, 晶振特性可能会受到影响,而且内部线路可◆能受到损坏。确保已事先检查系统的适用性。

（2）使用音叉¤晶体和陀螺仪传感器的压控温补型有源晶振产品无法确保能够通过超声波方法进行清洗,因为晶振可能受到破坏。

（3）请勿清洗开启式晶振产品

（4）对于可清洗晶振产≡品,应避免使用可能对︾产品产生负面影响的清洗剂或溶剂等。

（5）焊料助焊々剂的残留会吸收水分并凝固。这会引起诸如位移等其它现象。这将会负面影响产品的可靠性和质量。请清理残余的助焊剂并烘干PCB。

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