四脚CMOS驱动晶振,TG-5501CA晶振,X1G0039010051晶振

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爱普生晶振,温补晶振,TG-5501CA晶振,X1G0039010051晶振

频率：10~50MHZ

尺寸：7.0*5.0mm

小型SMD有源晶振,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

订购热线：86-0755-27838351

日本精工爱普生接受了中国苏州政府2007 年的招商引资,命名为【爱普生拓优科梦水晶元器件（苏州）有限公司】爱普生拓优科梦（Epson Toyocom）是精工爱普生株式会社与爱普生（中国）有限公司共同投资成立的有限责任公司（外商合资）.目前注册资本2500万美金.现员工人数:1500人.主要从事压电石英晶体系列产品的生产,投资初期主要生产32.768KHZ系列产品,从2009年起32.768K系列产品转向马来西亚量产.苏州爱普生工厂就以生产高端的7050晶振为主,普通石英晶体谐振器为辅.

爱普生晶振,温补晶振,TG-5501CA晶振,X1G0039010051晶振,温补晶振(TCXO)产品本身具有温度补★偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM-2.0 PPM,工作温度范围:-30度至85度,电源电压:1.8V-3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系〓统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.

石英晶振在选用晶片时应注意温度范围、SMD晶振温度范围内的频差要求，贴片晶振温度范围宽时(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄温(-10℃-70℃)切割角度应略高。对于晶振的条片，长边为 X 轴，短边为 Z 轴，面为 Y 轴。对于圆片晶振，X、Z 轴较难区分，所以石英晶振对精度要求高的产品（如部分定单的 UM-1），会在 X 轴方向进行拉弦（切掉一小部分），以利于晶振的晶片有方向的装架点胶，点胶点点在 Z 轴上。保证晶振产品的温度特性。

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f0	10~50MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	VCC	2.5V to 5.5 V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃ to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.shubhamdrill.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
输出电压	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCC Max.	ST 终端
输入电压	VIL	20 % VCC Max.	ST 终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

爱普生TCXO进口日产晶振型号列表:

Model

Frequency LxWxH

Output Wave

F.Tol@25°C

Ope Temperature

Freq/Temp I [Max]

Freq. Control

25°C Aging

TG-5501CA 24.576000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

TG-5501CA 49.152000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 8.0 mA +/-0.5ppm

TG-5501CA 27.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 6.0 mA +/-0.5ppm

TG-5501CA 15.360000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

TG-5501CA 26.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

TG-5501CA 16.384000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

TG-5501CA 25.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

TG-5501CA 19.440000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

TG-5501CA 40.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 6.0 mA +/-0.5ppm

TG-5501CA 20.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

TG-5501CA 50.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 8.0 mA +/-0.5ppm

TG-5501CA 10.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-1.00 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

TG-5501CA 10.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-1.00 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

TG-5501CA 12.800000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

爱普生TCXO进口日产晶振编码列表:

X1G0039010051 TG-5501CA 24.576000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

X1G0039010057 TG-5501CA 49.152000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 8.0 mA +/-0.5ppm

X1G0039010083 TG-5501CA 27.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 6.0 mA +/-0.5ppm

X1G0039010085 TG-5501CA 15.360000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

X1G0039010087 TG-5501CA 26.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

X1G0039010089 TG-5501CA 16.384000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

X1G0039010090 TG-5501CA 25.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

X1G0039010091 TG-5501CA 19.440000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

X1G0039010093 TG-5501CA 40.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 6.0 mA +/-0.5ppm

X1G0039010095 TG-5501CA 20.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

X1G0039010097 TG-5501CA 50.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 8.0 mA +/-0.5ppm

X1G0039010098 TG-5501CA 10.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-1.00 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

X1G0039010101 TG-5501CA 10.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-1.00 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

X1G0039010102 TG-5501CA 12.800000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

TG-5501CA 7050

晶振产品使用每种产品时,请在数码相机晶振规格说明或产品目录规定使用条件下使用。因很多种晶振产品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事项也有所不同,比如焊接模式,运输模式,保存模式等等,都会有所差别。爱普生晶振,温补晶振,TG-5501CA晶振,X1G0039010051晶振

晶振产品的设计和生产直到出厂,都会经过严格的测试检测来满足贴片型TCXO振荡器的规格要求。通过严格的出厂前可靠性测试以提供高质量高的可靠性的石英晶振.但是为了石英晶振的品质和可靠性,必须在适当的条件下存储,安装,运输。请注意以下的注意事项并在最佳的条件ζ下使用产品,我们将对于客户按自己的判断而使用石英晶振所导致的不良不负任何责任。

机械振动的影响:当低抖动石英晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如：压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等ω　,输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作。

深圳市康华尔电子有限公司

QQ联系: 632862232

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采购：爱普生晶振,温补晶振,TG-5501CA晶振,X1G0039010051晶振

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产品中心 Product Center

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: 微晶晶振,32.768K晶振,CC7V-T1A晶振

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康华尔电子有限公司——晶振行业进口晶振品牌代▂理商

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应用领域

日产晶振应用领域

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X1G0039010051	TG-5501CA	24.576000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 5.0 mA	+/-0.5ppm
X1G0039010057	TG-5501CA	49.152000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 8.0 mA	+/-0.5ppm
X1G0039010083	TG-5501CA	27.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 6.0 mA	+/-0.5ppm
X1G0039010085	TG-5501CA	15.360000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 5.0 mA	+/-0.5ppm
X1G0039010087	TG-5501CA	26.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 5.0 mA	+/-0.5ppm
X1G0039010089	TG-5501CA	16.384000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 5.0 mA	+/-0.5ppm
X1G0039010090	TG-5501CA	25.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 5.0 mA	+/-0.5ppm
X1G0039010091	TG-5501CA	19.440000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 5.0 mA	+/-0.5ppm
X1G0039010093	TG-5501CA	40.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 6.0 mA	+/-0.5ppm
X1G0039010095	TG-5501CA	20.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 5.0 mA	+/-0.5ppm
X1G0039010097	TG-5501CA	50.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 8.0 mA	+/-0.5ppm
X1G0039010098	TG-5501CA	10.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-1.00 ppm	≤ 5.0 mA	+/-0.5ppm
X1G0039010101	TG-5501CA	10.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	Clipped sine wave	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-1.00 ppm	≤ 5.0 mA	+/-0.5ppm
X1G0039010102	TG-5501CA	12.800000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	Clipped sine wave	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 5.0 mA	+/-0.5ppm